- •1. Цели лабораторной работы
- •3. Описание схем, исследуемых в работе. Основные соотношения в схемах
- •3.1 Усилитель по схеме об.
- •3.2 Усилитель по схеме оэ (Общий эмиттер)
- •2.1.3 Усилитель по схеме ок (Схема с общим коллектором, или эмиттерный повторитель)
- •4.Программа выполнения лабораторной работы
- •4.1 Предварительная подготовка
- •4.1.1 Изучить учебные материалы, изложенные в лекционном курсе и в рекомендуемой литературе
- •4. 1.2 По исходным значениям параметров усилительных каскадов, приведенных в таблице1, рассчитать значения элементов схем.
- •1.Выбор положения рабочей точки на выходных характеристиках транзистора, обеспечивающей оптимальное воспроизведение входного сигнала с заданной амплитудой на нагрузке.
- •4.2.2 Исследование схемы оэ
4.Программа выполнения лабораторной работы
4.1 Предварительная подготовка
4.1.1 Изучить учебные материалы, изложенные в лекционном курсе и в рекомендуемой литературе
4. 1.2 По исходным значениям параметров усилительных каскадов, приведенных в таблице1, рассчитать значения элементов схем.
Таблица 1
Схема |
Параметр |
В1 |
В2 |
В3 |
В4 |
В5 |
В6 |
В7 |
ОБ |
UМ.ВЫХ[в] |
5 |
4 |
6 |
8 |
4 |
6 |
5 |
RН[Ом] |
500 |
400 |
600 |
1000 |
300 |
800 |
600 | |
СН[p] |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 | |
fн[Гц] |
20 |
80 |
60 |
100 |
200 |
40 |
50 | |
fв[мГц] |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 | |
ОЭ |
UМ.ВЫХ[в] |
5 |
6 |
4 |
6 |
5 |
3 |
5 |
RН[Ом] |
500 |
800 |
400 |
600 |
400 |
200 |
300 | |
СН[p] |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 | |
fн[Гц] |
40 |
60 |
80 |
50 |
100 |
20 |
30 | |
fв[мГц] |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 | |
ОК |
UМ.ВЫХ[в] |
3 |
4 |
5 |
4 |
6 |
5 |
2 |
RН[Ом] |
200 |
300 |
400 |
400 |
3 00 |
200 |
100 | |
СН[p] |
500 |
500 |
500 |
500 |
500 |
500 |
500 | |
fн[Гц] |
20 |
40 |
50 |
30 |
80 |
60 |
200 | |
fв[мГц] |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
≥1 |
Основными этапами расчета являются:
1.Выбор положения рабочей точки на выходных характеристиках транзистора, обеспечивающей оптимальное воспроизведение входного сигнала с заданной амплитудой на нагрузке.
2. Расчет величины напряжения источника питания.
3. Выбор и расчет значений пассивных элементов схемы, обеспечивающих параметры статического и динамического режимов усилителя в заданном диапазоне частоты входного сигнала.
4. Выбор и расчет параметров источника входного напряжения (значения ЕГ, RГ)
В качестве активного элемента схем следует выбрать транзистор ВС546А, основные электрические параметры которого при температуре 250С имеют следующее значение:
IК0=15nА, β0=110 – 220, fα=300мГц, СЭБ=9pF (при токе IК=0), СКЭ=3.5pF (при токе IЭ=0), UКБ.ДОП.=80в, UКЭ.ДОП.=65в, IK.ДОП.=100мА, PКДОП.=500мв, UБЭ=0.60в.
Примечание. Исходные данные для расчета и исследования рассматриваемых схем могут быть скорректированы или изменены по согласованию исполнителя с преподавателем. Температуру окружающей среды считать неизменной и равной 200С
4.2. Программа экспериментального исследования
4.2.1 Исследование схемы ОБ
а) На рабочем столе лабораторного стенда Ni ELVIS 11+ собрать схему рис.15, используя рассчитанные значения элементов схемы и предварительно сняв диаграмму семейства выходных характеристик транзистора ВС546А, Отразить их в отчете.
б) Используя измерительные приборы стенда, измерить параметры статического режима схемы.
в) Задав значение частоты входного гармонического сигнала f=10кГц, снять амплитудную характеристику схемы UВЫХ=f(UВХ) и определить значение входного сигнала, при котором наблюдаются искажение формы входного сигнала
г) Установить на выходе схемы режим неискаженной передачи входного сигнала. Определить по осциллограммам коэффициент усиления схемы в области средних частот. Изменяя частоту входного сигнала, определить значения нижней и верхней граничной частот.
д) Снять АЧХ и ФЧХ усилителя и исследовать влияние на ее параметры значений элементов схемы, выбранных и согласованных с преподавателем.