1.1.3 Вопросы для самоконтроля:

1.Охарактеризуйте модель атома Резерфорда – Бора. 2.Дайте определение энергетическим уровням? 3.Что происходит, когда электрон переходит с более высокого энергетического уровня на более низкий? 4.Дайте определения понятиям «зона проводимости», «валентная зона», «запрещенная зона».

5. Чему равна ширина запрещенной зоны? 6.Охарактеризуйте металлы, полупроводники и диэлектрики в соответствии с зонными энергетическими диаграммами . 7.Что собой представляет пространственная кристаллическая решетка Ge, Si?

8. Что представляют собой полупроводники?

9.Чем обусловлена электронная электропроводность в полупроводниках?

10.Возможна ли дырочная электропроводность в металлах, и почему?

11.Объясните принцип дырочной электропроводности.

12.Объясните электропроводность полупроводников с точки зрения их энергетической структуры? 13. Что понимается под генерацией носителей заряда?

14. Что понимается под рекомбинацией носителей заряда? 15. Что называется током дрейфа? 16. Какой полупроводник называют собственным?

17.Приведите выражение для плотности полного тока в собственном полупроводнике и охарактеризуйте его.

18. Чему равна удельная проводимость собственного полупроводника? 19. Определите полную удельную проводимость Ge при комнатной температуре? 20. Почему с повышением температуры проводимость собственного полупроводника растет, а у металлов уменьшается?

21.Чему равна плотность электронного тока собственного полупроводника?

22.Что называют подвижными носителями заряда? 23.От чего зависит сопротивление полупроводников?

24.Запишите формулу для плотности дырочного тока собственного полупроводника.

25.Охарактеризуйте выражение вида: J_дp =n_iq_nE +р_iq_рE = (_n+_р)Е .