
- •Методичні вказівки
- •4.3. Розрахунок rc-генератора на операційному
- •4.4. Розрахунок компенсаційного стабілізатора
- •4.5. Розрахунок площі радіатора для відведення тепла від
- •1. Основне завдання розрахунку електричної схеми
- •1.1. Вимоги до точності розрахунків
- •1.2. Порядок розрахунку електронних схем
- •1.3. Послідовність розрахунку електронних схем
- •2. Вибір електрорадіоелементів
- •2.1. Транзистори
- •2.2. Напівпровідникові діоди
- •2.3. Резистори
- •2.4. Конденсатори
- •2.5. Мікросхеми
- •3. Основні параметри підсилювальних елементів
- •3.1. Основні характеристики і параметри біполярного транзистора
- •3.2. Основні параметри і характеристики польового транзистора
- •3.3. Основні параметри і характеристики операційного підсилювача
- •4. Розрахунок електронних вузлів і пристроїв
- •4.1. Розрахунок каскадів попереднього підсилення
- •4.1.1. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення в схемі зі спільним емітером
- •4.1.1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за постійним струмом
- •4.1.1.2. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за змінним струмом
- •Розрахунок підсилювального каскаду в схемі зі спільним колектором
- •4.1.3. Розрахунок підсилювального каскаду в схемі зі спільним колектором і слідкуючим зв’язком
- •Розрахунок підсилювального каскаду в схемі зі спільною базою
- •4.1.5. Розрахунок каскаду попереднього підсилення на польовому транзисторі в схемі зі спільним витоком
- •4.1.6. Розрахунок каскаду попереднього підсилення на польовому транзисторі в схемі зі спільним стоком
- •4.1.7. Розрахунок частотних спотворень транзисторного каскаду підсилення з резистивно-ємнісним зв’язком
- •4.1.8. Розрахунок інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі
- •4.1.9. Розрахунок неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі
- •4.2. Розрахунок транзисторних підсилювачів потужності
- •4.2.1. Розрахунок однотактного трансформаторного підсилювача потужності на транзисторі
- •4.2.2. Розрахунок двотактного трансформаторного підсилювача потужності на транзисторах
- •4.2.3. Розрахунок безтрансформаторного комплементарного підсилювача потужності на транзисторах
- •4.2.4. Розрахунок безтрансформаторного квазікомплементарного підсилювача потужності на складових транзисторах
- •4.2.5. Нелінійні спотворення в підсилювачах потужності на транзисторах
- •4.3. Розрахунок rc-генератора на операційному підсилювачі з мостом Віна
- •4.4. Розрахунок компенсаційного стабілізатора постійної напруги на транзисторах
- •4.5. Розрахунок площі радіатора для відведення тепла від потужного транзистора
- •Список літератури
- •Додатки Додаток 1 Номінальні значення опорів резисторів і ємностей конденсаторів
- •Додаток 2 Резистори постійні недротяні
- •Додаток 3 Змінні резистори
- •Додаток 4 Конденсатори постійної ємності
- •Додаток 5 Кремнієві стабілітрони
- •Додаток 6 Біполярні транзистори
- •Додаток 7 Польові транзистори
- •Додаток 8 Операційні підсилювачі
- •Методичні вказівки
4.1.6. Розрахунок каскаду попереднього підсилення на польовому транзисторі в схемі зі спільним стоком
Схема підсилювального каскаду в схемі
з спільним стоком забезпечує значно
більший вхідний опір ніж схема з спільним
витоком. Цю схему часто називають також
витоковим повторювачем напруги, оскільки
її коефіцієнт підсилення за напругою
менший від одиниці. Основна перевага
схеми витокового повторювача напруги
– це велике значення вхідного опору і
мала вхідна ємність. Вплив вхідної
ємності різко зменшується, особливо
коли коефіцієнт підсилення за напругою
прямує до одиниці
Для розрахунку схеми задано: Rг – опір джерела вхідного сигналу; Uвих.m – амплітудне значення вихідної напруги; Rн – опір навантаження; fн – значення нижньої робочої частоти; Мн[дб] – коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті в децибелах.
Рис.4.1.6. Схема каскаду попереднього підсилення на польовому транзисторі в схемі зі спільним стоком
Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні
Приймаємо значенням струму стоку транзистора в режимі спокою з умови
Знаходимо мінімальне значення напруги між витоком і стоком транзистора в режимі спокою
де
– напруга насичення транзистора, яка
залежить від значення струму стоку і
типу транзистора. Переважно напруга
насичення для малопотужного польового
транзистора складає
Визначаємо напругу живлення каскаду
Приймаємо значення напруги живлення .
При виборі типу транзистора керуємося такими вимогами:
Вибираємо тип польового транзистора, який має такі основні електричні параметри: S; rсв; Uвід ; Iс.макс; Із.вит; Cзв; Cзс.
Розраховуємо значення опору резистора в колі витоку
Визначаємо початкове зміщення між затвором і витоком транзистора
Визначаємо напругу на затворі в режимі спокою
.
Вибираємо струм подільника напруги в колі затвору з умови і розраховуємо значення опорів резисторів подільника
Визначаємо еквівалентний опір вхідного подільника напруги
Розраховуємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою
де
– еквівалентний опір навантаження
каскаду
Визначаємо значення вхідної ємності каскаду
Вхідний опір каскаду має чисто ємнісний характер, а ємнісна складова вхідного опору на робочій частоті fр буде дорівнювати
Мінімальне значення повного вхідного опору каскаду
Значення вихідного опору залежить від значення Rв, також від крутизни польового транзистора S
Витоковий повторювач напруги не дозволяє отримати таких низьке значення вихідного опору, як у емітерного повторювача напруги, але його вихідний опір не залежить від внутрішнього опору джерела вхідного сигналу.
Розподіляємо частотні спотворення на нижній частоті між усіма конденсаторами схеми , переводимо частотні спотворення на нижній частоті у відносні одиниці (Мн=100,05·Мн[дб] ) і розраховуємо значення ємностей конденсаторів
де
– коефіцієнт частотних спотворень на
нижній частоті за рахунок конденсатора
С1.
де – коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті за рахунок конденсатора С2.