Рекомендуемая учебно-методическая литература

Основная:

Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. —// М., Питер, 2003, стр. 208-253

Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Учебное пособие для вузов. Под ред. Н.Д. Федорова, —// М., Радио и связь 1998, стр.70-131

Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат. Design Center (Pspice).—// М.,СК пресс, 1996, стр.96-99

Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. —//М., Энергоатомиздат, 1983, 2-е изд. стр.147-164

Калинин С.В. МУ по курсу «Физические основы электроники» — // Новосибирск, СибГУТИ, 2004;

Конспект лекций.

Дополнительная литература

Степаненко И.П. Основы микроэлектроники — // 2 издание, М., Лаборатория Базовых Знаний, 2000, стр.125-155

Massobrio G., Antognetti P. Semiconductor device modeling with SPICE/ — McGraw-Hill, 2nd ed., N.Y., 1993, pp.45-130 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники — // 2 издание, М., Лаборатория Базовых Знаний, 2000, стр.72-89

Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника—// М., Высшая школа 1991, стр.177-212

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем/—// М., Мир, 1989, стр.325-449

Федотов А.Я., Николотов В.И. Электрические модели транзисторов и их параметры.—М., МЭИС, 1987, стр.3-13

Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы — М., Высшая школа, 1987, стр.192-229

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. т1—//М., Мир 1984, стр.142-166

Линч П., Николайдес А. Задачи по физической электронике (с решениями и комментариями) —// М., Мир 1975, стр. 182-216

Gartner W.W. Transistors. Principle, Design and Application— N.Y. Princenton, 1960, pp 99-121, 249-334

Benumof R., Zoutendyk J., Theoretical values of various parameters in the Gummel-Poon model of a bipolar junction transistor. — J. Appl. Phys., Vol=56(2), pp 636-644

4.4. Задание к выполняемой работе

4.4.1 Выбор варианта

В соответствии с таблицей 4.1 и указаниями преподавателя выбрать вариант исходных данных для работы.

Таблица 4.1 варианты исходных данных

№ варианта	Полупроводник	Концентрация легирующей примеси в эмиттере Nэ(см-3)	Концентрация легирующей примеси в базе NБ (см-3)	Концентрация легирующей примеси в коллекторе NК (см-3)	Геометрические размеры транзистора ( мкм)	Сечение захвата (см-2)
1	Германий	110+20	210+16	110+15	LБАЗЫ=4;LЭМИТ=2 LКОЛ=8;W=500; HЭМИТ=200 HКОЛ=800	210-16
2	Германий	210+21	810+16	810+14	LБАЗЫ=3;LЭМИТ=2 LКОЛ=7;W=500; HЭМИТ=300 HКОЛ=900	210-15
3	Германий	110+20	410+16	410+15	LБАЗЫ=4;LЭМИТ=3 LКОЛ=10;W=400; HЭМИТ=300 HКОЛ=900	410-16
4	Германий	810+21	310+17	110+15	LБАЗЫ=5;LЭМИТ=2 LКОЛ=6;W=600 HЭМИТ=300 HКОЛ=900	110-16
5	Кремний	410+20	110+16	110+15	LБАЗЫ=8;LЭМИТ=2 LКОЛ=12;W=700 HЭМИТ=400 HКОЛ=900	210-16
6	Кремний	210+21	810+16	410+15	LБАЗЫ=1;LЭМИТ=2 LКОЛ=5;W=500 HЭМИТ=450 HКОЛ=1000	210-15
7	Кремний	610+21	210+16	410+15	LБАЗЫ=9;LЭМИТ=3 LКОЛ=12;W=400 HЭМИТ=350 HКОЛ=950	410-16
8	Кремний	210+20	210+17	310+15	LБАЗЫ=9;LЭМИТ=3 LКОЛ=8;W=500 HЭМИТ=350 HКОЛ=800	110-16