- •Моделируемый технологический маршрут:
- •Ручной расчёт Rs и Xj
- •Автоматический расчёт с помощью инструмента Measure
- •Результаты проведенного расчета для заданного маршрута.
- •Результаты проведенного расчета для заданного маршрута.
- •Графики зависимости поверхностного сопротивления от корня времени разгонки с разными значениями энергии.
- •График зависимости глубины p-n-перехода от квадрата времени разгонки с разными значениями энергии.
- •Двумерные профили распределения в зависимости от длины затвора с учётом напряжения в cap-слое.
- •Двумерные профили распределения в зависимости от длины затвора без учёта напряжения в cap-слое.
Двумерные профили распределения в зависимости от длины затвора с учётом напряжения в cap-слое.
Тензор механического напряжения σXX (вдоль)
Тензор механического напряжения σXУ (сдвиговая)
Тензор механического напряжения σYY (поперёк)
Из полученных рисунков видно, что нанесение ненапряженных сар-пленкок вносит растяжение вдоль, а поперек канала сжатие, при этом сдвиговые напряжения вносят с одной стороны сжатие с другой – растяжение. Так как в работе используется n-канальный транзистор, то можно сказать, что сар-пленка приведет к увеличению подвижности носителей в канале.
Двумерные профили распределения в зависимости от длины затвора без учёта напряжения в cap-слое.
Тензор механического напряжения σXX
Тензор механического напряжения σXY
Тензор механического напряжения σYY
При наличие напряженной сар-пленки наблюдается увеличение растяжения вдоль канала на порядок. Поперечное растяжение пленки приводит к сжатию в канале. сдвиговые напряжения приводят и к сжатию и к растяжению в канале.
При этом видим, что применение напряженных сар-пленок увеличивает растяжение/сжатие на порядок, что должно привести к большему увеличению подвижности, чем при ненапряженных слоях.
Вывод: В этой работе были освоены одномерные и двумерные расчёты в SProcess. Полученные зависимости глубины p-n перехода от дозы и времени термического отжига. Так же смоделирован МОПТ с учётом и без учёта напряжения в cap-слое.
Получены профили примесей в зависимости от содержания водорода и кислорода.
В ходе работы были изучены новые команды SProcess.