![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Ассемблер
- •Фортран
- •Пролог и Пролог
- •Теория искусственного интеллекта
- •Тест Тьюринга
- •2. Классификация эвм по этапам создания.
- •3. Классификация эвм по назначению
- •4 . Классификация эвм по размерам и функциональным возможностям
- •СуперЭвм
- •4.2.Большие эвм
- •.МикроЭвм
- •4.4.1.Универсальные
- •4.4.2.Специализированные
- •4.4.2.1.Серверы
- •1 Принцип модульности
- •2 Принцип функциональной избирательности
- •3 Принцип генерируемости ос
- •4 Принцип функциональной избыточности
- •5 Принцип виртуализации
- •6 Принцип независимости программ от внешних устройств
- •7 Принцип совместимости
- •8 Принцип открытой и наращиваемой ос
- •9 Принцип мобильности (переносимости)
- •10 Принцип обеспечения безопасности вычислений
- •Тема 5. Память в реальном режиме
- •Тема 6. Память в защищенном режиме
- •Тема 7. Аппаратные irq
- •Тема 8 Видеопамять, видеокарты, мониторы
- •4)Основные характеристики мониторов
- •5)Виды мониторов
- •8)Перспективные конструкции и технологии мониторов Технология e-Ink
- •Технология Electro Wetting
- •Технология микродисплеев
- •Электромеханические панели
- •Тема 9 Модемы
- •1. Типовая система передачи данных
- •2) Каналы связи
- •1. 2. 1. Аналоговые и цифровые каналы
- •1. 2. 2. Коммутируемые и выделенные каналы
- •1. 2. 3. Двух- и четырехпроводные каналы
- •3) 3. Семиуровневая модель osi
- •1. 3. 1. Физический уровень
- •1. 3. 2. Канальный уровень
- •4) Факсимильная связь
- •1. 4. 1. Передача факсимильного изображения
- •1. 4. 2. Стандарты факсимильной связи
- •5) Классификация модемов
- •1. 6. 1. По области применения
- •1. 6. 2. По методу передачи
- •1. 6. 3. По интеллектуальным возможностям
- •1. 6. 4. По конструкции
- •1. 6. 5. По поддержке международных и фирменных протоколов
- •6)Устройство современных модемов
- •2. 1. Общие сведения
- •2. 2. Состав модема для ктсоп
- •2. 3. Скремблирование
- •2. 5. Устройство цифрового модема
- •2. 6. Линейное кодирование
- •1) Аналоговая модуляция
- •2) Дискретная модуляция аналоговых сигналов
- •8.2. Методы Шеннона-фано и Хаффмена
- •8.3. Алгоритм lzw
- •8.4. Сжатие данных в протоколах mnp
- •8.4.1. Протокол mnp5
- •8.4.2. Протокол mnp7
- •8.5. Сжатие данных по стандарту V.42bis
- •9.1 Протокол xModem
- •9.2. Протокол xModem-crc
- •9.3. Протокол xModem-ik
- •9.4. Протокол yModem
- •9.5. Протокол yModem-g
- •9.6. Протокол zModem
- •9.6.1. Требования протокола zModem
- •9.6.2. Формат кадров протокола zModem
- •9.6.3. Типы кадров zModem
- •9.6.4. Информация о файле в кадре zfile
- •9.6.5. Работа протокола zModem
- •Тема 10. Назначение чипсетов
- •Тема 11. Современные процессоры. Их архитектура
- •Характерные особенности risc-процессоров
- •3) Классы процессоров
- •4) Структура базового микропроцессора
- •Характеристики микропроцессоров фирмы Intel
- •Тема 12. Современные виды памяти. Их характеристики
- •1) Классификация ram(Random Access Memory):
- •2) Разновидности ram:
- •3)Виды ram и их характеристики:
- •Fpm ram (Быстрая страничная память)
- •Edo ram (память с усовершенствованным выходом)
- •Bedo dram (Пакетная edo ram)
- •Sdr sdram — синхронная dram
- •4)Новые перспективные виды памяти будущих компьютеров
- •Тема 13. Объединение компьютеров между собой
- •Естественные среды
- •Искусственные среды
- •Тема 14. Интернет
- •[Править]Каталоги
- •Тема 15. Жесткие диски и типы файловых систем
- •Название «Винчестер»
- •[Править]Характеристики
- •[Править]Уровень шума
- •[Править]Производители
- •[Править]Устройство
- •[Править]Гермозона
- •[Править]Устройство позиционирования
- •[Править]Блок электроники
- •[Править]Низкоуровневое форматирование
- •[Править]Геометрия магнитного диска
- •[Править]Особенности геометрии жёстких дисков со встроенными контроллерами [править]Зонирование
- •[Править]Резервные секторы
- •[Править]Логическая геометрия
- •[Править]Адресация данных
- •[Править]chs
- •[Править]lba
- •[Править]Технологии записи данных
- •[Править]Метод продольной записи
- •[Править]Метод перпендикулярной записи
- •[Править]Метод тепловой магнитной записи
- •[Править]Структурированные носители данных
- •[Править]Сравнение интерфейсов
- •[Править]raid 1
- •[Править]raid 2
- •[Править]raid 3
- •[Править]raid 4
- •[Править]raid 5
- •[Править]raid 5ee
- •[Править]raid 6
- •[Править]raid 7
- •[Править]raid 10
- •[Править]Комбинированные уровни
- •[Править]Сравнение стандартных уровней
- •[Править]Matrix raid
- •[Править]Программный (англ. Software) raid
- •[Править]Дальнейшее развитие идеи raid
- •Иерархия каталогов в Microsoft Windows
- •Классификация файловых систем
- •[Править]Задачи файловой системы
Fpm ram (Быстрая страничная память)
(от англ. Fast Page Mode Random Access Memory — память с произвольным доступом— тип оперативной памяти, используемой в компьютерах в 1990-х годах. Увеличение быстродействия по сравнению с обычной (PM RAM) достигается следующим образом: в случае, когда последовательно выбираемые элементы расположены на одной странице (строке), полный адрес (строка + столбец) подается только один раз для выборки первой ячейки строки. Для доступа к другим ячейкам той же страницы используется только адрес столбца.
Edo ram (память с усовершенствованным выходом)
C появлением процессоров Intel Pentium память FPM DRAM оказалась совершенно неэффективной. Поэтому следующим шагом стала память с усовершенствованным выходом (англ. extended data out DRAM, EDO DRAM). Эта память появилась на рынке в 1996 году и стала активно использоваться на компьютерах с процессорами Intel Pentium и выше. Её производительность оказалась на 10–15% выше по сравнению с памятью типа FPM DRAM. Её рабочая частота была 40 и 50 МГц, соответственно, время полного доступа — 60 и 50 нс, а время рабочего цикла — 25 и 20 нс. Эта память содержит регистр-защелку (англ. data latch) выходных данных, что обеспечивает некоторую конвейеризацию работы для повышения производительности при чтении.
Bedo dram (Пакетная edo ram)
Пакетная память EDO RAM (англ. burst extended data output DRAM, BEDO DRAM) стала дешёвой альтернативой памяти типа SDRAM. Основанная на памяти EDO DRAM, её ключевой особенностью являлась технология поблочного чтения данных (блок данных читался за один такт), что сделало её работу быстрее, чем у памяти типа SDRAM. Однако невозможность работать на частоте системной шины более 66 МГц не позволила данному типу памяти стать популярным.
Sdr sdram — синхронная dram
В связи с выпуском новых процессоров и постепенным увеличением частоты системной шины, стабильность работы памяти типа EDO DRAM стала заметно падать. Ей на смену пришла синхронная память - Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDR SDRAM). Новыми особенностями этого типа памяти являлись использование тактового генератора для синхронизации всех сигналов и использование конвейерной обработки информации. Также память надёжно работала на более высоких частотах системной шины (100 МГц и выше). Если для FPM и EDO памяти указывается время чтения первой ячейки в цепочке (время доступа), то для SDRAM указывается время считывания последующих ячеек. Цепочка — несколько последовательных ячеек. На считывание первой ячейки уходит довольно много времени (60–70 нс) независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит от типа. Рабочие частоты этого типа памяти могли равняться 66, 100 или 133 МГц, время полного доступа — 40 и 30 нс, а время рабочего цикла — 10 и 7,5 нс. С этим типом памяти применялась технология Virtual Channel Memory (VCM). VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую более гибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра на чипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. VCM, помимо высокой скорости передачи данных, была совместима с существующими SDRAM, что позволяло делать апгрейд системы без значительных затрат и модификаций. Это решение нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов. DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой ввычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных». Специфическим режимом работы модулей памяти является двухканальный.
Direct RDRAM или Direct Rambus DRAM
Тип памяти RDRAM является разработкой компании Rambus. Высокое быстродействие этой памяти достигается рядом особенностей, не встречающихся в других типах памяти. Первоначальная очень высокая стоимость памяти RDRAM привела к тому, что производители мощных компьютеров предпочли менее производительную, зато более дешёвую память DDR SDRAM. Рабочие частоты памяти — 400, 600 и 800 МГц, время полного доступа — до 30 нс, время рабочего цикла — до 2,5 нс.
DDR2 SDRAM
Конструктивно новый тип оперативной памяти DDR2 SDRAM был выпущен в 2004 году. Основываясь на технологии DDR SDRAM, этот тип памяти за счёт технических изменений показывает более высокое быстродействие и предназначен для использования на современных компьютерах. Память может работать с тактовой частотой шины 200, 266, 333, 337, 400, 533, 575 и 600 МГц. При этом эффективная частота передачи данных соответственно будет 400, 533, 667, 675, 800, 1066, 1150 и 1200 МГц. Некоторые производители модулей памяти помимо стандартных частот выпускают и образцы, работающие на нестандартных (промежуточных) частотах. Они предназначены для использования в разогнанных системах, где требуется запас по частоте. Время полного доступа — 25, 11,25, 9, 7,5 нс и менее. Время рабочего цикла — от 5 до 1,67 нс.
DDR3 SDRAM
Этот тип памяти основан на технологиях DDR2 SDRAM со вдвое увеличенной частотой передачи данных по шине памяти. Отличается пониженным энергопотреблением по сравнению с предшественниками. Частота полосы пропускания лежит в пределах от 800 до 2400 МГц (рекорд частоты — более 3000 МГц), что обеспечивает большую пропускную способность по сравнению со всеми предшественниками.