Розділ 2. Результати

Розрахунок ведемо для першої зони Бріллюена BZ для Ni (T=298 K) у високосиметрійній точці Г:

Фур'є-компонента енергії (непрямої) «деформаційної» взаємодії між вакансіями:

V^υυ(0)= -0,30735026 eВ

Фур'є-компонента енергія ефективної парної взаємодії між вакансіями:

W^υυ(0)= -0,3146447546 eВ

Висновки

I. Розрахунком дисперсійної кривої залежності Фур'є-компонент енергій «деформаційної» взаємодії вакансій у ГЦК-кристалах (за Хачатуряном–Ешелбі) вперше виявлено низку закономірностей, а саме: (непряма) «деформаційна» взаємодія вакансій через спричинені ними поля статичних спотворень ґратки і спряжених з ними механічних напружень у кристалі має анізотропний, далекосяжний і «квазиосцилюючий» характер в залежності її енергії від міжвакансійної відстані. При цьому встановлено, що нахил зазначеної дисперсійної кривої, асимптотичний вираз для якого послідовно одержано в даній роботі вперше, в околі центра Бріллюенової зони оберненого простору, для вакансій у ГЦК-кристалах завжди позитивний за реалістичних значень їхніх модулів пружності та параметру її анізотропії.

II. Розрахунком дисперсійної кривої Фур'є-компонент енергій «електрохімічної» (або когезійної за природою) взаємодії вакансій у ГЦК-кристалі (за Жирифалько–Гаррісоном на прикладі ГЦК-Ni) з урахуванням істотних рис такої їхньої «прямої» взаємодії (зокрема, ізотропії та притягального характеру) з’ясовано, що немалі значення її енергій (у порівнянні з енергіями «деформаційної» взаємодії між вакансіями) хоча б на віддалях радіусів декількох перших координаційних сфер забезпечують домінування саме цього, вперше врахованого в даній роботі послідовно у випадку вакансій, енергетичного внеску у Фур’є-компоненти сумарної міжвакансійної взаємодії, принаймні, в околі центру Бріллюенової зони оберненого простору для ГЦК-ґратки.

III. Вперше встановлено, що наномасштабний період модульованої структури в розподілі вакансій, що виникає в закритій вакансійній підсистемі ГЦК-кристалу (наприклад, вже після припинення його опромінення) за спіноїдальним механізмом її релаксації, збільшується з температурою, що визначається, насамперед, ентропійним чинником, «електрохімічними» взаємодіями вакансій та й пружніми властивостями кристалу.

Список використаних джерел

1. W. Horsthemke and R. Lefever, Noise-Induced Transitions: Theory and Applications in Physics, Chemistry, and Biology (Berlin–Heidelberg: Springer–Verlag: 2006).

2. П. О. Селищев, Металлофиз. новейшие технол., 21, № 9: 11 (1999).

3. П. А. Селищев, Самоорганизация в радиационной физике (Киев: Аспект-Полиграф: 2004).

4. В. И. Сугаков, О сверхрешетках плотности дефектов в облучаемых кристаллах (Киев: 1984) (Препринт/АН УССР. Институт теоретической физики. ИТФ-84-70).

5. В. Й. Сугаков, Основи синерґетики (Київ: Обереги: 2001).

6. О. В. Олійник, П. О. Селищев, В. А. Татаренко, Й. Б. Парк, Металлофиз. новейшие технол., 34, № 9: 1231 (2012).

7. P. A. Selishchev and V. I. Sugakov, Radiat. Eff. and Defects in Solids, 133, No. 3: 237 (1995).

8. В. И. Сугаков, П. А. Селищев, Физ. твердого тела, 28, № 10: 2921 (1986).

9. A. G. Khachaturyan, Theory of Structural Transformations in Solids (Mineola, NY: Dover Publications Inc.: 2008).

10. A. A. Кацнельсон, А. И. Олемской, Микроскопическая теория неоднородных структур (Москва: Изд. МГУ: 1987).

11. О. В. Олійник, В. А. Татаренко, С. М. Бокоч, Металлофиз. новейшие технол., 33, № 10: 1383 (2011); ibidem, 34, № 1: 137 (2012).

12. В. А. Татаренко, К. Л. Цинман, Физика реальных кристаллов: Сб. науч. тр. (Ред. В. Г. Барьяхтар) (Киев: Наукова думка: 1992), с. 244.

13. В. А. Татаренко, К. Л. Цинман, Металлофизика, 14, № 10: 14 (1992).

14. И. Н. Францевич, Ф. Ф. Воронов, С. А. Бакута, Упругие постоянные и упругие модули металлов и неметаллов: Справочник (Киев: Наукова думка: 1982).

15. Л. Г. Климович, С. В. Семеновская, Я. С. Уманский, М. Я. Фишкис, Физ. мет. металловед., 25, № 6: 1029 (1968).

16. E. S. Machlin, Acta Metall., 22, No. 1: 95 (1974).

17. O. Bender and P. Ehrhart, J. Phys. F: Met. Phys., 13, No. 5: 911 (1983).

18. O. V. Oliinyk and V. A. Tatarenko, Журнал нано- та електронної фізики, 4, № 1: 01001-1 (2012).

19. M. S. Blanter and A. G. Khachaturyan, Metall. Trans., 9A, No. 6: 753 (1978).