8.4.2. Динамічні озп (dram)

Складність запам’ятовуючих елементів у статичних ОЗП обмежує можливості досягнення високої щільності і, відповідно, високої ємності виготовлення мікросхем пам’яті. Підвищення цих параметрів досягається тим, що в якості елемента пам’яті використовується конденсатор малої ємності С_ЗЕ , заряд якого забезпечується через МОН-транзистор VT (рис. 8.63).

Рис. 8.63

Рис. 8.64

Транзистор забезпечує комутацію конденсатора з лінією запису / зчитування (ЛЗЗ), або бітовою лінією (Bit line). У режимі зберігання транзистор закритий. Заряджений конденсатор зберігає лог. “1”, а розряджений – лог. “0”.

При виборі даного ЗЕ на затвор по лінії ЛВ (лінії вибірки, або лінії слова (Word line)) подається напруга, що відкриває транзистор, і заряд конденсатора передається на ЛЗЗ.

Процес запису-зчитування більш детально пояснюється рис. 8.64.

При необхідності запису одиниці або нуля у відповідний ЗЕ він активізується подачею сигналу на відповідну ЛВ. Лінія ЛЗЗ ключами K₁ або K₀ приєднується до джерела напруги високого рівня Е або до загальної шини. Внаслідок такої комутації в конденсатор C_ЗЕ записується відповідна інформація через низькоомний канал транзистора.

Процес зчитування дещо складніший, і ця складність пояснюється тим, що ємність C_ЗЕ має малу величину – значно меншу, ніж паразитна ємність С_П лінії ЛЗЗ. Обумовлено це тим, що ємність C_ЗЕ створюється на основі структури польового транзистора, а С_П – це ємність лінії ЛЗЗ досить великої протяжності з великою кількістю підключених ЗЕ.

Перед операцією зчитування забезпечується попередній заряд конденсатора С_П до напруги, яка дорівнює половині напруги Е. Якщо при зчитуванні заряд конденсатора C_ЗЕ був нульовим, то конденсатор С_П лінії ЛЗЗ частково розрядиться на C_ЗЕ до вирівнювання напруги на них, і результуюча напруга на них стане дещо меншою, ніж , на величину ΔU, яка і є сигналом про зчитування нуля. Якщо ж конденсатор C_ЗЕ попередньо зберігав одиницю, то, аналогічно, напруга на С_П зросте на ΔU, що буде служити сигналом про зчитування одиниці. В обох випадках операція зчитування пошкоджує зчитувану інформацію.

Для того щоб виділити незначні відхилення потенціалу ЛЗЗ, використовується спеціальні підсилювачі – регенератори, які забезпечують перетворення малих відхилень ΔU в сигнали логічної одиниці і нуля і в той же час відновлюють потенціал на конденсаторі C_ЗЕ .

Незначна ємність конденсатора C_ЗЕ призводить до того, що, незважаючи на великий опір закритого каналу транзистора, заряджений до потенціалу логічної одиниці, він розряджається протягом декількох мікросекунд. Тому системи динамічної пам’яті будуються з використанням циклів регенерації. Наявність і необхідність циклів регенерації, яка забезпечується адресним зверненням до кожного ЗЕ, ускладнює взаємодію такої пам’яті з процесором і зовнішніми пристроями.

Ще однією особливістю динамічних ОЗП є мультиплексування адресної шини. Необхідність мультиплексування обумовлена двома причинами: перша з них – це потреба у зменшенні кількості виводів мікросхеми, особливо для пристроїв з великою ємністю пам’яті, друга – те, що адресні входи мікросхеми використовуються по-різному (наприклад, при регенерації адреса стовпця не використовується). Ідеологія мультиплексування полягає у тому, що весь адресний простір розділяється на дві частини – так звані напівадреси. Ними є окремо адреси рядків і адреси стовпців. Адреси рядків і стовпців подаються на одні й ті ж самі виводи мікросхеми пам’яті, але супроводжуються відповідним стробом – (Row Address Strobe) і (Column Address Strobe).

Умовне зображення мікросхеми динамічної пам’яті серії 4000 (4164 з організацією 64K × 1) приведене на рис. 8.65.

На рис. 8.66 показана схема, яка пояснює метод адресації з мультиплексуванням. ЗЕ мікросхем динамічної пам’яті організовані у вигляді прямокутної (зазвичай квадратної) матриці. У приведеній схемі для звернення до ЗЕ використовуються дешифратори стовпців і рядків. На вході кожного дешифратора встановлений регістр-фіксатор. Спочатку на адресні входи подається молодша частина адреси (А₀ … А₅), після чого поступає строб адреси рядка , за яким ці розряди адреси записуються у регістр-фіксатор дешифратора адреси рядка. Потім, через деякий час, подається старша частина розрядів адреси (А₆ … А₁₁), яка за стробом адреси стовпця записується у регістр-фіксатор дешифратора адреси стовпця. Після цього у регістрах-фіксаторах зберігатиметься повна адреса, яка надає можливість звертатися до кожного ЗЕ. Для зменшення часу регенерації при зчитуванні одного ЗЕ у рядку запам’ятовувальної матриці регенерується весь рядок.

Рис. 8.65

Рис. 8.66