Типономинал полупроводникового прибора

КД521В

ГД507А

Постоянное обратное напряжение

50 В

20 В

Постоянный или средний прямой ток

50 мА

16 мА

Температура окружающей среды

От 213 до

От 233 до 333 К

398 К

Типономинал полупроводникового прибора

КС147А

КС133А

Минимальный ток стабилизации

3 мА

3 мА

Максимальный

при

температуре:

от 213 до 323 К

58мА

81мА

при 398 К

19 мА

27 мА

Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 323 К

300 мВт

300 мВт

при 398 К

100 мВт

100 мВт

Температура окружающей среды

От 213 до

От 213 до 373 К

373 К

Типономинал полупроводникового прибора

КП103М

КП305Д

Постоянный ток стока

12 мА

15 мА

Постоянное напряжение затвор-исток

15 В

±15 В

Постоянное напряжение сток-исток

10 В

15 В

Постоянное напряжение затвор-сток

17 В

±15 В

Постоянная рассеиваемая мощность

120 мВт

150 мВт

транзистора

Температура окружающей среды

От 218 до

От 213 до 398 К

358 К

Биполярныетранзисторы

Типономинал полупроводникового прибора

2Т312А

ГТ308Б

Постоянный ток коллектора

30 мА

50 мА

Постоянное напряжение эмиттер-база

4 В

3 В

Постоянное напряжение коллектор-база

20 В

20 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

20 В

12 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

225 мВт

150 мВт

Температура окружающей среды

От 213 до 393 К

От 213 до 343 К

Варианты заданий на выполнение лабораторных исследований

Номер

Тип

Вид исследования

полупроводникового

Номер прибора

варианта

прибора

1

2

3

4

ДИОД

1

КД521В

1

2

КД521В

2

3

Экспериментальные

КД521В

3

4

КД521В

4

5

исследования

ГД507А

1

6

ГД507А

2

7

ГД507А

3

8

ГД507А

4

9

Исследования на основе

КД521В

–

10

математического

ГД507А

–

моделирования

11

КД521В

1

12

КД521В

2

13

Экспериментальные

КД521В

3

14

исследования, и исследования

КД521В

4

15

на основе математического

ГД507А

1

моделирования

16

ГД507А

2

17

ГД507А

3

18

ГД507А

4

СТАБИЛИТРОН

19

КС147А

1

20

КС147А

2

21

Экспериментальные

КС147А

3

22

КС147А

4

23

исследования

КС133А

1

24

КС133А

2

25

КС133А

3

26

КС133А

4

27

Исследования на основе

КС147А

–

28

математического

КС133А

–

моделирования

29

Экспериментальные

КС147А

1

30

исследования, и исследования

КС147А

2

31

на основе математического

КС147А

3

32

моделирования

КС147А

4

Окончание табл. П.4

1

2

3

4

33

Экспериментальные

КС133А

1

34

исследования, и исследования

КС133А

2

35

на основе математического

КС133А

моделирования

36

КС133А

4

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

37

КП103М

1

38

КП103М

2

39

Экспериментальные

КП103М

3

40

КП103М

4

41

исследования

КП305Д

1

42

КП305Д

2

43

КП305Д

3

44

КП305Д

4

45

Исследования на основе

КП103М

–

46

математического

КП305Д

моделирования

47

КП103М

1

48

Экспериментальные

КП103М

2

49

КП103М

3

50

исследования, и исследования

КП103М

4

51

на основе математического

КП305Д

1

52

моделирования

КП305Д

2

53

КП305Д

3

54

КП305Д

4

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

55

2Т312А

1

56

2Т312А

2

57

Экспериментальные

2Т312А

3

58

2Т312А

4

59

исследования

ГТ308В

1

60

ГТ308В

2

61

ГТ308В

3

62

ГТ308В

4

63

Исследования на основе

2Т312А

–

64

математического

ГТ308В

моделирования

65

2Т312А

1

66

Экспериментальные

2Т312А

2

67

2Т312А

3

68

исследования, и исследования

2Т312А

4

69

на основе математического

ГТ308В

1

70

моделирования

ГТ308В

2

71

ГТ308В

3

72

ГТ308В

4