52 Строение реальных кристаллов. Классификация дефектов кристаллических решеток.

Реальные кристаллы никогда не имеют идеально правильной кристаллической решётки. Правильное расположение атомов в пространстве в той или иной степени нарушается из-за тепловых колебаний. В кристаллах всегда имеются химические нарушения в виде инородных примесных атомов. Т.о, в реальных условиях крист решётка никогда не бывает совершенной, есть всегда дефекты. Геометрич признаки классификации дефектов, по кот дефекты разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3) поверхностные. Точечные имеют размеры, близкие к размерам атомов. ТД образуются в процессе кристаллизации под воздействием тепловых, механич, электрич воздействий; при облучении нейтронами, электронами, рентгеновскими лучами. Типы ТД: а) вакансии; б) межузельные атомы (дислоцированные); в) примесные атомы. РИС тетр!!! Вакансии и межузельные атомы могут возникать при  t, выше абсолютного 0К.  t соответствует своя концентрация вакансий. Из всех точечных дефектов вакансия явл самой важной, т.к. именно они способствуют перемещению атомов внутри кристаллов и за это отвечают (т.е. происходит диффузия). Т.е. присутствие вакансий объясняет возможность диффузии – перемещение атомов на расстояния, превышающие средние межатомные расстояния для данного М. Перемещение атомов осуществляется путём обмена местами с вакансиями. Различают самодиффузию (перемещения атомов не изменяют их концентрацию в отдельных объёмах) и гетеродиффузию (перемещения атомов сопровождаются изменением концентрации; хар-на для сплавов с высоким содержанием примесей). Влияние: Все виды ТД приводят к локальным изменениям межатомных расстояний и  искажают крист решётку. При этом  сопротивление решётки дальнейшему смещению атомов, что способствует упрочнению кристаллов и  их электросопротивление. ТД влияют в определённой мере на физич св-ва. В технически чистых М ТД  электрич сопротивление. На механич св-ва ТД влияют мало.

53. Твердые растворы.Типы твердых растворов.

Тв растворами наз-ся фазы, в кот 1 из компонентов (растворитель) сохраняет свою крист решётку, а атомы др (растворяемых) компонентов располагаются в его решётке, искажая её. Тв р-ры образуются в том случае, когда атомы разных эл, смешиваясь в разных соотношениях, способны образовать общую кристаллическую решётку. При этом общей крист решёткой явл решётка 1 из компонентов. Компонент, на основе крист решётки кот образуется тв р-р, наз-ся растворителем. Тв р-ры явл кристаллическими фазами переменного состава. Виды тв р-в: а) замещения; б) внедрения. а) Тв р-ры замещения образуются при замещении атомами растворённого компонента в крист решётке атомов растворителя. Тв р-ры замещения могут быть ограниченными и неограниченными  кол-во замещённых атомов может изменяться в широких пределах. Неогранич р-ры образуются в тех случаях, когда компоненты могут замещать друг друга в крист решетке в  количественных соотношениях. Образование неогранич р-в – явление достаточно нечастое. И это может произойти тлк при выполнении след условий: 1) оба компонента должны иметь одинаковый тип крист решётки; 2) различие в атомных размерах компонентов не должно превышать 15%; 3) оба компонента должны иметь близкие ионизационные св-ва. Если хотя бы 1 из этих усл не выполняется, то растворимость будет ограничена. Кроме того, эти условия необх, но не всегда достаточны. б) Тв р-ры внедрения образуются путём размещения атомов растворённого компонента м/у узлами компонента крист решётки растворителя. Такие тв р-ры возникают при сплавлении переходных М с неМ, имеющими малые атомные размеры – Н, N, C, B. . Тв р-ры внедрения всегда ограничены. Образование тв р-в внедрения сопровождается параметров крист решётки и её искажением.