Приложение№1. Технология изготовления омических контактов к полупроводникам типа а3в5.

Полупровод-ник типа А3В5

Еg, эВ

Тип

Материал контакта

Технология изготовления

Температура вплавления

AlN

5.9

Полуизо-лятор

Si

Al, Al-In

Mo, W

Формовка

Формовка

Распыление

1500-1800

1000

AlP

2.45

n

Ga-Ag

Формовка

500-1000

AlAs

2.16

n, p

n, p

n, p

n

In-Te

Au

Au-Ge

Au-Sn

Формовка

Формовка

Формовка

Формовка

150

160

700

700

GaN

3.36

Полуизо-лятор

Al-In

Формовка

700

GaP

2.26

p

p

n

n

Au-Zn

(99:1)

Au-Ge

Au-Si

(62:38)

Au-Si

(98:2)

Формовка

Напыление

Формовка

Формовка

Напыление

700

700

360

700

GaAs

1.42

p

Au-Zn

(99:1)

Электролиз,

Напыление

GaSb

0.72

p

In

Формовка

500

InP

1.35

p

In

Формовка

350-600

InAs

0.36

n

In

Sn-Te

(99:1)

Формовка

InSb

0.17

1.42

2.31

n

p

n

In

Sn-Te

(99:1)

Au-Zn

Au-Ge-Ni

Формовка

Формовка

Напыление

Напыление

500

450

AlxGa1-xAs

1.42 2.16

p

n

p

p

n

n

Au-In

Au-Si

Au-Zn

Al

Au-Ge-Ni

Au-Sn

Анодирование

Напыление

Напыление

Напыление

Напыление

Напыление

Электролиз

400-450

500

500

450-485

450

Ga1-xInxSb

0.7-0.17

n

Sn-Te

Напыление

AlxGa1-xP

2.312.45

n

Sn

Формовка

Ga1-xInxAs

1.47 2.35

n

Sn

Формовка

InAsxSb1-x

0.17

n

In-Te

Формовка

Полупроводник

Тип проводимости

Материал навески

Ge

n

Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb

Ge

p

In, Al, Cd, Zn

Si

n

Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb

Si

p

In, Al, Cd, Zn

GaAs

n

Te, Au+10% Te

GaAs

p

Zn

GaP

n

Te, Sn, In, Te, Au+10% Te

GaP

p

Zn

GaSb

n

Te, Sn, In, Te, Au+10% Te

GaSb

p

Zn

SiC

SiC

n

p

Al+50% Si

Te, Sn