1.5. Основные характеристики и параметры фоторезисторов

1. Темновое сопротивление фоторезистора R_тем, т.е. сопротивление при отсутствии освещения (R_тем = 10⁴÷10⁸ Ом).

2. Максимально допустимая мощность рассеяния Р_max (Р_max =0.05÷0.10 Вт).

3. Максимальное рабочее напряжение U_max (U_max =10÷100 В).

4 . Спектральная характеристика, т.е зависимость фототока I_ф фотопроводимости σ_ф или фотосопротивления R_ф = 1/σ_ф от длины волны падающего света. Максимумы этих характеристик лежат в видимой или инфракрасной частях спектра (рис. 2).

5. Световая характеристика фоторезистора, т.е. зависимость фототока или фотопроводимости от величины освещенности I_ф = f(Е) или σ_ф = f(Е) (или падающего светового потока Ф = ЕS) при постоянном напряжении, приложенном к резистору (рис. 6).

При малых освещенностях световые характеристики близки к линейным. При больших освещенностях начинается отступление от линейности и зависимость фототока (фотопроводимости) может быть описана законом (1.5)

(1.9)

На практике обычно используют интегральные световые (люкс-амперные) характеристики фоторезисторов, полученные при освещении фоторезистора светом лампы накаливания, вольфрамовая нить которой нагнета до температуры Т = 2849 К (рис. 6).

6. Интегральная чувствительность K_инт фоторезистора, т.е. отношение фотопроводимости к величине освещенности его поверхности

. (1.10)

При определении интегральной чувствительности освещение фоторезисторов производят лампой накаливания, вольфрамовая нить которой нагрета до 2840 К.

Из световой характеристики следует, что интегральная чувствительность фоторезисторов убывает с возрастанием освещенности.

7. Кратность изменения сопротивления, т.е. отношение

R_тем/R_cв = I_c/I_т, (1.11)

где R_тем – темновое, а R_cв – световое сопротивление, которые определяяются в темноте и при освещенности Е = 200 лк соответственно.

8. Постоянная времени спада фототока τ, т.е. время, в течение которого фототок уменьшается в e раз после прекращения освещения фоторезистора. Постоянная времени τ характеризует инерционность фоторезистора и определяется временем жизни неосновных носителей. Фоторезисторы различных типов имеют постоянные времени от 0.1 до 100 мс.

2. Фотоэлектрические свойства p–n-перехода

2.1. Воздействие света на p–n-переход

Зонная диаграмма освещенного p–n-перехода с “толстой” базой l > L_n, где l – толщина базы, а L_n – средняя длина диффузии электронов в базе, приведена на рис. 7.

В невырожденных легированных полупроводниках концентрации основных носителей n_n и p_p (электронов в n-области и дырок в р-области) велики по сравнению с концентрацией собственных носителей n_i и p_i: n_n >> n_i и p_p >> p_i. На границе раздела р- и n-областей образуется слой, обедненный основными носителями заряда, который называется р–n-переходом. Между р- и n-областями возникает электрическое поле Е и контактная разность потенциалов φ₀, созданные неcкомпенсированными зарядами донорных и акцепторных примесей в обедненном слое. Потенциал n-области положителен по отношению к р-области (в обедненном слое).

Ч ерез р–n-переход происходит диффузия основных носителей заряда (электронов из области n- в область р-полупроводника и дырок из области р- в область n-полупроводника) и дрейф неосновных носителей (электронов из р- в n-область и дырок из n- в р-область). Таким образом, через р–n-переход протекают четыре тока: два диффузионных (I_nD и I_pD) и два дрейфовых (I_nE и I_pE). В состоянии термодинамического равновесия выполняется принцип детального равновесия: каждая из компонент тока (и электронная I_n = I_nD–I_nЕ = 0 и дырочная I_p = I_pD–I_pЕ = 0) равны нулю и общий ток I = I_n+I_p равен нулю.

При поглощении квантов света в p–n-переходе и в прилегающих к нему областях полупроводника, образуются новые носители заряда – пары электрон-дырка. Неосновные носители, возникшие в прилегающих к p–n-переходу областях, не превышающих средней диффузионной длины L_n для электронов и L_р для дырок, диффундируют к p–n-переходу и проходят через него под действием электрического поля Е. При этом возрастает дрейфовый ток через р–n-переход на величину I_ф. Величина фототока I_ф пропорциональна числу квантов света, поглощенных в слое L = L_n+d+L_р (рис. 7):

I_ф = qχβkSLN = qχβkSLФ_λ/hν = K_λФ_λ, (2.1)

где β – квантовый выход, k – коэффициент поглощения света, χ – коэффициент переноса, учитывающий долю непрорекомбинировавших носителей заряда от общего количества носителей, возникших под действием света, S – площадь p–n-перехода.

Таким образом, освещение полупроводника приводит к нарушению термодинамического равновесия. Возникший в результате световой генерации пар электрон-дырка фототок приводит к накоплению основных носителей заряда в n- и р-областях полупроводника, между которыми возникает дополнительная (к контактной φ₀) разность потенциалов (фото-ЭДС) φ_ф, что понижает общую разность потенциалов p–n-перехода φ = φ₀–φ_ф и уменьшает величину потенциального барьера qφ =q(φ₀–φ_ф) для основных носителей. Вследствие этого возрастает дрейфовый ток основных носителей I_nDф и I_pDф (рис. 6, точечные пунктиры).

В стационарном состоянии потоки зарядов через p–n-переход в обоих направлениях уравновешивают друг друга

–I_ф–I_nE–I_pE+I_nDф+I_pDф = 0. (2.2)

Между р- и n- областями полупроводника устанавливается разность потенциалов – фото ЭДС φ_ф.