- •Ответы на экзаменационные вопросы 12-16 по дисциплине «фоэ».
- •12) Полупроводниковые диоды, их классификация, условные обозначения. Стабилитроны и ограничители напряжения. Диоды свч. Смесительные и детекторные диоды.
- •Смесительные и детекторные диоды.
- •Детекторные диоды :
- •13 ) Полупроводниковые диоды, их классификация, условные обозначения. Варикапы. Туннельные и обращенные диоды.
- •Основная хаpактеpистика ваpикапа - вольт-фаpадная:
- •Параметры:
- •Вольтамперная характеристика туннельного диода
- •А) полная вах; б) обратный участок вах при разных температурах
- •14) Компоненты оптоэлектроники. Светодиоды. Компоненты оптоэлектроники
- •Светодиоды.
- •Конструкции светодиодов.
- •Инфракрасные светодиоды.
- •15) Компоненты оптоэлектроники. Фотодиоды.
- •16) Физические процессы транзисторов. Структура биполярного транзистора. 4 режима работы транзистора.
- •Режимы работы транзистора
14) Компоненты оптоэлектроники. Светодиоды. Компоненты оптоэлектроники
Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются оптические и электронные свойства, средства и методы. В оптоэлектронике световой луч выполняет те же функции управления, преобразования и связи, что и электрический сигнал в электрических цепях.
Преимущества оптоэлектронных устройств:
полная гальваническая развязка между входными и выходными цепями;
отсутствует обратное влияние приемника сигнала на его источник;
легко согласуются между собой электрические цепи с различными входными и выходными импедансами (сопротивлениями);
оптоэлектронные устройства имеют широкую полосу пропускания и преобразования сигнала;
оптоэлектронные устройства имеют бОльшую скорость распространения сигнала, что позволяет говорить об относительно высоком быстродействии;
высокая информационная емкость каналов;
на оптоэлектрические цепи не влияют помехи от внешних электромагнитных цепей, так как носители электрически нейтральны, которые в световом потоке не взаимодействуют между собой.
Недостатки:
плохая временная и температурная стабильность;
большая потребляемая мощность;
значительно большая сложность изготовления универсальных устройств по обработке сигналов;
меньшие функциональные возможности по сравнению с интегральными микросхемами;
более жесткие требования к технологии.
Оптоэлектронными называются устройства, излучающие или преобразующие излучение в инфракрасном, ультрафиолетовом или видимой части спектра. Или же в своей работе они используют электромагнитное излучение с аналогичными частотами.
К оптоэлектронным устройствам относятся:
полупроводниковые микросхемы, выполняющие функцию оптического преобразователя информации;
устройства отображения информации;
сканисторы (устройства развертки изображения);
единичные преобразователи электрического сигнала в оптический и наоборот (фотоприемник и фотопередатчик).
Для реализации оптоэлектронных устройств необходимы:
управляемый источник света, яркость которого определяется электрическим сигналом;
фотоприемник, сопротивление или ЭДС которого зависят от освещенности.
В основе оптоэлектроники лежит пара с фотонной связью (оптрон). Простейший оптрон – 4-х полюсник из 3-х блоков: источник света, световод, приемник. Сопротивление утечки цепи составляет порядка 1012 – 1016 Ом.
Светодиоды.
Светодиоды - это p-n переходы, которые при прямом смещении могут испускать спонтанное излучение в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях электромагнитного спектра. Светодиоды видимого диапазона. Эти светодиоды широко применяются в информационных каналах, обеспечивающих связь электронной аппаратуры с её пользователями. Поскольку глаз чувствителен только к свету с энергией hv~1.8 эВ (~0.7 мкм), то полупроводники, которые могут быть использованы для создания светодиодов видимого диапазона, должны иметь ширину запрещённой зоны больше этого значения. На практике наибольший интерес представляет GaAs(1-x)Px, относящийся к соединениям типа A(III)-B(V).
|
На рисунке (а) приведена зависимость ширины запрещённой зоны данного полупроводника от молярного содержания компонент х. В диапазоне 0<0.45 запрещёная зона прямая, а её ширина увеличивается от Eg=1.424 эВ При х=0 до Eg=1.977 эВ при х=0.45. При х>0.45 полупроводник становится непрямозонным. |
На рисунке (б) приведена зависимость энергии от волнового вектора для нескольких значений х, из которой следует, что зона проводимости имеет два минимума. Те минимумы, которые расположены в точке Г, являются прямыми, тогда как другие, расположенные на оси х, непрямые. |
|
Электроны в прямом минимуме зоны проводимости и дырки в максимуме валентной зоны обладают одинаковыми квазиимпульсами; электроны в непрямом минимуме имеют другое значение квазиимпульса. Для таких прямозонных полупроводников, как GaAs и GaAs(1-x)Px (x<0.45) квазиимпульс при межзонных переходах сохраняется, поэтому эти переходы характеризуются высокой степенью вероятности. При этом энергия фотона приблизительно равна ширине запрещённой зоны полупроводника. В прямозонных материалах процесс излучательной рекомбинации является доминирующим.