- •1. Цели лабораторной работы
- •3. Описание схем, исследуемых в работе. Основные соотношения в схемах
- •3.1 Усилитель по схеме об.
- •3.2 Усилитель по схеме оэ (Общий эмиттер)
- •2.1.3 Усилитель по схеме ок (Схема с общим коллектором, или эмиттерный повторитель)
- •4.Программа выполнения лабораторной работы
- •4.1 Предварительная подготовка
- •4.1.1 Изучить учебные материалы, изложенные в лекционном курсе и в рекомендуемой литературе
- •4. 1.2 По исходным значениям параметров усилительных каскадов, приведенных в таблице1, рассчитать значения элементов схем.
- •1.Выбор положения рабочей точки на выходных характеристиках транзистора, обеспечивающей оптимальное воспроизведение входного сигнала с заданной амплитудой на нагрузке.
- •4.2.2 Исследование схемы оэ
3.2 Усилитель по схеме оэ (Общий эмиттер)
Схема усилителя представлена на рис.16. Главная особенность схемы состоит в том, что управляющим сигналом в ней является ток базы транзистора, создаваемый источником входного сигнала ЕГ а не ток эмиттера, что свойственно усилителю по схеме ОБ.
Протекающий при этом в цепи коллектора ток оказывается значительно больше управляющего тока базы, что и является преимуществом схемы ОЭ по сравнению с схемой ОБ, в которой коэффициент передачи управляющего тока эмиттера всегда меньше единицы. Полезная составляющая тока коллектора, пропорциональная входному сигналу, создает падение напряжение на коллекторе транзистора, которое и является выходным напряжением усилителя.
Рис.16
Требуемые параметры статического режима задаются : во входной цепи – источником ЕБ и резистором RБ, в цепи коллектора – источником ЕК и резистором RК.
Конденсаторы С1, С2 выполняют, как и в схеме ОБ, функцию развязки входной и выходной цепей транзистора по постоянному и переменному току.
Статический режим схемы характеризуется следующими значениями токов и напряжений:
а) Ток покоя в цепи базы:
(36)
б) Ток покоя в цепи коллектора:
(37)
где – коэффициент передачи по току транзистора в схемеc общим эмиттером
–обратный ток коллектора при разомкнутой цепи базы
в) Напряжение на базе:
(38)
г) Напряжение на коллекторе:
(39)
Для динамического режима работы схемы наиболее значимыми являются соотношения:
В области средних частот:
а ) Входное сопротивление транзистора :
, (40)
где rэ- сопротивление перехода база-эмиттер, rб- сопротивление проводящего слоя базы
б ) Коэффициент передачи по напряжению:
(41)
в) Выходное сопротивление схемы (относительно зажима коллектора):
(42)
где rk – сопротивление коллекторного перехода
В области нижних частот:
C понижением частоты входного сигнала возрастает сопротивление разделительных конденсаторов, что и отражается на частотной зависимости коэффициента передачи по напряжению. Рассматривая электрические процессы в входной и выходной цепях усилителя независимым, получим;
а) Комплексный коэффициент передачи:
(43)
где – эквивалентная постоянная времени в области низких частот, τн1=С1(RГ+RВХ(ОЭ), τн2=С2(RК+RН),
б) Модуль комплексного коэффициента передачи(АЧХ)
(44)
в) Фазо – частотная характеристика (ФЧХ):
(45)
г) Значение нижней граничной частоты:
(46)
д ) Коэффициент частотных искажений:
(47)
В области высших частот:
а) Комплексный коэффициент передачи:
(48)
где; τвэкв=τβ+(СК*+СН)RКН – эквивалентная постоянная в области высших частот, СК*=СК(1+β0) – емкость между коллектором и эмиттером, СН – емкость нагрузки, τβ – постоянная времени, определяющая зависимость коэффициента передачи по току в схеме ОЭ:
(49)
Постоянная времени τβ определяет собственную верхнюю граничную частоту коэффициента передачи по току:
fβ=1/2πτβ (50
б) Модуль комплексного коэффициента передачи(АЧХ)
(51)
в) Фазо – частотная характеристика (ФЧХ):
(52)
г) Значение верхней граничной частоты:
(53)
д ) Коэффициент частотных искажений:
(54)