- •Электроника и микросхемотехника
 - •1 Аналоговая схемотехника
 - •1.1 Резисторы (сопротивления)
 - •1.2 Конденсаторы
 - •1.3 Индуктивность
 - •1.4 Диоды
 - •1.5 Биполярные транзисторы
 - •1.6 Униполярные транзисторы
 - •1.7 Тиристоры
 - •1.8 Транзисторы igbt (Ай Жи Би Ти)
 - •1.9 Сит транзисторы и сит-тиристоры
 - •1.10 Новые разработки транзисторов и тиристоров
 - •1.11 Обратные связи
 - •1.12 Операционные усилители
 - •2 Логические схемы
 - •2.1 Основные определения
 - •2.2 Диодные логические схемы
 - •2.3 Ттл логические схемы
 - •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
 - •2.5 Логика на униполярных транзисторах
 - •2.6 Логика с оптическими связями
 - •2.7 Программируемые логические интегральные схемы (плис)
 - •2.8 Обобщенная модель плис
 - •2.9 Микросхема плм (к556 рт 1)
 - •3 Триггеры
 - •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
 - •3.2 Триггеры на униполярных транзисторах
 - •3.3 Триггеры на логических элементах
 - •3.4 Синхронный rs–триггер
 - •3.5 Счетный триггер на логических элементах
 - •3.8 Интегральный шестиэлементный d–триггер тм2
 - •3.10 Прозрачные триггеры–защелки
 - •3.11 Гонки
 - •3.12 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
 - •3.13 Триггеры на тиристорах
 - •3.14 Триггеры на двухбазовых диодах
 - •3.15 Триггеры на операционных усилителях
 - •4 Генераторы импульсов
 - •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
 - •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
 - •Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме.
 - •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
 - •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
 - •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
 - •4.5 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
 - •4.6 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
 - •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме
 - •4.8 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
 - •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в автоколебательном режиме
 - •4.10 Таймеры
 - •4.11 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
 - •4.12 Генератор импульсов в автоколебательном режиме на таймере
 - •4.13 Блокинг–генераторы в ждущем режиме
 - •4.14 Блокинг–генератор в автоколебательном режиме
 - •4.15 Магнито–транзисторный преобразователь двухплечевой
 - •4.16 Схема с дополнительным трансформатором
 - •4.17 Мостовая и полумостовая схемы магнито–транзисторных преобразователей
 - •4.18 Генераторы импульсов на оу в автоколебательном режиме
 - •4.19 Генератор импульсов на оу в ждущем режиме
 - •4.20 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
 - •4.21 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
 - •5 Генераторы синусоидальных колебаний
 - •5.1 Общие определения
 - •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с lc контуром и трансформаторной ос
 - •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
 - •5.4 Rc цепи для генераторов синусоидальных колебаний
 - •5.5 Генераторы синусоидальных колебаний с r и c–параллелями
 - •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
 - •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на оу
 - •6 Цифроаналоговые и аналого–цифровые преобразователи
 - •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
 - •6.1.1 Цап с весовыми резисторами
 - •6.1.2 Цап с матрицей r–2r
 - •6.1.3 Цап с сигма–дельта модуляцией
 - •6.1.4 Цап с прямым преобразованием
 - •6.2 Аналого–цифровые преобразователи
 - •6.2.1 Следящие ацп
 - •6.2.2 Развертывающие ацп
 - •6.2.3 Ацп с регистром последовательного приближения
 - •6.2.4 Ацп с двойным интегрированием
 - •6.2.5 Ацп параллельного преобразования
 - •6.2.6 Ацп с сигма–дельта ( ) модуляцией
 - •6.2.7 Микросхема кр1108 пп–1
 - •7 Источники питания электронных устройств
 - •7.1 Общие определения
 - •7.2 Выпрямители
 - •7.3 Параметрические стабилизаторы напряжения
 - •7.4 Компенсационные стабилизаторы напряжения
 - •7.5 Импульсные стабилизаторы напряжения
 - •7.6 Импульсные корректоры коэффициента мощности
 
Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме.
Вышеназванные мультивибраторы образуются из схемы триггера путём замены обеих резистивных связей на емкостные (рисунок 4.6).
Рисунок 4.6 — Схемы мультивибраторов на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
В схеме, изображенной на рисунке 4.6, а), генерируются не совсем прямоугольные импульсы, так как отсутствуют диодные ключи. Во второй схеме (рисунок 4.6, б) генерируются прямоугольные импульсы. Если резисторы и конденсаторы С1, R1 и C2, R2 одинаковы, то генерируется меандр. Если их величины отличаются, то вершины и основания импульсов будут различной длины.
Процессы начала
генерации объясняются следующим образом.
Один из транзисторов всегда отличается
от другого. При включении напряжения
питания, например, VT1
открывается и сохраняет открытое
состояние, но не бесконечно
долгое время, как в триггере, а пока
заряжается емкость С2 по цепи: 
в схеме рисунка 4.6, а). Транзистор VT2
закрыт.
Заряд нарастает
по экспоненте; зарядный ток становится
минимальным, следовательно, VT1
скачком закрывается. Напряжение на
коллекторном электроде возрастает,
образуется цепь заряда С1, а именно  
,
и т. д., что соответствует автоколебательному
режиму. 
Расчетные соотношения аналогичны триггеру.
В ждущем режиме производят следующие действия (рисунок 4.2):
1 Выбираются транзисторы; основанием для их выбора являются цена, наличие, параметры и координаты, которые необходимо снять со схемы.
2 Производится построение семейства выходных характеристик, откладывается напряжение питания , проводится нагрузочная прямая.
3 Резистор 
(базы 1) рассчитывается из соотношения
1:10, т.е. 
.
Резистор 
принимается не менее чем в 10 раз больше
чем 
.
Физический смысл здесь заключается в
том, что ток, ответвляющийся в цепь
смещения, должен быть на порядок меньше
по сравнению с базовым током VT1.
4 Параметры
времязадающей цепи рассчитываются
соотношением 
.
Должно быть известно значение величины
 
.
Выбрав величину
емкости , рассчитываем сопротивление
(или наоборот). 
5 Диоды выбираются по току и напряжению.
4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
На рисунке 4.7 приведена схема ждущего мультивибратора на униполярных транзисторах.
Рисунок 4.7 — Схема ждущего мультивибратора на униполярных транзисторах
После включения напряжения питания образуются две почти равноценные цепи:
и  
.
Тем не менее, открывается  транзистор
VT2
и в этом состоянии он находится в режиме
ожидания, а VT1
закрыт. Конденсатор С в режиме ожидания
разряжен, так как слева от него находится
сток закрытого транзистора VT1
(напряжение +Е0),
справа тоже напряжение +Е0,
потому что
между затвором и истоком VT2
изоляция.
Выключенное состояние VT1 и включенное VT2 наблюдается потому, что между стоком VT1 слева и затворной цепью VT2 справа находится разрыв по постоянному току в режиме ожидания через конденсатор С. Для данных транзисторов входная характеристика имеет вид, представленный на рисунке 4.8.
Рисунок 4.8 — Входная характеристика
Подобная
характеристика носит название “правой”,
так как она расположена в правом поле
рисунка. Есть зона нечувствительности
– 
(от десятых
долей вольта до нескольких вольт). Далее
следует участок обогащения. Открытый
транзистор VT2
находится в положении точки 1. Для того,
чтобы его закрыть, необходимо подать
напряжение, способное переместить
рабочую точку влево, т.е. в направлении
отрицательной полярности. Значит, диод
на схеме (см. рисунок 4.7) должен иметь
направление “влево”.
После подачи
импульса запуска VT2
закрывается, а VT1
открывается. Образуется цепь заряда
конденсатора С:  
.
Заряд происходит по экспоненте,
следовательно плюсовая полярность
напряжения справа на конденсаторе С
нарастает. Спустя некоторое время, когда
это напряжение превысит 
,
VT2
открывается скачком, VT1
закрывается. Генерация импульса
заканчивается. 
Расчет длительности импульса производится по типовой формуле:
,
где 
,
причем задаются величиной 
,
рассчитывая С при заданной длительности.
Другие величины: 
по рисунку 4.8.
