Электрофизические характеристики областей пространствен­ного заряда Тест 8

65. Дайте определение понятия поверхностного избытка носителей заряда в полупроводнике. Объясните причины и последствия их возникновения.

66. Запишите выражения для поверхностных избытков носителей заряда в полупроводниках n- и р-типа.

67. Запишите соотношения для полного заряда ОПЗ в расчете на единицу поверхности через величины избытков свободных но­сителей заряда.

68. Определите понятие дифферен­циальной емкости ОПЗ и запишите соотношения для нее через плотность поверхностного заряда и др. величины.

Тест 9

69. Определите понятие квазиуровня Ферми.

70. Определите понятие уровней инжекции по основным и неосновным носителям.

71. Укажите и опишите 3 основные причины появления поверхностной фотоЭДС.

72. Объясните механизм возникновения барьерной фотоЭДС при освещении поверхности полупроводника.

73. Опишите механизм возникновения фотоЭДС Дембера при освещении поверхности.

74. Объясните механизм возникновения фотоЭДС поверхностных электронных состояний при освещении поверхности.

Тест 10

75. Что такое размерные эффекты?

76. При каком условии возникает квантово-размерный эффект в тонкой пленке.

77. Что такое «уровень размерного квантования»?

78. При каких условиях и почему наблюдаются осцилляции зависимости удельного сопротивления тонких пленок от толщины.

79. Определите толщину пленки полупроводника n-типа с уровнем Ферми 0,02 эВ от потолка V-зоны и эффективной массой электрона 0.25m^*, ниже которой возможен квантово-размерный эффект.

80. Опишите классический размерный эффект по Дебаевской длине экранирования.

81. В чем выражается квантово-размерный эффект в тонкой пленке. Опишите причины его возникновения.

82. Описать размерное квантование в ОПЗ в полупроводнике.

Электронный перенос в областях пространственного заряда и тонких пленках Тест 11

83. Опишите основные причины зависмости проводимости тонких пленок в модели Фукса.

84. Каковы причины дополнительной проводимости ОПЗ в мо­нокристаллических полупроводниках?

85. Чем обусловлены изменения подвижности свободных носителей заряда в ОПЗ по сравнению с объемом полупроводника?

86. Каковы механизмы поверхностного рассеяния свободных носителей заряда в ОПЗ.

87. К каким последствиям приводит рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ поверхностными заряженными центрами>

88. Чем отличается рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ на колебаниях решетки от такового в объеме полупроводника?

89. К каким последствиям приводит рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ на микрорельефе поверхности?

Тест 12

90. Что такое эффекта поля?

91. Опишите понятие эффекта Холла в инверсионном канале?

92. Что такое квантовый эффект Холла?

93. Чем обусловлены осцилляции Шубникова - де Хааза?

8