- •Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем Раздел: Полевые транзисторы
- •Часть II
- •Аннотация
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
- •III. Описание измерительной установки
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
- •VI. Литература
- •VII. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Таким образом, с помощью анализа реальных вольт-фарадных характеристик мдп-структур и сравнения их с идеальными можно определить:
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •Основные параметры мдп-структуры
- •Экспериментальные значения емкости мдп-структуры
- •VIII. Контрольные вопросы
- •II. Введение
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VII. Контрольные вопросы
- •I. Цель работы
- •II. Введение Физические ограничения предельной частоты полевого транзистора
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VIII. Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
- •Содержание
- •Часть II
VIII. Контрольные вопросы
1. Какими физическими процессами ограничивается быстродействие полевого транзистора?
2. Какими элементами отражается граничная частота на эквивалентной схеме полевого транзистора?
3. Каков метод измерения крутизны полевого транзистора на высокой частоте?
4. Каков метод измерения емкостей полевых транзисторов?
5. Как зависит граничная частота от тока стока? Объясните эту зависимость.
6. Как зависит входная емкость МДП-транзистора от напряжения на затворе? Объясните эту зависимость.
7. Как зависит входная емкость транзистора с управляющим переходом от напряжения на затворе? Объясните эту зависимость.
8. Почему выходная емкость полевого транзистора зависит от напряжения на стоке?
9. Как оценить статическую крутизну транзистора по сток-затворной характеристике?
Литература
1. Пасынков В.В., Чиркин Л.K., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. -М.: Высшая школа, I98I, с.268-287.
2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. -М.: Энергоатомиздат, I990, с.299-322.
Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
Тип транзистора |
КП301 Б;В;Г р-канал |
КП304 А р-канал |
КП305 Д;Е; И n-канал |
КП313 А;Б;В n-канал |
КП901 А;Б n-канал |
КП902 А;Б,В n-канал |
КП904 А;Б n-канал |
UЗСМАКС, В |
15; 15; 15 |
30 |
15; 15; 15 |
15; 15; 15 |
85; 85 |
30; 30; 30 |
90; 90 |
UСИМАКС, В |
20; 20; 20 |
25 |
15; 15; 15 |
15; 15; 15 |
70; 70 |
50; 50; 50 |
70; 70 |
IС.НАЧ, мА (UСИ, В) |
5.10-4(15); 5.10-4(15); 5.10-4(15) |
2.10-4(25) |
________ |
_________ |
200(20); 200(20) |
10(50); 10(50); 15(50) |
70(20); 70(20) |
UЗИ.ОТС, В (UСИ=10В, IC=10мкА) |
4,2; 4,2; 4,2 |
5 |
6; 6; 6 |
6; 6; 6 |
________ |
_________ |
________ |
S, мА/В |
1; 2; 0,5 |
4 |
5-10; 4-8; 4-10 |
4-10; 4-10; 4-10 |
50; 60 |
19; 25; 14 |
390; 390 |
IЗ.УТ, нА (UЗ, В не более) |
0,3(30); 0,3(30); 0,5(30) |
20(30) |
1(15); 0,005(15); 1(15) |
10(10); 10(10); 10(10) |
_________ |
0,05(30); 0,05(30); 0,05(30) |
_________ |
С11U, пФ не более |
3,5; 3,5; 3,5 |
9 |
5; 5; 5 |
7; 7; 7 |
_________ |
6,5; 6,5; 6,5 |
_________ |
С12U, пФ не более |
1; 1; 1 |
2 |
0,8; 0,8; 0,8 |
0,9; 0,9; 0,9 |
15; 15 |
0,5; 0,5; 0,5 |
_________ |