3. Рабочее задание.

   1. Собрать схему снятия характеристик транзистора, изображенную на рис.1. для чего использовать элементы и приборы, расположенные на сменной панели №5 лабораторного стенда.

   2. Установить движки потенциометров в крайнее нижнее положение так, чтобы показания вольтметров V1 и V2 при включении напряжения источников питания оказались равными нулю.

   3. Включить напряжение источника питания 24 В тумблером “ 24 В на блок”. Убедиться в нулевых показаниях вольтметров.

   4. Проверит действие схемы, правильность включения приборов и полярности источников. Для этого необходимо:

а) при Uк = 0 увеличить с помощью потенциометра R1 напряжение в цепи базы Uб. Ток Iб в этой цепи должен возрастать;

б) установить Uб = 0 и увеличить с помощью потенциометра R2 напряжение в цепи коллекторов UК. Ток Iк в этой цепи не должно быть (значит, цепь закрыта);

в) установить Uк = 5 – 10 В. Увеличивая напряжение в цепи базы, наблюдать возрастание токов Iб и Iк в закрытой коллекторной цепи. Убедиться в том, что изменения тока базы вызывают соответствующие изменения тока Iк. Значительные изменения напряжения Uк мало влияют на изменение тока Iк.

3.5. Снять две входные статические характеристики Iб = f(Uб) при Uк =0 и Uк = 10В.

Напряжение в цепи базы при этом изменить потенциометром R1 через интервалы 0.025 В и измерять ток Iб. Результаты измерения в табл.1.

Снять пять выходных статических характеристик Iк = f(Uк) при Iб: 0.8Iб ; 0.5Iб; 0.4Iб ; 0.2Iб , где Iб – базовый ток, при котором коллекторный ток достигает допустимого значения (10 -15 мА для маломощных транзисторов). Для этого, увеличивая с помощью потенциометра R2напряжение Uк от нуля через интервалы 1 В, измеряют соответствующие значения коллекторного тока Iк. В процессе измерений выбранный базовый ток следует поддерживать неизменным. Результаты измерений записать в табл. 2.

3А Учебно-исследовательская работа.

3.1. Составить схему для исследования снятия статических характеристик типа n – p – n в схеме с общим эмиттером.

3.2. Составить схему и снять статические характеристики транзистора типа p – n – p в схеме с общим коллектором.

4. Обработка результатов измерений.

4.1. Построить входную и выходную статические вольт – амперные характеристики транзистора в соответствии с данными табл. 1 и 2.

4 .2. Определить входной динамическое сопротивление транзистора Rвх = Uб/ Iб в рабочих точках Iб1 = 50мкА и Iб2 = 200мкА.

4 .3. Определить выходное сопротивление транзистора Rвых = Uк/ Iк в рабочих точках Iб1 = 50мкА, Iб2 = 200мкА и Uк = 6В.

Примечание. При определении входного и выходного сопротивлений транзистора использовать метод линеаризации характеристик в рабочей точке, т.е. построения треугольника. Напряжений и токов, гипотенуза которого является касательной к характеристике в рабочей точке.

4.4. Определить коэффициент усилий по току

4.5. Определить крутизну характеристик транзистора

5. Методические указании.

Т ранзистор с схеме с общим эмиттером можно рассматривать , как трехполюсник; имеющий входную и выходную цепи ( рис. 2 ). Выходной цепью схемы ОЭ является коллекторная цепь с включенным в нее переходом коллектор – эмиттер, который должен быть закрыт. О этой целью к этому переходу прикладывается напряжение Uкэ являющееся частью напряжения общего коллекторного питания Eк меньше или равно 10 – 25В. Значение Uкэ всегда должно быть меньше максимального в паспорте транзистора. Входной цепью схемы ОЭ является базовая цепь с включенным в нее переходом база – эмиттер, который должен быть открыт,для чего поцают на базу сравнительно не большое напряжение смещения Uэб =0.1 – 0.5 В.

Принцип работы транзистора в схеме ОЭ заключается в том, что наличие тока в базовой цепи Iб вызывает в закрытой коллекторной цепи появление большого коллекторного тока Измерение тока в базовой цепи на большее изменение коллекторного тока