
- •Вопрос 2. Собственные проводники. Зонная диаграмма. Собственная концентрация дырок и электронов. Температурный потенциал. Ширина запрещённой зоны.
- •Вопрос 3.Примесны пп n-типа. Зонная диаграмма.
- •Вопрос 4. Примесны пп p-типа. Зонная диаграмма.
- •Вопрос 5. Температурный диапазон работы примесных пп. Уравнение нейтральности.
- •Уравнение нейтральности полупроводников.
- •Вопрос 6. Термогенерация. Рекомбинация. Время жизни. Закон действующих масс.
- •Вопрос 7. Токи в пп.
- •1. Дрейфовый ток.
- •2.Диффузионный ток.
- •Вопрос 8. Решение стационарного уравнения диффузии. Зависимость диффузионного тока от координаты. Ток рекомбинации.
- •Вопрос 9. P-n переход. Структура. Больцмановское равновесие. Зонная диаграмма p-n-перехода. Высота потенциального барьеба.
- •Вопрос 10. Зарядовая модель p-n-перехода . Равновесная ширина p-n-перехода. Граничная равновесная концентрация неосновных зарядов.
- •Вопрос 11. Прямое смещение p-n-перехода. Граничная неравновесная концентрация неосновных зарядов.
- •Вопрос 12. Обратное смещение p-n-перехода. Экстракция.
- •Вопрос 13. Несимметричный p-n переход. Эмиттер. База. Односторонняя инжекция.
- •Вопрос 14. Вах идеализированного p-n перехода.
- •Вопрос 15. Прямая ветвь вах реального диода. Схема замещения диода при прямом включении. Тк Uпр
- •Дифференциальное сопротивление p-n перехода.
- •Температурная зависимость прямого напряжения.
- •Вопрос 16.Обратная ветвь вах реального диода. Схема замещения диода при обратном включении
- •Вопрос 17.Пробой p-n перехода. Виды пробоя. Температурная зависимость напряжения пробоя.
- •Вопрос 18. Неравновесная ширина p-n перехода. Барьерная ёмкость. Варикапы.
- •Вопрос 19. Основные технологические операции при изготовлении полупроводниковых диодов.
- •1. Сплавные диоды.
- •2. Точечные диоды.
- •4. Эпитаксиальные диоды.
- •Вопрос 20.Выпрямительные диоды. Параметры, классификация.
- •Классификация
- •Вопрос 21. Стабилитроны. Параметры, классификация. Стабисторы.
- •Вопрос 22. Параметрический стабилизатор напряжения.
- •Импульсный стабилизатор
- •Стабилизаторы переменного напряжения Современные стабилизаторы
- •Вопрос 23. Импульсные диоды. Процессы включения и отключения прямого тока.
- •Вопрос 24. Процессы импульсных диодов при переключении на обратное напряжение. Классификация импульсных диодов.
- •Вопрос 25. Диоды Шоттки.
- •Вопрос 26. Биполярные транзисторы Конструкция. Режимы работы.
- •Вопрос 27. Распределение неосновных зарядов в базе биполярного транзистора.
- •Вопрос 28. Токи в транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера. Коэффициент инжекции. Коэффициент переноса.
- •Входные вах биполярного транзистора в схеме включения об.
- •Вопрос. 45 Малосигнальная схема замещения биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером (оэ)
- •Вопрос. 47 Определение h – параметров транзистора по статическим вах в схеме включения об.
- •Вопрос 60.Динисторы, конструкция, принцип действия. Вах.
- •Вопрос. 62. Фотоэлектронные приборы. Фоторезисторы.
- •Вопрос. 63. Фотодиоды
- •Вопрос. 64. Фототранзисторы
- •Вопрос 65. Фототиристоры
- •Вопрос. 66. Оптроны
- •Существуют два класса оптических элементов, которые можно использовать при создании оптических эвм:
- •Вопрос. 67. Электровакуумные приборы
- •Типы эмиссии
- •Вопрос 68. Термокатоды
- •Вопрос 69. Электровакуумный диод. Потенциальные диаграммы. Режимы рон и рн
- •Принцип работы
- •Вах, Потенциальная диаграмма.
- •Режимы рон и рн не знаю!!! Вопрос 70. Идеализированная и реальная вах электровакуумного диода. Параметры.
- •Основными параметрами полупроводникового диода, учитывающими влияние температуры являются:
- •Вопрос 71. Электровакуумный триод. Режимы рв и рпп. Токораспределение. Проницаемость.
- •Вопрос. 73. Параметры электровакуумного триода.
- •Вопрос. 74. Тетрод. Динатронный эффект.
- •Динатронный эффект
- •Вопрос. 75. Пентод. Вах. Параметры.
Принцип работы
П
ри
разогреве катода электроны начнут
покидать его поверхность за счёт
термоэлектронной эмиссии. Покинувшие
поверхность электроны будут препятствовать
вылету других электронов, в результате
вокруг катода образуется своего рода
облако электронов. Часть электронов с
наименьшими скоростями из облака падает
обратно на катод. При заданной температуре
катода облако стабилизируется: на катод
падает столько же электронов, сколько
из него вылетает.
Вах, Потенциальная диаграмма.
При подаче на катод отрицательного
электрического потенциала, а на анод —
положительного возникает электрическое
поле, которое заставляет электроны
двигаться от катода к аноду. Тем самым
в цепи появляется ток.
Если же на катод подан «+», а на анод «-» (обратное включение), электрическое поле препятствует движению электронов, которые покидают катод и ток не течёт.
Режимы рон и рн не знаю!!! Вопрос 70. Идеализированная и реальная вах электровакуумного диода. Параметры.
Вольт-амперная характеристика ВАХ. Эта зависимость приближенно описывается экспоненциальной функцией идеализированного электронно-дырочного перехода.
П
римерный
вид ВАХ реально ПД показан на рисунке
12. Пунктиром дана идеализированная ВАХ,
соответствующая уравнению:
I=Iₒ(е - 1)
Рисунок 12 – ВАХ диода Зависимость ВАХ от t0
Из рисунка 12 видно, что прямая ветвь ВАХ реального полупроводникового диода сдвинута относительно теоретической характеристики в область более высоких прямых напряжений с резко выраженной величиной порогового напряжения Uпор , т.е. напряжения, при котором возникает заметный прямой ток. У германиевого полупроводникового диода величина Uпор » 0,25 - 0,4 В, у кремниевого полупроводникового диода - Uпор » 0.65 - 0,8 В. Наклон прямой ветви ВАХ при U і Uпор определяется в основном сопротивлением базовой области диода r'Б
Влияние температуры окружающей среды на ВАХ полупроводникового диода иллюстрирует рисунок 13. При возрастании температуры увеличиваются прямой и обратный токи
Основными параметрами полупроводникового диода, учитывающими влияние температуры являются:
Температурный коэффициент напряжения aᵣ
температура t*, соответствующая изменению обратного тока в “е’’ раз:
Вопрос 71. Электровакуумный триод. Режимы рв и рпп. Токораспределение. Проницаемость.
Эле́ктрова́куумный
трио́д, или просто трио́д, — электронная
лампа, имеющая 3 электрода: термоэлектронный
катод (прямого или косвенного накала),
анод и одну управляющую сетку. Изобретён
и запатентован в 1906 году американцем
Ли де Форестом.
Наименование триод в 1950-70 годах, во времена становления полупроводниковой электроники, также употреблялось и для транзисторов — по числу выводов, часто с уточнением: полупроводниковый триод, или с указанием материала: (германиевый триод, кремниевый триод).
Триоды были первыми устройствами, которые использовались для усиления электрических сигналов в начале XX века.
Вольт-амперная характеристика триода имеет высокую линейность. Благодаря этому вакуумные триоды вносят минимальные нелинейные искажения в усиливаемый сигнал.В ходе дальнейшего совершенствования триода были разработаны многосеточные лампы: тетрод, лучевой тетрод, пентод и другие.В настоящее время вакуумные триоды практически полностью вытеснены полупроводниковыми транзисторами. Исключение составляют области, где требуется преобразование сигналов с частотой порядка сотен МГц — ГГц большой мощности при небольшом числе активных компонентов, а габариты и масса не столь критичны, — например, в выходных каскадах радиопередатчиков.Также, на базе ламп все еще делается некоторая часть высококачественной акустической усилительной аппаратуры классов Hi-Fi и Hi-End, несмотря на то, что фиксируемый приборами коэффициент нелинейных искажений у почти любых современных транзисторных приборов во много раз меньше, чем у ламповых. Несмотря на высокую стоимость, такая аппаратура весьма популярна у музыкантов и аудиофилов.
Токораспределение:
C
катод
(x)<0
Ux=0
РВ
РПП – режим прямого перехвата

Ua=10 В
Ui>0
Ua=20 В
РВ – режим возврата
РПП
В
опрос.
72. Анодно – сеточные и анодные ВАХ
электровакуумного триода. Распределение
потенциалов.
Анодные ВАХ
Анодно – сеточные ВАХ