
- •Вопрос 2. Собственные проводники. Зонная диаграмма. Собственная концентрация дырок и электронов. Температурный потенциал. Ширина запрещённой зоны.
- •Вопрос 3.Примесны пп n-типа. Зонная диаграмма.
- •Вопрос 4. Примесны пп p-типа. Зонная диаграмма.
- •Вопрос 5. Температурный диапазон работы примесных пп. Уравнение нейтральности.
- •Уравнение нейтральности полупроводников.
- •Вопрос 6. Термогенерация. Рекомбинация. Время жизни. Закон действующих масс.
- •Вопрос 7. Токи в пп.
- •1. Дрейфовый ток.
- •2.Диффузионный ток.
- •Вопрос 8. Решение стационарного уравнения диффузии. Зависимость диффузионного тока от координаты. Ток рекомбинации.
- •Вопрос 9. P-n переход. Структура. Больцмановское равновесие. Зонная диаграмма p-n-перехода. Высота потенциального барьеба.
- •Вопрос 10. Зарядовая модель p-n-перехода . Равновесная ширина p-n-перехода. Граничная равновесная концентрация неосновных зарядов.
- •Вопрос 11. Прямое смещение p-n-перехода. Граничная неравновесная концентрация неосновных зарядов.
- •Вопрос 12. Обратное смещение p-n-перехода. Экстракция.
- •Вопрос 13. Несимметричный p-n переход. Эмиттер. База. Односторонняя инжекция.
- •Вопрос 14. Вах идеализированного p-n перехода.
- •Вопрос 15. Прямая ветвь вах реального диода. Схема замещения диода при прямом включении. Тк Uпр
- •Дифференциальное сопротивление p-n перехода.
- •Температурная зависимость прямого напряжения.
- •Вопрос 16.Обратная ветвь вах реального диода. Схема замещения диода при обратном включении
- •Вопрос 17.Пробой p-n перехода. Виды пробоя. Температурная зависимость напряжения пробоя.
- •Вопрос 18. Неравновесная ширина p-n перехода. Барьерная ёмкость. Варикапы.
- •Вопрос 19. Основные технологические операции при изготовлении полупроводниковых диодов.
- •1. Сплавные диоды.
- •2. Точечные диоды.
- •4. Эпитаксиальные диоды.
- •Вопрос 20.Выпрямительные диоды. Параметры, классификация.
- •Классификация
- •Вопрос 21. Стабилитроны. Параметры, классификация. Стабисторы.
- •Вопрос 22. Параметрический стабилизатор напряжения.
- •Импульсный стабилизатор
- •Стабилизаторы переменного напряжения Современные стабилизаторы
- •Вопрос 23. Импульсные диоды. Процессы включения и отключения прямого тока.
- •Вопрос 24. Процессы импульсных диодов при переключении на обратное напряжение. Классификация импульсных диодов.
- •Вопрос 25. Диоды Шоттки.
- •Вопрос 26. Биполярные транзисторы Конструкция. Режимы работы.
- •Вопрос 27. Распределение неосновных зарядов в базе биполярного транзистора.
- •Вопрос 28. Токи в транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера. Коэффициент инжекции. Коэффициент переноса.
- •Входные вах биполярного транзистора в схеме включения об.
- •Вопрос. 45 Малосигнальная схема замещения биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером (оэ)
- •Вопрос. 47 Определение h – параметров транзистора по статическим вах в схеме включения об.
- •Вопрос 60.Динисторы, конструкция, принцип действия. Вах.
- •Вопрос. 62. Фотоэлектронные приборы. Фоторезисторы.
- •Вопрос. 63. Фотодиоды
- •Вопрос. 64. Фототранзисторы
- •Вопрос 65. Фототиристоры
- •Вопрос. 66. Оптроны
- •Существуют два класса оптических элементов, которые можно использовать при создании оптических эвм:
- •Вопрос. 67. Электровакуумные приборы
- •Типы эмиссии
- •Вопрос 68. Термокатоды
- •Вопрос 69. Электровакуумный диод. Потенциальные диаграммы. Режимы рон и рн
- •Принцип работы
- •Вах, Потенциальная диаграмма.
- •Режимы рон и рн не знаю!!! Вопрос 70. Идеализированная и реальная вах электровакуумного диода. Параметры.
- •Основными параметрами полупроводникового диода, учитывающими влияние температуры являются:
- •Вопрос 71. Электровакуумный триод. Режимы рв и рпп. Токораспределение. Проницаемость.
- •Вопрос. 73. Параметры электровакуумного триода.
- •Вопрос. 74. Тетрод. Динатронный эффект.
- •Динатронный эффект
- •Вопрос. 75. Пентод. Вах. Параметры.
Вопрос 23. Импульсные диоды. Процессы включения и отключения прямого тока.
Импульсные полупроводниковые диоды - это диоды, предназначенные для работы в импульсном режиме и имеющие малую длительность переходных процессов.
Рассмотрим
процессы в полупроводниковом диоде при
включении его на заданный прямой ток
(рис.3.23). Такой режим характерен для
большинства практических случаев, когда
внешнее сопротивление значительно
превышает сопротивление диода и ток
через диод слабо зависит от напряжения
на диоде. В исходном состоянии при t
< t0
ток через диод отсутству-
ет, напряжение на диоде равно нулю, концентрация неосновных носителей в базе равна равновесной Pn0. Характер переходного процесса различен для случаев низкого и высокого уровней инжекции, т.е. зависит от величины прямого тока. При малых токах в момент формирования импульса Iпр , напряжение на диоде увеличивается скачком на величину Iд·rБ, затем по мере заряда емкости постепенно возрастает до установившегося значения - график 1 на рис.2. На рис.3.24 приведено распределение инжектированных через прямосмещенный р-n переход неосновных носителей в базе диода в различные моменты времени. Для времени t ≥ t3 напряжение на диоде и
распределение Pn(x,t) можно считать установившимся. В течение переходного процесса граничная концентрация Pn(0,t) постепенно увеличивается от Pn0 до установившейся величины, что приводит к плавному увеличению напряжения на переходе. Вследствие постоянного тока градиент концентрации на границе с р-n переходом (значение производной функции Pn(x,t) координате в т. Х=0) постоянен, так как полный ток Iпр обусловлен током диффузии инжектированных зарядов. При высоком уровне инжекции, когда граничная концентрация неосновных зарядов больше концентрации основных: Pn(0)>nn0, характер переходного процесса качественно изменяется. По мере накопления зарядов в базе сопротивление и падение напряжения уменьшаются. Напряжение Uд имеет выброс, соответствующий начальному высокому значению сопротивления rБ, - график 2 на рис.3.23. - и уменьшается до установившегося значения Uпр. Плавное увеличение напряжения Uпер за счет заряда емкости большим током Iпр при этом практически не влияет на суммарное напряжение Uд. Максимальное прямое напряжение на диоде Uпр.и. при заданной амплитуде прямого тока называется импульсным прямым напряжением.
Время tуст в течение которого прямое напряжение уменьшается от максимального до величины 1,2 от установившегося Uпр, называют временем установления прямого сопротивления (напряжения), В режиме отключения прямой ток резко уменьшается до нуля, напряжение на диоде за счет накопленного заряда в базе в течение переход-
ного процесса отличается от нуля. Временные диаграммы сигналов и графики Pn(x,t) приведены на рис.3.25 и 3.26.
В
начальный
момент времени t0
при отключении прямого тока на- пряжение
на диоде уменьшается на величину Iпр·rБ.
.Уменьшение
концентрации накопленных дырок в базе
происходит за счет рекомбинации с
электронами. В условиях отсутствия тока
через р-n
переход
значение градиента концентрации на
границе с переходом равно нулю, а функции
Pn(x,t) при х=0 проходят горизонтально.