Таким образом современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объём информации о свойствах транзистора.

Примеры обозначений:

ГТ101А—германиевый биполярный маломощный низкочастотный транзистор, номер разработки 1, группа А.

2Т399а—кремниевый биполярный маломощный свч, номер разработки 99, группа а.

Цифробуквенное обозначение не указывает, какую проводимость имеет транзистор. Проводимость указывается в условных графических обозначениях

( УГО ):

коллектор

база Биполярный транзистор типа p-n-p проводимости

эмиттер

коллектор

база Биполярный транзистор типа n-p-n проводимости

эмиттер

Т ранзистор в большинстве электрических схем используется как четырехполюсник. Поскольку транзистор имеет три электрода, то один из них является общим для входной и выходной цепей. Различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ); с общим эмиттером (ОЭ); с общим коллектором (ОК). На рис.3.1 показаны полярности напряжений между электродами и направления токов, соответствующие активному режиму в указанных схемах включения транзистора p-n-p. Для каждой схемы включения транзистор имеет свои параметры и характеристики.

В активном режиме, когда эмиттерный переход смещён в прямом направлении , а коллекторный – в обратном, протекание токов базы приводит к инжекции зарядов из области эмиттера. За счёт малых токов базы в её объёме создаётся большая концентрация носителей эмиттера – неосновных носителей в области базы. За счёт значительного электрического поля коллекторно-базового перехода большая часть носителей переходит в область коллектора, создавая коллекторный ток. Таким образом, ток эмиттера распределяется в цепь базы и в цепь коллектора.

I_э = I_к + I_б, I_к >> I_б

Количественно это оценивают коэффициентом передачи тока эмиттера в цепь коллектора - α, и коэффициентом инжекции базовой области – β:

; .

Количественные величины коэффициентов связаны между собой соотношениями

; .

Согласно физическим свойствам p-n переходов, управляемая проводимость между электродами транзистора при возбуждении напряжениями будет в том случае, когда потенциалы между электродами распределятся так, как показано на рис. 1

p-n-p проводимости n-p-n проводимости

Транзистор представляет собой активный (способный преобразовывать энергию источника сигнала) нелинейный четырехполюсник. В линейном режиме при усилении малых сигналов, когда на постоянные составляющие токов и напряжений накладываются малые переменные сигналы ∆ί и ∆u, связи между малыми приращениями практически линейны. Поэтому можно использовать классический метод анализа четырёхполюсника, представив схему замещения транзистора.

Зададим приращения токов и напряжений в виде малых гармонических колебаний. Тогда входные и выходные значения тока и напряжения можно записать в виде системы линейных уравнений:

U_бэ = h₁₁ I_б + h₁₂ U_кэ

I_к = h₂₁ I_б + h₂₂ U_кэ

Физический смысл и наименование h-параметров определяется в режиме короткого замыкания на входе либо при разомкнутом выходе для малой переменной составляющей тока:

h₁₁ = , при U_кэ= 0 входное сопротивление транзистора;

h₁₂ = , при I_б = 0 коэффициент обратной связи по напряжению;

h₂₁ = , при U_кэ= 0 дифференциальный коэффициент передачи тока;

h₂₂ = , при I_б = 0 выходная проводимость транзистора.

Международные организации стандартов для обозначения параметров транзисторов рекомендуют применять h параметры. Для обозначения h параметров конкретной схемы включения транзистора добавляется индекс включения транзистора. Например: коэффициент передачи тока в схеме ОЭ – β=h_21э; коэффициент передачи тока в схеме ОБ – α=h_21б; входное сопротивление в схеме с ОБ – R_вхб = h_11б; выходная проводимость в схеме ОЭ –Y= = h_22э.