
- •Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем Раздел: Полевые транзисторы
- •Часть II
- •Аннотация
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
- •III. Описание измерительной установки
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
- •VI. Литература
- •VII. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Таким образом, с помощью анализа реальных вольт-фарадных характеристик мдп-структур и сравнения их с идеальными можно определить:
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •Основные параметры мдп-структуры
- •Экспериментальные значения емкости мдп-структуры
- •VIII. Контрольные вопросы
- •II. Введение
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VII. Контрольные вопросы
- •I. Цель работы
- •II. Введение Физические ограничения предельной частоты полевого транзистора
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VIII. Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
- •Содержание
- •Часть II
Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
и при максимальном значении крутизны на участке насыщения
Максимальная частота определяется как частота, при которой коэффициент однонаправленного усиления по мощности становится равным единице
RЗ – сопротивление затвора;
RИ – омическое сопротивление истока;
RВХ
– входное сопротивление, определяется
как дифференциальное сопротивление
RК – входное сопротивление канала; (RК=1/gК)
СЗС – емкость перехода затвор-сток.
Электрическая эквивалентная схема полевого транзистора с p-n переходом представлена на рис. 7.
III. Описание измерительной установки
Измерение вольт-амперных характеристик полевых транзисторов проводятся на установке Л2-31. Установка обеспечивает измерение тока в цепи стока в пределах 0,150 мА, измерение напряжения отсечки в пределах 0,330 В при токе стока 10 и 1000 мкА, а также имеется возможность измерения при токе стока 1 мкА. Пределы измерения выходной дифференциальной проводимости лежат в интервале от 2 до 1000 мкСм, а измерения токов утечки от 3.10-13 до 10-5 А.
IV. Задание
1. Получить у лаборанта полевой транзистор и по справочнику найти его параметры и схему распределения выводов. Определить полярность напряжений UC и UЗ. Параметры и расположение выводов занести в лабораторный журнал.
2. Снять семейство выходных характеристик транзистора для пяти различных величин напряжения на затворе от 0,3 В до –0,9 В через 0,3 В по 10 значениям напряжения на стоке UC, обеспечивающим наличие линейного и пологого участков ВАХ.
3. Измерить величину напряжения отсечки UОТС при напряжении на стоке UC=5 В и токе стока 1 мкА.
4. Измерить величину тока затвора при напряжении стока UC=5 В и напряжении затвора UЗ = -0,5 В.
5. Построить зависимость крутизны от напряжения на стоке по 6 точкам по статической вольт-амперной характеристике полевого транзистора при UЗ = 1 В.
6. Построить зависимость крутизны от напряжения на затворе по расстоянию IСТ между статическими вольт-амперными характеристиками для различных UЗ при напряжении стока UC=5 В.
7. Результаты измерений и вычислений должны быть представлены в виде таблиц и графиков на миллиметровой бумаге или в виде компьютерной распечатки после соответствующей обработки графическим редактором.
8. Определить оптимальный режим работы полевого транзистора с целью получения максимальной крутизны.
9. Оценить погрешность измерений.
V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
При выполнении работы следует руководствоваться указаниями по технике безопасности приведенными на стр. 3-5.
1. Установить исследуемый транзистор в колодку, закрыть экранирующим колпачком. При установке колпачка должен быть слышен щелчок предохранительного микровыключателя, позволяющего отключать цепь затвора от питающего напряжения при установке или снятии транзистора.
2. Измерение напряжения отсечки:
переключатель «ПАРАМЕТРЫ» поставить в положение «U0»;
в измерительном блоке установить переключатели «EC», «+», «ЕЗ», «-» в соответствующие положения;
на измерительном блоке установить переключатель «мкА» в положение «уст 0»;
регулировкой ручки «уст 0» установить нуль или минимальное отклонение стрелки индикатора измерительного блока;
переключатель «мкА» поставить в положение «1», «10» или «100» в зависимости от требуемого уровня тока стока, на котором фиксируется «U0»;
в измерительном блоке установить требуемые полярности напряжений питания «ЕП» и «ЕС»;
на блоке режимов установить необходимые величины питающих напряжений «ЕП» и «ЕС»;
в измерительном блоке переключатель «V» поставить в такое положение, при котором предполагается произвести отсчет UОТС.
Снять показания прибора.
3. Подготовка к измерению тока стока:
переключатель «ПАРАМЕТРЫ» поставить в положение «IС»;
в измерительном блоке установить требуемые полярности напряжений питания «ЕЗ», «ЕП» и «ЕС»;
на блоке режимов установить необходимые величины питающих напряжений «ЕЗ», «ЕП» и «ЕС».
Снять показания прибора.
Показания прибора при измерении представить в следующем виде:
|
UЗ = 0 В |
UЗ = 0,5 В |
UЗ = 1 В |
UЗ = 1,5 В |
UЗ = 2 В |
UC, В |
IСТ, мкА |
IСТ, мкА |
IСТ, мкА |
IСТ, мкА |
IСТ, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|