27. Принцип построения пзу.

Микросхемы ПЗУ (Постоянное Запоминающее Устройство, ROM — Read-Only Memory — память, доступная только для чтения) представляют собой однократно программируемое устройство памяти, предназначенное для чтения информации (энергонезависимое).  Различают несколько типов ПЗУ:  • ROM (Read-Only Memory, Постоянное Запоминающее Устройство, ПЗУ). Строятся на мультиплексорах или по масочной структуре (см. ниже). Программируются на заводе при производстве. Репрограммирование невозможно.  • PROM (Programmable ROM, Программируемое ПЗУ, ППЗУ). В качестве элементов программирования используются специальные перемычки. Программирование заключается в разрушении или образовании перемычки. Также является однократным действием, однако, в отличие от ROM, его можно осуществить даже в домашних условиях.  • EPROM (Erasable PROM, Стираемое ППЗУ, СППЗУ). Исторически явилось первым репрограммируемым ПЗУ. Технология основана на применении транзисторов с плавающим затвором. ПЗУ на основе EPROM требуют стирания старой конфигурации под воздействием   ультрафиолетового (УФ) излучения с извлечением ИМС из устройств и имеют ограничение числа циклов программировании из-за деградации свойств материалов под воздействием УФ излучения.  • EEPROM (Electrically Erasable PROM, Электрически Стираемое ППЗУ, ЭС-ППЗУ). ППЗУ, очищаемое электрическими сигналами. Для обновления не требует извлечения микросхемы из устройства и допускает достаточно большое число циклов стирания.  • FLASH (флэш-память). Технологически аналогична EEPROM, однако в ней используется блочный доступ к сохраняемым данным. ROM. Очень часто в различных применениях требуется хранение информации, которая не изменяется в процессе эксплуатации устройства. Это такая информация, как программы в микроконтроллерах, начальные загрузчики и BIOS в компьютерах, таблицы коэффициентов цифровых фильтров в  сигнальных процессорах. Практически всегда эта информация не требуется одновременно, поэтому простейшие устройства для запоминания постоянной информации можно построить на мультиплексорах (рис. 1). В этой схеме построено постоянное запоминающее устройство на восемь одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись нуля). Чтобы увеличить разрядность ячейки памяти ПЗУ, эти микросхемы можно соединять параллельно (выходы и записанная информация, естественно, остаются независимыми). Схема параллельного соединения одноразрядных ПЗУ приведена на рис. 2. В реальных ПЗУ запись информации производится при помощи последней операции производства микросхемы — металлизации. Металлизация выполняется при помощи маски, поэтому такие ПЗУ получили название масочных ПЗУ. Еще одно отличие реальных микросхем от упрощенной модели, приведенной выше, — это использование кроме мультиплексора еще и демультиплексора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в многомерную и тем самым существенно сократить объем схемы дешифратора, необходимого для работы схемы ПЗУ. Программирование ПЗУ производится на заводе – изготовителе.  PROM. Также разработаны программируемые ПЗУ. В этих микросхемах постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. При производстве микросхемы изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти логических единиц. В процессе программирования на выводы питания и выходы микросхемы подается повышенное питание. При этом если на выход микросхемы подается напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет и перемычка останется неповрежденной. Если же на выход микросхемы подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу), то через перемычку будет протекать ток, который испарит эту перемычку, и при последующем считывании информации из этой ячейки будет считываться логический ноль. Программирование производится при помощи специального программатора. Возможно также применение другой технологии создания PROM, когда перемычка образована трехслойным диэлектриком с чередованием слоев «оксид-нитрид-оксид». Программирующий импульс напряжения пробивает перемычку и создает проводящий канал между электродами. Величина тока, создаваемого импульсами программирования, влияет на диаметр проводящего канала, что позволяет управлять параметрами проводящей перемычки.