 
        
        Лабораторные работы [теория]
.doc| №1)Теплоемкость а) классическая теория тепл-ти тв.тел. Сис-ма из N независимых атомов, имеющая 3 степ.своб. на каждую из которых в среднем приходится энергия KT: 
 U=3KT U=3KT Na =3RT 
 Закон Дюлонга-Пти: Молярная теплоемкость всех простых тв.тел одинакова и равна 3R. (При выс. темп). График: Д-ПТИ        
			      Ф.ЭЙН ДЕБАЙ 
 | №2)Теплопроводность Газы Закон
			Фурье. 
			 учитывая индивидуальные особенности тел. ( Кол-во тепла переносимое через стенку: 
 
 
 
 | 
 | 
| б) Формула Эйнштейна: Система N атомов представляет собой гармонические квантовые осцилляторы. Колебания происходят независимо друг от друга, но с одинаковой частотой. Энергия гарм-ого квантового осциллятора дискретна. 
 (E)-средняя энергия осциллятора 
 
 
 | Тв. Тела В твердом теле, кроме упругих колебаний, существенную роль может играть перенос тепла свободными электронами. Т.Е в общем случае коэффициент теплопров-ти слагается из электронной и решеточной компонентов: 
 
 
 
 
 | 
 | 
| с) Модель Дебая: При низких температурах основной вклад вносят колебания низких частот. Упругие колебания в кристалле имеют квантовые св-ва. (Сущ.наименьшая порция – квант энергии с частотой V-ню). Это позволит сопоставить упругой волне квазичастицы – фононы, скорость которых равна распространению упругой волны. Фонон характеризуется энергией E и импульсом P. 
 f – ф-ция распределения. 
 dP – элемент фазовой ячейки. В
			тв.телах могут распр. три волны с двумя
			взаимно ортогональными поляриз-ми 
			 
 F(p)- плотность квантовых состояний 
 
 
 
 
 | 
 | 
 | 
| P-n переход возникает м/у 2-я п/пров-ми: n,p типа. Первоначально электрически нейтральные п/пр-ки при создании металургич-ого контакта приобретают разность потенциалов. При контакте возникает 2-й эл-й слой. Толщина
			p-n
			перехода: 
			 
 
 | 
 Токи через p-n переход: Плотность тока через p-n переход при отсутствии внешнего поля: 
 Если приложено внешнее поле: 
 Эл.ток
			ч/з переход: 
			 | Суммарный
			ток: 
			 
 Переход Шотки: -- Уравнение Гаусса 
 
 
 
			 
 | 





 -
			- )
)









 
			 
			


 ;
			     - dn-конц-ия
			фононов с частотой V-ню.
;
			     - dn-конц-ия
			фононов с частотой V-ню.


 -метал-п/проводник(без внешн.разности
			потенциалов)
			-метал-п/проводник(без внешн.разности
			потенциалов)



 ;
;
			
			

 le-дифф-я
			длинна, re-время
			пробега на дифф.длинне.
le-дифф-я
			длинна, re-время
			пробега на дифф.длинне. 
			     
			
 
			         
			

