3.2. Основні параметри і характеристики польового транзистора

Польові транзистори використовуються в трьох схемах ввімкнення: зі спільним витоком (СВ), зі спільним затвором (СЗ) і зі спільним стоком (СС). Для розрахунку електронної схеми на польовому транзисторі потрібно мати два основні сімейства статичних характеристик: сімейство стокових характеристик, які відображають залежність струму стоку від напруги на між стоком і витоком І_с= f (U_св) при різних значеннях напруги між затвором і витоком U_зв = const, і сімейство стоково-затворних характеристик – залежність струму стоку від наруги на затворі І_с= f (U_зв) при різних значеннях напруги сток-витік U_св = const.

Основні параметри, які використовуються при розрахунках: статична крутизна стоково-затворної характеристики  S; внутрішній опір кола стік-витік  r_св; напруга відсічки  U_від, це напруга на затворі при якій струм стоку дорівнює нулю; максимальний струм стоку  І_с.макс , це струм стоку при нульовій напрузі на затворі, струм витікання затвору  І_з.вит, це зворотний струм затвору при заданій напрузі між затвором та іншими виводами, які з’єднані між собою. Частотні параметри польового транзистора: максимальна частота підсилення  f_макс; ємність між затвором і витоком  С_зв (вхідна ємність); ємність між затвором і стоком  С_зс (прохідна ємність); ємність між стоком і витоком  С_св (вихідна ємність). Значення параметрів S і r_св, які використовуються для розрахунку каскаду на польовому транзисторі, бажано визначати в точці спокою за сімействами статичних характеристик транзистора.

3.3. Основні параметри і характеристики операційного підсилювача

Основні параметри операційного підсилювача (ОП), які використовуються при розрахунках:

1. Коефіцієнт підсилення за напругою К_u0  відношення зміни вихідної напруги до відповідної зміни вхідної напруги, значення якого переважно складає .

2. Вхідна напруга зміщення нуля U_зм  найбільша небажана напруга, яка виникає в середині підсилювача і є причиною появи на виході ОП деякої напруги при нульовій напрузі на обох входах. Це напруга, яку потрібно прикласти до входів ОП, щоб на виході встановити нульову напругу. Переважно значення вхідної напруги зміщення складає .

3. Вхідний струм зміщення І_вх  струм на вході підсилювача, який необхідний для роботи транзисторів вхідного каскаду ОП. Для вхідних каскадів, які виконані на біполярних транзисторах переважно знаходиться в межах від сотень нА до одиниць мкА.

4. Різниця вхідних струмів І_вх  різниця вхідних струмів зміщення транзисторів ОП, яка виникає внаслідок нерівності коефіцієнтів підсилення за струмом  вхідних транзисторів. Значення різниці вхідних струмів приблизно в (4..10) разів менше від І_вх і знаходиться в діапазоні (одиниці  сотні) нА.

5. Вхідний диференціальний опір R_вх.д  опір підсилювача між двома входами ОП, який переважно складає: (сотні кОм  одиниці МОм). Вхідний синфазний опір R_вх.син  це опір між об’єднаними входами і спільною точкою схеми. Вхідний синфазний опір переважно складає

6. Вихідний опір R_вих  внутрішній опір підсилювача, який визначається відношенням зміни вихідної напруги до зміни струму навантаження. Типове значення R_вих становить 200 Ом.

7. Мінімальний опір навантаження R_н.мін  опір навантаження, при якому ще зберігаються номінальні параметри ОП. Переважно складає R_н.мін=(1–2) кОм.

8. Температурний дрейф напруги зміщення U_зм /Т  зміна напруги зміщення при зміні температури. Знаходиться в межах (0,1  50) мкВ / ^оС.

9. Середній температурний дрейф вхідного струму І_вх /Т  зміна вхідного струму при зміні температури.

10. Середній температурний дрейф різниці вхідних струмів (І_вх)/Т  зміна різниці вхідних струмів при зміні температури.

11. Максимальна швидкість наростання вихідної напруги V_max  максимальна швидкість зміни напруги на виході операційного підсилювача при стрибкоподібній зміні вхідної напруги. Знаходиться в межах

12. Максимальна додатна  U⁺ і максимальна від’ємна  U^- напруги на виході ОП при вибраних значеннях напруг живлення ± Е_ж.

При розрахунках використовується також амплітудно-частотна характеристики операційного підсилювача.