Практическая часть 1
П
ользуясь
библиотекой Power
Electronics
в Simulink
построить модель нереверсивного ШИП
Рис. 2. Значения основных параметров
блоков Diode, Diode1, IGBT,
Series
RLC, Parallel
RLC
находятся в табл. 1.
Графики
занести
в отчет.
Для
всех вариантов конечное время расчета
Рис.2
Табл.1
Варианты: |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
0 |
|
Блок Diode |
Сопротивление Ron (Ohm) |
0.02 |
0.03 |
0.06 |
0.07 |
0.04 |
0.08 |
0.02 |
0.03 |
0.01 |
0.05 |
Индуктивность Lon (H) |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
|
Падение напряжения Vf (V) |
0.7 |
0.6 |
0.3 |
0.4 |
0.5 |
0.6 |
0.7 |
0.8 |
0.3 |
0.2 |
|
Сопротивление демпфирующей цепи Rs (Ohm) |
1.5е5' |
1.3e5’ |
1.4e5’ |
1.7e5’ |
1.2e5’ |
1.3e5’ |
1e5’ |
1.2e5’ |
1.7e5’ |
1.8e5’ |
|
Емкость демпфирующей цепи Cs (F) |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
|
Блок IGBT |
Сопротивление Ron (Ohm) |
0.02 |
0.03 |
0.06 |
0.07 |
0.04 |
0.08 |
0.02 |
0.03 |
0.01 |
0.05 |
Индуктивность Lon (H) |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
0.1е-6 |
|
Падение напряжения Vf (V) |
0.7 |
0.6 |
0.3 |
0.4 |
0.5 |
0.6 |
0.7 |
0.8 |
0.3 |
0.2 |
|
Сопротивление демпфирующей цепи Rs (Ohm) |
2.5е4' |
2.3e5’ |
2.4e4’ |
2.7e4’ |
2.2e4’ |
2.3e4’ |
2e4’ |
2.2e4’ |
2.7e4’ |
2.8e4’ |
|
Емкость демпфирующей цепи Cs (F) |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
|
Блок Series RLC |
Сопротивление R (Ohm) |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
Индуктивность L (H) |
400e-03 |
600e-03 |
100e-03 |
300e-03 |
500e-03 |
200e-03 |
400e-03 |
500e-03 |
700e-03 |
800e-03 |
|
Емкость С (F) |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
|
Блок Parallel RLC |
Сопротивление R (Ohm) |
50 |
70 |
80 |
60 |
90 |
70 |
80 |
60 |
50 |
70 |
Индуктивность L (H) |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
inf |
|
Емкость С (F) |
25e-6 |
35e-6 |
40e-6 |
30e-6 |
45e-6 |
35e-6 |
40e-6 |
30e-6 |
25e-6 |
35e-6 |
|