Контакты, полученные методом ионного распыления.

Гуткнехт и Стратт получали диоды Al—Si с по­мощью высокочастотного. ионного распыления, правда они не сообщают каких-либо сведений ни о рабочем' газе, ни о его давлении. Эти авторы попользовали для очистки поверхности Si перед нанесением металла ион­ное травление (т. е. распыление, при котором Si экра­нировался от Al). Такие диоды оказались почти иде­альными с n==1,01 ... 1,02 и fb==0,78 В, что совпадает с данными, полученными для сколотых поверхностей. По-видимому, ионное травление обеспе­чивает почти идеально чистую поверхность полупровод­ника приблизительно с той же плотностью поверхност­ных состояний, что и для сколотых поверхностей. Синха и Поате сообщали об использовании высокоча­стотного ионного распыления W для изготовления почти идеальных диодов Шоттки на GaAs.

Маллинс и Брауншвейлер получали диоды Шоттки Мо—Si ионным распылением на постоянном токе в атмосфере аргона при давлении 13 Па. Для очистки поверхности Si они также использовали ионное травление. Оказалось, что диоды, полученные при на­пряжении травления в 1 кВ, были почти идеальными. Однако для больших напряжений травления ВАХ уже отличались от идеальных и степень отличия зависела от напряжения и времени травления. Авторы сумели объяснить свои результаты, предположив, что процесс ионного травления приводит к образованию дефектов вблизи поверхности Si на глубине, которая увеличива­лась с напряжением, а плотность этих дефектов явля­ется линейной функцией времени травления. Очевидно, дефекты проявляют себя как положительно заряженные доноры и дополнительный, объемный заряд, обусловлен­ный этими донорами, вызывает сужение барьера, что, в свою очередь, приводит к туннельным явлениям. Авто­ры хорошо объясняют наблюдаемые ВАХ, предполагая распределение дефектов в глубину от поверхности экс­поненциальным с характеристической длиной 1 ... 10 нм. Близкие к идеальным характеристики, получен­ные Гуткнехтом и Страттом, были, по-видимому, обу­словлены или отличными от используемых данными ав­торами условиями травления, или тем, что они после травления свои диоды отжигали.

Ионное распыление для изготовления контактов ча­сто используется из-за хорошей механической адгезии получаемых при этом металлических пленок. Этот ме­тод часто используется и для нанесения металла перед образованием силицидов.

Химическое нанесение.

Поразительно мало внимания уделяется возможно­сти использования химического осаждения металлов, очевидно, из-за сравнительной легкости нанесения лег­коплавких металлов методом испарения. Однако, просто­та и дешевизна химического метода делает его привле­кательной альтернативой методу испарения, особенно для тугоплавких металлов. Кооуэлл, Сарасе и Зи наносили вольфрам на Ge, GaAs посредством ре­акции гексофлюорида вольфрама с соответствующим полупроводником. Фурукава и Ишибаши сообщили об изготовлении омических и выпрямляющих контактов к n- и р-типа GaAs восстановлением водородом хлористого олова.

Сравнительно малое внимание уделяется и методу осаждения из растворов. Гольдберг, Поссе и Царенков сообщили об изготовлении почти идеальных диодов Шоттки на GaAs электролитическим осаждением Аи и Ni. Для золота использовалась смесь НauСl₄ и HF, а для Ni—NiC₂ и NH₄CL. При таком методе изготовления диодов n=1,02 ... 1,03 те же самые авторы получили близкие к идеальным дио­ды Шоттки на GaAs химическим осаждением золота, но не указали деталей этого процесса. Растворы, пригодные для нанесения контактов к GaAs, были пред­ставлены Гольдбергом, Наследовым и Царенковым. Дорбек сообщал об изготовлении выпрямляющих контактов к GaAs электролитическим осаждением Аu слишком продолжителен и громоздок для использова­ния в индустриальных процессах и в этом смысле не имеет каких-либо потенциальных преимуществ.