
- •Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем Раздел: Полевые транзисторы
- •Часть II
- •Аннотация
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
- •III. Описание измерительной установки
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
- •VI. Литература
- •VII. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Таким образом, с помощью анализа реальных вольт-фарадных характеристик мдп-структур и сравнения их с идеальными можно определить:
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •Основные параметры мдп-структуры
- •Экспериментальные значения емкости мдп-структуры
- •VIII. Контрольные вопросы
- •II. Введение
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VII. Контрольные вопросы
- •I. Цель работы
- •II. Введение Физические ограничения предельной частоты полевого транзистора
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VIII. Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
- •Содержание
- •Часть II
Содержание
ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ТЕХНИКИ БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ВЫПОЛНЕНИИ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ………………………………………………………………..3
Лабораторная работа 7. Изучение статических вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с затвором в виде p-n перехода и барьера Шоттки………………………………………………………….5
Лабораторная работа 8. Исследование Вольт-фарадных характе-
ристик структур металл-диэлектрик полупроводник…………………………………………….21
Лабораторная работа 9. Изучение статических вольт-амперных характеристик полевых МДП-транзисторов……43
Лабораторная работа 10. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЕ………………………………………………………….66
ПРИЛОЖЕНИЕ……………………………………………………………………………..84
Геннадий Иосифович КОЛЬЦОВ
Николай Николаевич Горюнов
Сергей Иванович ДИДЕНКО
ТЕОРИЯ И РАСЧЕТ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Раздел: Приборы с МДП-структурой
Часть II
Лабораторный практикум
Рецензент: А.П.Коровин
Заказ Объем 37 с. Тираж экз.
Цена «С» Регистрационный номер
Московский институт стали и сплавов, 117936, Москва, В-49,
Ленинский проспект,4
Ротапринт Московского института стали и сплавов, Шаболовка,3