- •Рабочая программа дисциплины
- •4.Структура и содержание дисциплины
- •4.1. Структура дисциплины
- •4.2. Содержание разделов дисциплины
- •2.Основы теории электропроводности.
- •3.Диоды
- •4.Транзисторы
- •5.Физическая реализация представления и обработки информации в эвм
- •6. Системный блок
- •7.Запоминающие устройства
- •8.Интерфейсы ввода-вывода
- •9.Внешняя память на магнитных носителях
- •10.Внешняя память с использованием оптики
- •11.Устройства ввода-вывода информации
- •12.Физические и технические характеристики линий связи между эвм
- •13.Возможности развития эвм
- •5. Образовательные технологии
- •6. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины.
- •7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины
- •8. Материально-техническое обеспечение дисциплины
4.Структура и содержание дисциплины
4.1. Структура дисциплины
Общая трудоемкость дисциплины составляет 2 зачетные единицы, 72 часа (лекции – 18, практические занятия – 18, самостоятельная работа –36).
№ п/п |
Раздел Дисциплины |
Семестр |
Неделя семестра |
Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость (в часах) |
Формы текущего контроля успеваемости (по неделям семестра) Форма промежуточной аттестации (по семестрам) | |||
лекции |
Семинары, прак. занятия |
лаб. работа |
сам. работа | |||||
1 |
Введение в курс |
8 |
1 |
1 |
|
|
2 |
|
2 |
Основы теории электропроводности. |
8 |
1-2 |
4 |
5 |
|
8 |
Контрольная работа |
3 |
Диоды |
8 |
2 |
1 |
1 |
|
2 |
|
4. |
Транзисторы |
8 |
3 |
1 |
1 |
|
2 |
|
5 |
Физическая реализация представления и обработки информации в ЭВМ |
8 |
3 |
1 |
1 |
|
2 |
Контрольная работа |
6 |
Системный блок |
8 |
3 |
1 |
1 |
|
2 |
|
7 |
Запоминающие устройства |
8 |
4 |
1 |
1 |
|
2 |
|
8 |
Интерфейсы ввода-вывода |
8 |
4 |
1 |
1 |
|
2 |
Контрольная работа |
9 |
Внешняя память на магнитных носителях |
8 |
4 |
1 |
1 |
|
2 |
|
10 |
Внешняя память с использованием оптики |
8 |
5 |
1 |
1 |
|
2 |
|
11 |
Устройства ввода-вывода информации
|
8 |
5 |
2 |
2 |
|
4 |
Контрольная работа |
12 |
Физические и технические характеристики линий связи между ЭВМ |
8 |
6 |
2 |
2 |
|
4 |
|
13 |
Возможности развития ЭВМ |
8 |
6 |
1 |
1 |
|
2 |
|
|
Промежуточная аттестация |
|
|
|
|
|
|
Зачёт |
|
Итого |
|
|
18 |
18 |
|
36 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.2. Содержание разделов дисциплины
Введение в курс
История развития вычислительной техники и её элементной базы. Закон развития Мура. Планарная технология Большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС). Проблема воспроизводимости параметров и уменьшения топологических размеров. Полупроводниковые материалы для элементной базы вычислительной техники.
2.Основы теории электропроводности.
Классическая теория электропроводности металлов. Необходимость введения квантовомеханического подхода для описания электронных состояний. Основные понятия и принципы квантовой механики. Волны де Бройля, соотношение неопределённости. Уравнение Шрёдингера .Волновая функция. Состояния частицы в одномерной потенциальной яме. Сферическая симметрия. Момент импульса и спин. Электрон в кулоновом поле. Электронные состояния атомов. Теория возмущений и квантовые переходы. Типы химической связи Электрон в периодическом поле. Зонная структура твёрдого тела.
Проводники, полупроводники и диэлектрики. Квазичастицы в теории твёрдого тела. Распределение Ферми-Дирака. Энергия Ферми Электроны и дырки .Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводники n- и p-типа. Легирование полупроводников.