
- •Вопрос 1
- •Вопрос 2
- •Вопрос 3
- •Вопрос 4
- •Вопрос 5
- •Вопрос 6
- •Вопрос 7
- •Вопрос 8
- •Вопрос 9
- •Вопрос 10
- •Вопрос 11
- •Вопрос 12
- •Вопрос 13
- •Вопрос 14
- •Вопрос 15
- •Вопрос 16
- •Вопрос 17
- •Вопрос 18
- •Вопрос 19
- •Вопрос 20
- •Вопрос 21
- •Вопрос 22
- •Вопрос 23
- •Вопрос 24
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора
- •Вопрос 25
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •Вопрос 26
- •Вопрос 27
- •Вопрос 28
- •Вопрос 29
- •Вопрос 30
- •Вопрос 31
- •Вопрос 32
- •Вопрос 33
- •Вопрос 34
- •Вопрос 35
- •Вопрос 36
- •Вопрос 37
- •Вопрос 38
- •Вопрос 39
- •Вопрос 40
- •Вопрос 41
- •Вопрос 42
- •Вопрос 43
- •Вопрос 44
- •Вопрос 45
- •Вопрос 46
- •Вопрос 47
- •Вопрос 48
- •Вопрос 49
- •Вопрос 50
- •Вопрос 51
- •Вопрос 52
- •Вопрос 53
- •2. Схема с оэ.
- •3. Схема с ок
- •Вопрос 54
- •Вопрос 55
- •Вопрос 56
- •Вопрос 57
- •Вопрос 58
- •Вопрос 59
- •Вопрос 60
- •Вопрос 61
- •Вопрос 62
- •Вопрос 63
- •Вопрос 64
- •Вопрос 65
- •Вопрос 66
- •Вопрос 67
- •Вопрос 69
- •Вопрос 70
- •Вопрос 71
- •Вопрос 72
- •Вопрос 74
- •Вопрос 77
- •Вопрос 76
- •Вопрос 75
- •Вопрос 78
- •Вопрос 79
- •Вопрос 80
- •Вопрос 81
- •Вопрос 82
- •Вопрос 83
- •Вопрос 84
- •Вопрос 85
- •Вопрос 86
- •Вопрос 87
- •Вопрос 88
- •Вопрос 89
- •Вопрос 90
Вопрос 32
Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
Они
основаны на представлении транзистора
в виде
четырехполюсника, который может быть
охарактеризован
одной из шести систем уравнений,
связывающих между собой
входные и выходные токи и напряжения.
Чаще всего используются следующие три
системы уравнений в которых Y,Z,H
являются параметрами.
Наиболее широко используется система H- параметров т.к. они наиболее удобны для измерений. Система уравнений, устанавливающая связь токов и напряжений с H-параметрами, имеет вид:
где
- входное сопротивление транзистора
при коротком замыкании на выходе для
переменной составляющей тока;
–
коэффициент
обратной связи по напряжении при
холостом ходе на входе для переменной
составляющей тока;
– коэффициент
передачи по току при коротком замыкании
на выходе;
–
выходная
проводимость транзистора при холостом
ходе на входе для переменной составляющей
тока.
Поскольку h-параметры измеряются наиболее просто, то они наиболее часто, приводятся в технических условиях и справочниках по транзисторам.
Значения h-параметров зависят от схемы включения транзистора, поэтому в обозначении параметров вводится третий индекс («Б», «Э», «К»).
Формальные
схемы замещения составляют по основным
уравнениям четырехполюсника. Схемы
замещения транзистора для систем Z, Y и
H-параметров показаны на рис. .
Покажем связь между h-параметрами формальной схемы замещения (рис. ) транзистора для схем с ОБ и ОЭ с параметрами физических схем замещения (рис. и рис. ).
h11б = rэ диф+rб(1- ) ; h11э = rб+ rэ диф(+1);
h21б= rк диф/(rк диф+rб) = ; h21э = rк диф/(rк диф+rэ диф) = ;
h12б= rб/(rк диф+rб) = rб/rк диф ; h12э = (+1) rк диф/rэ диф ;
h22б= 1/(rк диф+rб) = 1/rк диф ; h22э = (+1) /rк диф = 1/ r*к диф.
Методика графического определения h – параметров транзистора
Располагая вольт–амперными характеристиками транзистора, можно графическим путем определить низкочастотные значения h-параметров. Для определения h-параметры необходимо задать рабочую точку, например А (IбА, UкэА), в которой требуется найти параметры.
Параметры h11э и h12э находят по входной характеристики Uбэ =1(Iб)|Uкэ=const.
Определим
h11э
для заданной рабочей точки А (IбА,
UкэА).
На входной характеристике находим
точку А, соответствующую заданной
рабочей точке (рис.9). Выбираем вблизи
рабочей точки А две вспомогательные
точки А1
и А2
(приблизительно
на одинаковом расстояние), определим
по ними Uбэ
и Iб
и рассчитаем входное дифференциальное
сопротивление, по формуле:
h11э=(Uбэ /Iб)|Uкэ=const.
Приращения Uбэ и Iб выбираю так, чтобы не выходить за пределы линейного участка, их можно примерно принять за (10-20)% от значений рабочей точки.
Графическое определение параметра h12э = Uбэ /Uкэ затруднено, так как семейство входных характеристик при различных Uкэ0 практически сливается в одну (рис.7,а).
П
араметры
h22э
и h21э
определяются из семейства выходных
характеристик транзистора Iк=1
(Uкэ)
(рис.10).
Параметр h21э= (Iк /Iб) )|Uкэ=const. находится в заданной рабочей точки А (IбА, UкэА). Приращение тока базы Iб следует брать вблизи выбранного значения тока базы IбА|Uкэ=UкэА, как Iб=Iб2 –Iб1. Этому приращению Iб соответствует приращение коллекторного тока Iк = Iк2 –Iк1.. Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы рассчитаем по формуле h21э= (Iк /Iб) )|Uкэ=const..
П араметр h22э=(Iк/Uкэ)Iб=const определяется по наклону выходной характеристики (рис.10) в заданной рабочей точки А (IбА, UкэА), где Uкэ|Iб = IбА =Uк2 –Uк1–приращение коллекторного напряжения, вызывающие приращение коллекторного тока I*к. При этом из семейства выходных характеристик следует выбирать ту характеристику, которая снята при выбранном значение тока базы Iб=IбА.
Если рабочая точка не совпадает ни с одной траекторией приведенной на графике, то такую траекторию надо провести самостоятельно, между и по аналогии с соседними, значения тока базы которых известно, и присвоить ей значение тока базы равное IбА.