Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лаб.практикум по физике приборов.doc
Скачиваний:
28
Добавлен:
08.11.2019
Размер:
814.08 Кб
Скачать

IV. Задание

1. На лазерном эллипсометре ЛЭМ-1 измерить оптические константы диэлектрической пленки  и , по ним, согласно номограмме, определить толщину пленки диэлектрика.

2. Измерить высокочастотные вольт-фарадные характеристики тестовой МДП-структуры.

3. Построить экспериментальные вольт-фарадные характеристики в нормированных единицах СЭКС0 и найти величину диэлектрической проницаемости пленки Д, или его толщину.

4. Рассчитать теоретическую вольт-фарадную характеристику СТЕОРД и построить в тех же координатах, что и СЭКСД.

5. По виду экспериментальных ВФХ и сдвигу между экспериментальной к теоретической кривыми определить тип проводимости исходного полупроводника и полный заряд поверхностных состояний, рассчитав ФMS.

6. Определить минимальную емкость полупроводника СS, а из нее уровень легирования.

7. Измерить низкочастотные вольт-фарадные характеристики и найти отношение (СНЧД) мин., по которым определить концентрацию поверхностных состояний NПС.

8. Все полученные экспериментальные данные заносятся в таблицы, по которым затем строятся графики.

V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности

При выполнении работы следует руководствоваться указаниями по технике безопасности, приведенными на стр. 3-5.

Получить у преподавателя тестовую структуру или полевой МДП транзистор. Для тестовой структуры провести измерения оптических констант на лазерном эллипсометре ЛЭМ-1. Порядок работы на лазерном эллипсометре и указания по технике безопасности на­ходятся на рабочем месте. После проведения оптических измерений установить образец на предметный столик и с помощью манипулято­ра совместить тестовую структуру с контактной иглой. Не опуская иглы на структуру, произвести начальную настройку моста Л2-7 и генератора ГКЗ-40. Для этого необходимо разъем кабеля манипуля­тора подключить ко входу измерительного моста Л2-7 и провести установку начального баланса с помощью соответствующих ручек. Частота тестового сигнала устанавливается переключателем «часто­та MГц» генератор ГКЗ-40.

Измеритель Л2-7 должен быть подготовлен к начальной настройке, все ручки, относящиеся к измерению емкости или проводимости переводятся в «0» положение. Начальная настройка Л2-7 начинается с настройки на частоту тестового сигнала с помощью переключателя диапазонов и ручки «частота МГц». Настройка производится на ре­зонанс, который фиксируется двумя индикаторами грубого и тонкого резонанса, расположенными с левой стороны измерителя. Чувстви­тельность настройки регулируется ручкой «усиление». После предва­рительной настройки на рабочую частоту, ручками начального балан­са с помощью тех же индикаторов устанавливается резонанс началь­ного баланса. Установив начальный баланс, можно производить из­мерение испытуемой емкости. Для этого игла манипулятора опускается на металлический контакт тестовой структуры. Происходит разба­ланс моста, который затем устраняется с помощью ручек отсчетного устройства грубой и тонкой регулировки. Диапазон измеряемой емкости задается с помощью множителей. Постоянное смещение на тес­товую структуру подается так же от генератора ГКЗ-40. Величина смещения задается переключателем диапазонов и ручкой плавной ре­гулировки UК. На индикаторном приборе фиксируется величина этого смещения.

Постоянный ток, протекающий через структуру, фиксируется индикаторным прибором IК. Вo все время измерения ток должен быть минимальным. Только неисправность структура (например, пробой) приводит к заметному току. Полярность сигнала задается переклю­чателем p-n-p или n-p-n (обозначения определяются основным применением установки, предназначенной для измерения емкостей и проводимостей биполярных транзисторов).

Измерение низкочастотной характеристики МДП-структуры про­водятся согласно инструкции, находящейся на рабочем месте.