- •Ассемблер
- •Фортран
- •Пролог и Пролог
- •Теория искусственного интеллекта
- •Тест Тьюринга
- •2. Классификация эвм по этапам создания.
- •3. Классификация эвм по назначению
- •4 . Классификация эвм по размерам и функциональным возможностям
- •СуперЭвм
- •4.2.Большие эвм
- •.МикроЭвм
- •4.4.1.Универсальные
- •4.4.2.Специализированные
- •4.4.2.1.Серверы
- •1 Принцип модульности
- •2 Принцип функциональной избирательности
- •3 Принцип генерируемости ос
- •4 Принцип функциональной избыточности
- •5 Принцип виртуализации
- •6 Принцип независимости программ от внешних устройств
- •7 Принцип совместимости
- •8 Принцип открытой и наращиваемой ос
- •9 Принцип мобильности (переносимости)
- •10 Принцип обеспечения безопасности вычислений
- •Тема 5. Память в реальном режиме
- •Тема 6. Память в защищенном режиме
- •Тема 7. Аппаратные irq
- •Тема 8 Видеопамять, видеокарты, мониторы
- •4)Основные характеристики мониторов
- •5)Виды мониторов
- •8)Перспективные конструкции и технологии мониторов Технология e-Ink
- •Технология Electro Wetting
- •Технология микродисплеев
- •Электромеханические панели
- •Тема 9 Модемы
- •1. Типовая система передачи данных
- •2) Каналы связи
- •1. 2. 1. Аналоговые и цифровые каналы
- •1. 2. 2. Коммутируемые и выделенные каналы
- •1. 2. 3. Двух- и четырехпроводные каналы
- •3) 3. Семиуровневая модель osi
- •1. 3. 1. Физический уровень
- •1. 3. 2. Канальный уровень
- •4) Факсимильная связь
- •1. 4. 1. Передача факсимильного изображения
- •1. 4. 2. Стандарты факсимильной связи
- •5) Классификация модемов
- •1. 6. 1. По области применения
- •1. 6. 2. По методу передачи
- •1. 6. 3. По интеллектуальным возможностям
- •1. 6. 4. По конструкции
- •1. 6. 5. По поддержке международных и фирменных протоколов
- •6)Устройство современных модемов
- •2. 1. Общие сведения
- •2. 2. Состав модема для ктсоп
- •2. 3. Скремблирование
- •2. 5. Устройство цифрового модема
- •2. 6. Линейное кодирование
- •1) Аналоговая модуляция
- •2) Дискретная модуляция аналоговых сигналов
- •8.2. Методы Шеннона-фано и Хаффмена
- •8.3. Алгоритм lzw
- •8.4. Сжатие данных в протоколах mnp
- •8.4.1. Протокол mnp5
- •8.4.2. Протокол mnp7
- •8.5. Сжатие данных по стандарту V.42bis
- •9.1 Протокол xModem
- •9.2. Протокол xModem-crc
- •9.3. Протокол xModem-ik
- •9.4. Протокол yModem
- •9.5. Протокол yModem-g
- •9.6. Протокол zModem
- •9.6.1. Требования протокола zModem
- •9.6.2. Формат кадров протокола zModem
- •9.6.3. Типы кадров zModem
- •9.6.4. Информация о файле в кадре zfile
- •9.6.5. Работа протокола zModem
- •Тема 10. Назначение чипсетов
- •Тема 11. Современные процессоры. Их архитектура
- •Характерные особенности risc-процессоров
- •3) Классы процессоров
- •4) Структура базового микропроцессора
- •Характеристики микропроцессоров фирмы Intel
- •Тема 12. Современные виды памяти. Их характеристики
- •1) Классификация ram(Random Access Memory):
- •2) Разновидности ram:
- •3)Виды ram и их характеристики:
- •Fpm ram (Быстрая страничная память)
- •Edo ram (память с усовершенствованным выходом)
- •Bedo dram (Пакетная edo ram)
- •Sdr sdram — синхронная dram
- •4)Новые перспективные виды памяти будущих компьютеров
- •Тема 13. Объединение компьютеров между собой
- •Естественные среды
- •Искусственные среды
- •Тема 14. Интернет
- •[Править]Каталоги
- •Тема 15. Жесткие диски и типы файловых систем
- •Название «Винчестер»
- •[Править]Характеристики
- •[Править]Уровень шума
- •[Править]Производители
- •[Править]Устройство
- •[Править]Гермозона
- •[Править]Устройство позиционирования
- •[Править]Блок электроники
- •[Править]Низкоуровневое форматирование
- •[Править]Геометрия магнитного диска
- •[Править]Особенности геометрии жёстких дисков со встроенными контроллерами [править]Зонирование
- •[Править]Резервные секторы
- •[Править]Логическая геометрия
- •[Править]Адресация данных
- •[Править]chs
- •[Править]lba
- •[Править]Технологии записи данных
- •[Править]Метод продольной записи
- •[Править]Метод перпендикулярной записи
- •[Править]Метод тепловой магнитной записи
- •[Править]Структурированные носители данных
- •[Править]Сравнение интерфейсов
- •[Править]raid 1
- •[Править]raid 2
- •[Править]raid 3
- •[Править]raid 4
- •[Править]raid 5
- •[Править]raid 5ee
- •[Править]raid 6
- •[Править]raid 7
- •[Править]raid 10
- •[Править]Комбинированные уровни
- •[Править]Сравнение стандартных уровней
- •[Править]Matrix raid
- •[Править]Программный (англ. Software) raid
- •[Править]Дальнейшее развитие идеи raid
- •Иерархия каталогов в Microsoft Windows
- •Классификация файловых систем
- •[Править]Задачи файловой системы
2) Разновидности ram:
SIMM
SIMM (англ. Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы. Стандарты SIMM описаны в сборнике JEDEC (англ.) JESD-21C. Имели несколько модификаций.
Модули SIMM были разработаны и запатентованы в 1983 году компанией Wang Laboratories. Первоначально модули были керамическими и имели пины.
DIMM(англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памятиDRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функциюобнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.
Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обоих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы. В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули рассчитанные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В. Однако, впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятю типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом. В дальнейшем, в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR II и DDR III, отличающуюся повышенным быстродействием. Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II.
3)Виды ram и их характеристики:
|
Типы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) |
Асинхронная |
FPM RAM · EDO RAM |
Синхронная |
SDRAM · DDR SDRAM · Mobile DDR (LPDDR) · DDR2 SDRAM · DDR3 SDRAM · DDR4 SDRAM |
Графическая |
VRAM · WRAM · MDRAM · SGRAM · GDDR · GDDR2 · GDDR3 · GDDR4 · GDDR5 |
Rambus |
RDRAM · XDR DRAM · XDR2 DRAM |
Типы DRAM На протяжении долгого времени разработчиками создавались различные типы памяти. Они обладали разными характеристиками, в них были использованы разные технические решения. Основной движущей силой развития памяти было развитие компьютеров и центральных процессоров. Постоянно требовалось увеличение быстродействия и объёма оперативной памяти.