
- •Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем Раздел: Полевые транзисторы
- •Часть II
- •Аннотация
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
- •III. Описание измерительной установки
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
- •VI. Литература
- •VII. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Таким образом, с помощью анализа реальных вольт-фарадных характеристик мдп-структур и сравнения их с идеальными можно определить:
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •Основные параметры мдп-структуры
- •Экспериментальные значения емкости мдп-структуры
- •VIII. Контрольные вопросы
- •II. Введение
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VII. Контрольные вопросы
- •I. Цель работы
- •II. Введение Физические ограничения предельной частоты полевого транзистора
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VIII. Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
- •Содержание
- •Часть II
IV. Задание
1. На лазерном эллипсометре ЛЭМ-1 измерить оптические константы диэлектрической пленки и , по ним, согласно номограмме, определить толщину пленки диэлектрика.
2. Измерить высокочастотные вольт-фарадные характеристики тестовой МДП-структуры.
3. Построить экспериментальные вольт-фарадные характеристики в нормированных единицах СЭКС/С0 и найти величину диэлектрической проницаемости пленки Д, или его толщину.
4. Рассчитать теоретическую вольт-фарадную характеристику СТЕОР/СД и построить в тех же координатах, что и СЭКС/СД.
5. По виду экспериментальных ВФХ и сдвигу между экспериментальной к теоретической кривыми определить тип проводимости исходного полупроводника и полный заряд поверхностных состояний, рассчитав ФMS.
6. Определить минимальную емкость полупроводника СS, а из нее уровень легирования.
7. Измерить низкочастотные вольт-фарадные характеристики и найти отношение (СНЧ/СД) мин., по которым определить концентрацию поверхностных состояний NПС.
8. Все полученные экспериментальные данные заносятся в таблицы, по которым затем строятся графики.
V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
При выполнении работы следует руководствоваться указаниями по технике безопасности, приведенными на стр. 3-5.
Получить у преподавателя тестовую структуру или полевой МДП транзистор. Для тестовой структуры провести измерения оптических констант на лазерном эллипсометре ЛЭМ-1. Порядок работы на лазерном эллипсометре и указания по технике безопасности находятся на рабочем месте. После проведения оптических измерений установить образец на предметный столик и с помощью манипулятора совместить тестовую структуру с контактной иглой. Не опуская иглы на структуру, произвести начальную настройку моста Л2-7 и генератора ГКЗ-40. Для этого необходимо разъем кабеля манипулятора подключить ко входу измерительного моста Л2-7 и провести установку начального баланса с помощью соответствующих ручек. Частота тестового сигнала устанавливается переключателем «частота MГц» генератор ГКЗ-40.
Измеритель Л2-7 должен быть подготовлен к начальной настройке, все ручки, относящиеся к измерению емкости или проводимости переводятся в «0» положение. Начальная настройка Л2-7 начинается с настройки на частоту тестового сигнала с помощью переключателя диапазонов и ручки «частота МГц». Настройка производится на резонанс, который фиксируется двумя индикаторами грубого и тонкого резонанса, расположенными с левой стороны измерителя. Чувствительность настройки регулируется ручкой «усиление». После предварительной настройки на рабочую частоту, ручками начального баланса с помощью тех же индикаторов устанавливается резонанс начального баланса. Установив начальный баланс, можно производить измерение испытуемой емкости. Для этого игла манипулятора опускается на металлический контакт тестовой структуры. Происходит разбаланс моста, который затем устраняется с помощью ручек отсчетного устройства грубой и тонкой регулировки. Диапазон измеряемой емкости задается с помощью множителей. Постоянное смещение на тестовую структуру подается так же от генератора ГКЗ-40. Величина смещения задается переключателем диапазонов и ручкой плавной регулировки UК. На индикаторном приборе фиксируется величина этого смещения.
Постоянный ток, протекающий через структуру, фиксируется индикаторным прибором IК. Вo все время измерения ток должен быть минимальным. Только неисправность структура (например, пробой) приводит к заметному току. Полярность сигнала задается переключателем p-n-p или n-p-n (обозначения определяются основным применением установки, предназначенной для измерения емкостей и проводимостей биполярных транзисторов).
Измерение низкочастотной характеристики МДП-структуры проводятся согласно инструкции, находящейся на рабочем месте.