
- •Собственная и примесная проводимость полупроводников , типы электрических переходов.
- •2. Образование и параметры p-n переходов.
- •4. Виды пробоя в p-n переходе
- •6. Выпрямительные диоды, их параметры , разновидности и сравнительные свойства.
- •7. Стабилитроны и стабисторы
- •8. Высокачастотные диоды.
- •9. Импульсные , днз, туннельные и обращенные диоды
- •10.Диоды с барьером Шотки.
- •11. Варикапы.
- •12. Диод свч
- •14. Устройство и принцип действия бт
- •15. Режимы работы бт Нормальный активный режим
- •Инверсный активный режим
- •Режим насыщения
- •Режим отсечки
- •Барьерный режим
- •16. Токораспределение
- •18. Эквивалентные схемы бт, их разновидности.
- •19. Схемы включения транзистора с об, оэ, ок
- •20. Статические вах транзистора с об и оэ
- •21. Транзистор как четырехполюсник, z,y,h параметры.
- •22. Определение н-параметров биполярного транзистора сравнение по статическим характеристикам.
- •24. Частотные свойства бт, способы улучшения быстродействия.
- •26. Особенности работы бт в режиме переключения.
- •27. Зависимость параметров и характеристик бт от температуры
- •29. Устройство и принцип действия пт с управляющим p-n переходом , их статические характеристики.
- •30. Определение параметров пт по статическим характеристикам
- •31. Классификация пт, характеристики , сравнение с бт
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •32. Пт с изолированным затвором и индуцированным каналом.
- •33. Пт с изолированным затвором и встроенным каналом.
- •35. Тиристоры, диодные и триодные, принцип действия, основные параметры и характеристики. Симисторы.
- •36. Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы, фотодиоды,
- •37.Индикаторные прибры. Светодиоды, электролюминисцентные конденсаторы, жки, элт, газоразрядные индикаторы.
- •38.Оптроны, их разновидности, сравнительные характеристики.
- •39.Основные компоненты ис:диоды транзисторы, пассивнее элементы(резисторы, конденсаторы, индуктивности).
- •40.Электровакуумные приборы. Виды электронной эмиссии, разновидности катодов.
- •41. Электровакуумный диод, назначение, устройство. Вах-диода, закон степени 3/2. Параметры.
- •42.Электровакуумный триод, назначение, характеристики и параметры. Закон 3/2, недостатки
- •43 Тетроид. Динатронный эффект и методы его устранения.
- •44.Пентоды, назначение третьей сетки, статические характеристики,разновидности пентодов и изх назначение.
6. Выпрямительные диоды, их параметры , разновидности и сравнительные свойства.
Выпрямительные диоды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований.[источник не указан 168 дней]
Основные параметры выпрямительных диодов:
среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;
средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;
допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;
средний прямой ток Iпр.ср.;
частота без снижения режимов.
Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, предельная частота выпрямительных диодов не превышает 20 кГц.
По максимально допустимому среднему прямому току диоды делятся на три группы: диоды малой мощности (Iпр.ср. ≤ 0,3 А), диоды средней мощности (0,3 А < Iпр.ср. < 10 А) и мощные (силовые) диоды (Iпр.ср. ≥ 10 А).
7. Стабилитроны и стабисторы
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который используется для стабилизации напряжения.
Стабистором называется полупроводниковый стабилитрон, в котором областью стабилизации является прямая ветвь вольт-амперной характеристики.
Для предотвращения перехода лавинного пробоя в тепловой и ограничения тока необходимо последовательно с диодом включать резистор.
Промышленность выпускает стабилитроны
малой мощности (КС133, КС168, Д818, Д223С);
средней мощности (Д814, Д817, 2С920 и др.);
большой мощности (СК-50, 5,6/4000;Д 815А и др.);
стабилитроны селеновые (7ГЕ1А-С и др. для цепей смещения, как маломощные выпрямители и.т.п.).
Важным параметром стабилитронов является температурный коэффициент прямого напряжения ТКПН. При малых токах он составляет около 2 мВ/град., при увеличении тока снижается до 1.4 мВ/град. Низковольтные стабилитроны и стабисторы имеют отрицательный ТКПН, высоковольтные – положительный. Включая несколько стабилитронов в комбинации можно компенсировать температурные изменения напряжения стабилизации.
Температурный
коэффициент напряжения стабилитрона
определяется отношением относительного
изменения напряжения стабилизации
к
абсолютному изменению температуры
окружающей среды
8. Высокачастотные диоды.
Высокочастотный диод применяется для линейных или нелинейных преобразований высокочастотных сигналов до 600 МГц. (СВЧ диоды - до 12 ГГц.) Он используется в схемах детекторов — это выпрямители высокочастотных сигналов.
Для нормальной работы, чтобы сохранить одностороннюю проводимость на высокой частоте, эти диоды должны иметь точечную структуру участка пробоя.
Параметры:
Барьерная ёмкость Сб [мкФ]
fраб [МГц]
В современных импортных диодах используется такая характеристика, как "Время восстановления". В ультрабыстродействующих диодах она достигает величин 100 нс.