5 Послідовність виконання роботи:

5.1 Опробування схеми.

Для опробування схеми (рис.1) потенціометром R1 встановіть напругу на дільниці «затвор – джерело» приблизно 0,6 В, а потенціометром R2 змініть напругу між стоком та витоком від 0 до + 10 В. Спостерігаючи, як змінюється струм стоку, впевніться у можливості зняття стокової характеристики.

Можливість зняття стокозатворної характеристики перевірте падаючи на стік напругу від 0 до – 10 В. Підтримуючи цю напругу постійною змінюйте напругу між затвором та витоком від 0 до значення напруги, рівної напрузі відсічки, та спостерігайте, як змінюється струм стоку.

5.2 Зняття стокових характеристик польового транзистора І_С = f(U_СВ), при U_ЗВ = const.

Перед зняттям характеристик заготуйте таблицю спостережень (табл.1).

Стокові характеристики польового транзистора знімають для 4 – 5 значень напруги U_ЗВ. Величини напруг затвор – виток залежать від типу транзистора та знаходяться у межах від 0 до +10 В. Напругу стоку змінюють у процесі зняття характеристики через (1 – 2) В потенціометром R2.

Таблиця 1

UЗВ 1 = В		UЗВ 2 = В		UЗВ 3 = В		UЗВ 4 = В
UСВ , В	ІСВ , мА	UСВ , В	ІСВ , мА	UСВ , В	ІСВ , мА	UСВ , В	ІСВ , м А
0
10

5.3 Зняття стокозатворної характеристики польового транзистора І_С = f(U_ЗВ), при U_СВ = const.

Перед зняттям характеристик заготуйте таблицю спостережень (табл.2).

Таблиця 2

UЗВ , В
ІС , мА

Стокозатворну характеристику знімають для одного значення напруги стоку, наприклад U_СВ = - 5 В. При цьому змінюють напругу затвору від 0 (при максимальному значенні струму стоку) до напруги відсічки (при якому струм стоку дорівнює 0) через 0,5 В.

5.3 Побудова стокових, стокозатворних характеристик польового транзистора.

За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудуйте сімейство стокових (вихідних) характеристик, та стік – затворну (вхідну) характеристику польового транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.3, 4.

Рис.3 Рис. 4

5.4 Визначення параметрів польового транзистора

5.4.1 За стокозатворними характеристиками (рис.4) визначають:

- напругу відсічки U_{ЗB 0};

- крутизну стокозатворної характеристики S = ΔI_С /ΔU_ЗВ = fe/de [mA/В],

при U_СВ =const;

- вхідний опір R_вх = ΔU_ЗВ / ΔI_З [Ом]; R_вх = de/fe.

5.4.2 Для визначення внутрішнього (вихідного) диференційного опору на одній із стокових характеристик (рис. 3) будують характеристичний трикутник Δaвс з якого знаходять

R_і =ΔU_СВ /ΔI_С [Ом], при ΔU_ЗВ =const ; R_вих = aс/вс.

5.4.3 За внутрішнім рівнянням польового транзистора визначають коефіцієнт підсилення μ = S·R_i.

Зверніть увагу на узгодження одиниць вимірювання S та R_i.

6 Зміст звіту:

6.1 Найменування та мета роботи.