Табличні данні для завдань 3, 4, 5

Параметри

Si

Ge

AsGa

Se

Te

Ширина забороненої зони при 0 К ΔE_g, еВ

1,166

0,74

1,52

1,95

0,334

Температурний коефіцієнт γ*10^-4, еВ/К

1,533

2,333

3

7

0,467

Відносна діелектрична проникливість ε

16

11,8

10,9

8,5

5

Дрейфова рухливість, см²/(Вс)

електрони μ_n

дірки μ_p

3900

1900

1500

600

8500

400

1

1

1100

100

Ефективна маса m^*/m₀

електрони

дірки

1,59

0,3

0,92

0,5

0,068

0,45

0,26

0,12

0,038

0,1

Донорна домішка

P

As

Se

Br

I

Акцепторна домішка

Ga

In

Cd

Sn

Ge

№

Речовина

Ширина забороненої зони при 0 К ΔE_g, еВ

Температурний коефіцієнт γ*10^-4, еВ/К

№

Речовина

Ширина забороненої зони при 0 К ΔE_g, еВ

Температурний коефіцієнт γ*10^-4, еВ/К

1

Si

1,166

1,533

16

ZnO

3,43

4,333

2

Ge

0,74

2,333

17

α-ZnS

3,91

4,333

3

AsGa

1,52

3

18

β-ZnS

3,84

4,333

4

Se

1,95

7

19

ZnSe

2,81

4,667

5

Te

0,334

0,467

20

ZnTe

2,39

3,667

6

BP

2,15

5

21

CdS

2,58

1,667

7

AlP

2,5

2,333

22

CdSe

1,85

3,667

8

AlAs

2,24

2,667

23

CdTe

1,6

3,333

9

AlSb

1,6

0,333

24

HgS

2,55

1,667

10

GaN

3,6

3,333

25

HgSe

– 0,24

– 3

11

GaP

2,4

5

26

HgTe

– 0,28

– 4,333

12

GaSb

0,81

4

27

PbS

0,29

– 4

13

InP

1,42

6,333

28

PbSe

0,165

– 2,5

14

InAs

0,43

2,333

29

PbTe

0,19

– 4

15

InSb

0,235

1,833

30

SnTe

0,3

5,667