- •Лабораторна робота № 1
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
- •Лабораторна робота № 3
- •2 Апаратура та прилади: пеом, програма Electronics Worbench.
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •Лабораторна робота № 6
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
- •Лабораторна робота № 7
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
- •Лабораторна робота № 8
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
- •7 Контрольні питання:
- •8 Література:
- •Лабораторна робота № 9
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
- •Лабораторна робота № 5
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2. Схема дослідження.
- •7 Контрольні питання:
- •8 Література:
- •Лабораторна робота № 4
- •2 Обладнання:
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Підготовка до роботи:
- •6 Послідовність виконання роботи:
- •7.2 Схема дослідження.
- •8 Контрольні питання:
- •9 Література:
- •Лабораторна робота № 10
- •2 Апаратура та прилади: пеом, програма Electronics Worbench.
- •3 Схема дослідження:
- •4 Основні теоретичні положення:
- •5 Послідовність виконання роботи:
- •6.2 Схема дослідження.
4 Основні теоретичні положення:
Транзистором (від TRANSFER RESISTOR – такий, що перетворює опір) називається НП прилад, який має один або декілька p-n переходів, три або більше виводів і здатний підсилювати потужність електричного сигналу.
Біполярний транзистор – це НП прилад, призначений для підсилення потужності сигналу, який має 2 p-n переходи, використовує носії зарядів двох різних типів: електронів та дірок і керується струмом.
Як елемент електричного кола, транзистор зазвичай використовується так, що один з його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій – спільний відносно входу та виходу. У коло вхідного електроду вмикається джерело вхідного змінного сигналу, який треба підсилити за потужністю, у коло вихідного – навантаження, на якому виділяється підсилена потужність.
Розрізняють три схеми вмикання транзисторів:
-
з спільною базою - з СБ;
-
з спільним емітером - з СЕ;
-
з спільним колектором - з СК.
Схема зі спільним емітером (рис.1) найбільш розповсюджена.
Основні параметри біполярного транзистора для схеми з спільним емітером визначаються за формулами:
Rвх =ΔUБЕ / ΔІБ , при ΔUКЕ = const (сотні Ом – одиниці кОм);
Rвих =ΔUКЕ / ΔІК , при ΔІБ = const (одиниці – десятки кОм);
КІ = ΔІК / ΔІБ , ΔUКЕ = const (десятки – сотні);
КU = ΔUвих / ΔUвх , ΔIвх = const (сотні – тисячі);
КР = КІ ∙ КU (тисячі – десятки тисяч);
Для визначення статичних параметрів транзисторів використовують два види статичних характеристик:
- вхідні ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const (рис.2);
- вихідні ІК = f(UКЕ) при ІБ = const (рис.3).
5 Послідовність виконання роботи:
5.1 Зняття вхідних статичних характеристик транзистора ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const
Перед зняттям характеристик заготовляють таблицю спостережень (табл.1 і табл.2).
Таблиця 1
UКЕ = 0 , В |
UКЕ = 5 , В |
||
UБЕ , В |
ІБ , мА |
UБЕ , В |
ІБ , мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги UКЕ . Напругу між базою та емітером змінюють потенціометром R1.
5.2 Зняття вихідних статичних характеристик транзистора ІК = f(UКЕ) при ІБ = const
Таблиця 2
ІБ = 500 , мкА |
ІБ = 1000 , мкА |
ІБ = 2000 , мкА |
|||
UКЕ , В |
ІК , мА |
UКЕ , В |
ІК , мА |
UКЕ , В |
ІК , мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вихідні статичні характеристики знімають для трьох значень струму бази, котрі встановлюють потенціометром R1 та підтримують у процессі спостережень незмінними. Напругу UКЕ змінюють, потенціометром R2.
5.3 Побудова статичних характеристик транзистора.
За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудувати сімейства вхідних та вихідних статичних характеристик транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.2, 3.
Рис. 3 Рис.2
5.4 Визначення вхідного та вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення транзистора.
За вихідними статичними характеристиками (рис.3) можна знайти вихідний опір транзистора Rвих для заданої точки Т. По прирощенням ∆UКЕ і ∆ІК між точками В і С при постійному струмі ІБ = 40 мкА
Rвих = ∆UКЕ / ∆ІК =(15В - 1В) / (1,4-0,9)10-3 А = 28000 Ом = 28 кОм.
Вхідний опір транзистора Rвх визначаємо за вхідними статичними характеристиками (рис.2). Точка Т відповідає тому ж режиму, що й на вихідних характеристиках (ІБ = 40 мкА).
По прирощенням ∆ІБ та ∆UБЕ між точками А і Б при постійній напрузі UКЕ = 8 В, знаходимо
Rвх = ∆UБЕ /∆ІБ = (185 мВ-140 мВ) / (50-30)10-3 мА = 2250 Ом = 2,25 кОм.
Коефіцієнт підсилення струму КІ визначаємо за вихідними характеристиками транзистора (рис.3). Нехай транзистор працює при напрузі між колектором і емітером UКЕ = 8 В, а струм бази дорівнює ІБ = 40 мкА. Цьому режиму на сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка Т.
По прирощенням ∆ІК та ∆ІБ між точками А і Б при постійній напрузі UКЕ знаходимо
КІ = ∆ІК /∆ІБ = (1,6 - 0,6 )мА / (60 - 20)10-3 мА = 25, при UКЕ = 8 В = const.
Коефіцієнт підсилення напруги КU визначаємо за вхідними характеристиками транзистора (рис.2).
Нехай ІБ = const = 30 мкА (т. КА).
Для точки К UБЕ = 110 мВ, UКЕ = 0 В
Для точки А UБЕ = 140 мВ, UКЕ = 8 В.
КІ = ∆ UКЕ /∆ UБЕ = (8 - 0)В / (140-110)10-3 В = 270.
Коефіцієнт підсилення потужності КР визначаємо за формулою:
КР = КІ КU = 25∙270 = 6750.
6 Зміст звіту:
6.1 Найменування та мета роботи.