
- •Оглавление
- •Предисловие
- •I. Магнитные свойства. Общая характеристика
- •Основные магнитные характеристики
- •Магнитный момент изолированного атома
- •II. Диамагнетизм Ларморовский диамагнетизм атомов с полностью заполненными внутренними оболочками
- •III. Парамагнетизм
- •Ланжевеновский парамагнетизм
- •Природа эффекта замораживания орбитального углового момента
- •Парамагнетизм Ван Флека
- •Парамагнитная и диамагнитная восприимчивость электронов проводимости
- •IV. Ферромагнетизм
- •Внутреннее молекулярное поле Вейсса (p.Weiss)
- •Модель Гейзенберга.
- •V. Антиферро- и ферримагнетизм
- •Ферримагнетики.
- •VI. Доменная структура Ферромагнитные домены
- •Границы доменов
- •VII. Методы наблюдения микромагнитных структур
- •М етод магнитной суспензии (метод порошковых фигур)
- •Магнитооптические методы
- •VIII. Сложные микромагнитные структуры
- •Страйп-структуры
- •Цилиндрические магнитные домены (цмд)
- •Микромагнетизм одноосных кристаллов
- •Микромагнитная структура мелких частиц
- •IX. Микромагнетизм нанокристаллических ферромагнетиков
- •Теория Герцера
- •Наведенная магнитная анизотропия
- •X. Динамика намагничения
- •Н Рис.10.2. Перераспределение магнитных моментов в кубическом кристалле для внешнего поля: (a) н || [100]; б) h || [110]. Амагничение смещением доменных стенок
- •Вращение магнитных моментов
- •Динамические свойства ферромагнетиков
- •XI. Магнетизм низкоразмерных структур. Магнитные многослойные системы
- •Гигантское магнитное сопротивление (gmr)
- •Магнитные нанонити (1d системы)
- •Магнитные наноточки (0d системы).
- •Методы получения магнитных наноточек
- •Самоорганизованные суперрешетки магнитных частиц
- •XIII. Материалы и устройства спинтроники Устройства спинтроники
- •Магнитные полупроводники в спинтронике
- •Зонная структура сплавов Гейслера
- •Современные магнитные носители информации Современные тенденции в развитии накопителях на жестких дисках
- •Магнитооптические носители информации
- •Магнитная память произвольной адресации (mram - magnetic/magnetoresistive random access memory)
- •Высокочастотные магнитные устройства
- •Интегрированные индукторы в рч –области
- •Литература
- •Глава VI:
- •Глава VII:
- •Глава VIII.
- •Глава IX.
- •Глава X.
- •Глава XI.
- •Глава XII.
- •Глава XIII.
- •Глава XIV.
- •Глава XV.
Динамические свойства ферромагнетиков
Фактор магнитных потерь.
Желаемые характеристики высокочастотных, т.е. магнитомягких, ферромагнетиков – высокая восприимчивость и низкие потери при высоких частотах. Если материал помещен в переменное магнитное поле Н = Н0exp(iωt), то плотность магнитного потока В обычно запаздывает по фазе на угол δ вследствие энергетических потерь. Магнитная проницаемость тогда равна
μ = В/Н = В0exp(iωt-iδ)/Н0exp(iωt) = (В0/Н0)exp(-iδ)=
= (В0/Н0)cosδ –i(В0/Н0)sinδ. (10.24)
Или μ = μ’– iμ’’, где μ’ = (В0/Н0)cosδ, μ’’= (В0/Н0)sinδ. (10.25)
Здесь μ’ характеризует компоненту B, имеющую ту же фазу, что и Н, т.е. μ’- нормальная проницаемость. Мнимая часть проницаемости μ’’ характеризует компоненту В, отстающую от Н на угол π/2. Наличие такой компоненты требует подпитки энергией для поддержания изменяющейся во времени намагниченности независимо от причин запаздывания. Отношение
μ’’/μ’= tan δ, (10.26)
т.е. величину tan δ, называют фактором потерь. Качество магнитомягкого материала часто характеризуют параметром μ/tan δ.
Природа и характер магнитных потерь зависят от частоты ω. В низкочастотной области наиболее существенными оказываются потери, связанные с гистерезисом. Потери на гистерезис становятся менее значимыми при высоких частотах, поскольку смещение доменных границ, являющееся основной причиной гистерезиса, в этой области в значительной мере задавлены, уступая вращению намагниченности.
Потери на вихревые токи (eddy current loss).
С
Рис.
10.11. Вихревые токи.
∫Esds = -∫∫(dBn/dt) dS. (10.27)
Предполагая однородную намагниченность I, мы имеем
2πrE(r) = -πr2(dI/dt) и
E(r) = -(r/2)(dI/dt). (10.28)
Вихревой ток:
i(r) = -(r/2ρ) dI/dt, (10.29)
где ρ – удельное сопротивление. Потери на вихревые токи:
P = (1/πr02) ∫0r02πE(r)i(r)rdr = (1/2ρr02)(dI/dt)2∫0r0r3 dr =
= r02/(8ρ)(dI/dt)2. (10.30)
Т.о. потери на вихревой ток пропорциональны квадрату скорости изменения намагниченности, т.е. квадрату частоты, если имеется полное проникновение в материал. Т.е. потери на вихревые токи будут возрастать с ростом частоты. Кроме этого, P ~ r02. Это означает, что потери можно уменьшить путем разделения материала на электрически изолированные слои. Эффективным способом борьбы с вихревыми токами является увеличение сопротивления. Это реализуется в нанокристаллических пленках, получаемых испарением, электрохимическим осаждением и т.д. Тонкие пленки таких материалов используются, в частности, в быстродействующих и высокоплотных устройствах магнитной памяти. Высоким сопротивлением обладают прессованные из порошков сердечники трансформаторов, ферриты, особенно Ni-ферриты (~100 μΩ см), редкоземельные железные гранаты, не имеющие дивалентных металлов, типа Fe2+, снижающих сопротивление за счет прыжковой проводимости. Некоторые виды гранатов имеют настолько малые потери в области высоких частот, что становятся прозрачными для видимого света. Плата за это, как правило, низкая намагниченность насыщения и низкая восприимчивость.
Если dI/dt достаточно велико, то вихревые токи становятся достаточно большими, чтобы генерировать магнитные поля, сравнимые с внешним. Поскольку вихревой ток, который течет вокруг цилиндра радиусом r генерирует магнитное поле только внутри этого цилиндра, то интегрированное поле вихревого тока максимально в центре и уменьшается до нуля на поверхности цилиндра. Магнитное поле вихревого тока всегда препятствует изменениям намагниченности, вызывающим этот вихревой ток. Поэтому, намагниченность на оси цилиндра погашена. Амплитуда осцилляций намагниченности на поверхности уменьшается в е-раз на глубине
s = (2ρ/ωμ)1/2, (10.31)
г
Рис.
10.12. Эффект магнитного последействия.
Магнитное последействие (magnetic after-effect).
Вихревые токи, вызывающие задержку фазы намагничивания в переменных магнитных полях, можно отнести к чисто электрическим явлениям. Изменение намагниченности также может происходить из-за изменений в фазовом составе или в структуре. Эти эффекты называются эффектами старения (aging). Под магнитным последействием понимают эффекты, связанные с магнитной вязкостью.
Эффект состоит в том, что при скачкообразном изменении приложенного к образцу магнитного поля с Н1 до Н2, намагниченность изменяется мгновенно с I1 до Ii и затем плавно до насыщения, рис. 10.12. В простейшем случае зависящая от времени составляющая In(t) определяется одной константой релаксации τ, так что
In(t) = In0(1-exp(-t/τ)). (10.32)
Общий вид намагниченности имеет вид
I = χaH{1+ζ(1-exp(-t/τ))}, (10.33)
где ζ = In0/ Ii. Дифференциальное уравнение
d(I-χaH)/dt = -{ I-χaH(1+ ζ)}/τ (10.34)
описывает поведение намагниченности (10.33).
При осциллирующем магнитном поле
H
Рис.10.13.
Температурная зависимость tan
δ
для нескольких частот в интервале от
200 Гц до 4 кГц [5].
намагниченность испытывает задержку по фазе
I = I0exp (iωt –iδ). (10.36)
Подставляя (10.35) и (10.36) в (10.34) получаем
tan δ = ζωτ/(1+ζ+ω2τ2), (10.37),
I0=ωτχaH/(ωτcosδ–sin δ). (10.38)
Так же как и в случае вихревых токов, в эффекте магнитного последействия δ называют углом потерь, а tan δ – фактором потерь. Фактор потерь зависит от частоты и температуры. Как видно из рис. 10.13, tan δ имеет максимум при определенной температуре. Температурная вариация обусловлена изменением времени релаксации с температурой. Рассматривая tan δ как функцию τ, получаем, что максимум приходится на
τ = (1+ζ)1/2/ω. (10.39)
Н
Рис.
10.14. Модель последействия [5].
Ферромагнитный резонанс.
Ферромагнитные материалы интенсивно поглощают электромагнитное излучение некоторой резонансной частоты, определяемой самим материалом, его формой и внешними условиями, например, присутствием постоянного магнитного поля. Ферромагнитный резонанс (ФМР) – один из видов магнитного резонанса в твердом теле, но в отличие от электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и ядерного магнитного резонанса (ЯМР), он определяется взаимодействием переменного поля с макроскопической коллективной намагниченностью образца. Это приводит к гораздо более сильному поглощению в резонансе. Явление ФМР было предсказано в 1913 г. В.К. Аркадьевым [6] из классических, а в 1923 г. Я.Г. Дорфманом из квантовых соображений [7]. В 1935 г. Л.Д. Ландау и Е.М. Лифшиц вывели уравнение движения магнитного момента, являющегося основой классической теории ФМР [8]. В 1948 г. Ч. Киттель получил важные соотношения, учитывающие влияние формы образца и магнитной анизотропии [9]. Экспериментально ФМР был обнаружен Грифитсом [10] и Завойским [11].
У
Рис.
10.15. Спектры ФМР образца CoFeNi
при ориентации ОЛН вдоль (пунктир) и
перпендикулярно внешнему постоянному
полю [12].
Если внутреннее магнитное поле Н и намагниченность М в материале однородны, то они связаны с внешим полем Не соотношением
H = He – ŇM, (10.40)
где Ň – симметричный тензор размагничивания. Рассмотрение Киттеля ФМР в ферромагнитном эллипсоиде показывает, что этот тензор в осях координат, совпадающих с осями эллипсоида, становится диагональным и его компоненты называются размагничивающими факторами. Их сумма
Nx+ Ny + Nz = 4π. (10.41)
В режиме фиксированной частоты СВЧ – излучения ω0, резонанс будет происходить при значении постоянного поля Hr, определяемом соотношением
ω0 = {[Hr + (Ny-Nz)M][Hr+(Nx-Nz)M]}1/2, (10.42)
где, также как и в (9.8), гиромагнитный фактор = gB = geħ/(2m) = 1.105·105g (м/(Ас)), g=2.023≈2 – фактор спектроскопического расщепления. Для сферы Nx = Ny = Nz = 4π/3, поэтому
ω0 = Hr. (10.43)
Для плоской пластины, если внешнее поле направлено перпендикулярно поверхности, то Nx= Ny = 0 и Nz = 4π и
ω0 = (Hr – 4πM). (10.44)
Если же поле направлено вдоль пластины в плоскости xz, то Nx= Nz = 0 и Ny = 4π и
ω0 = [Hr (Hr+4πM)]1/2. (10.45)
Соотношения (10.42)-(10.45) называются соотношениями Киттеля [9]. Они приведены в системе единиц СГСМ. В системе СИ 4πM необходимо заменить на μ0M.
В приведенных соотношениях пренебрегалось пока наличием магнитной анизотропии. Важным частным случаем является случай одноосной (наведенной) анизотропии. Показано, что в этом случае резонансное значение поля зависит от того, направлено ли поле вдоль «легкой» оси (ЕА), либо вдоль «жесткой» оси (HA). Соотношения Киттеля в этом случае имеют вид, соответственно:
ω2 = 2(HrEA + Hk)( HrEA + Hk +4πM) (10.46)
ω2 = 2(HrHA - Hk)( HrHA - Hk +4πM), (10.47)
где Hk – поле одноосной анизотропии.
Уравнение Ландау-Лифшица.
|
|
|
Рис. 10.16. Прецессия магнитного момента в поле Н без затухания (а), со слабым затуханием (б) и с сильным затуханием (в)
|
При включении магнитного поля магнитный момент начинает прецессировать, рис.10.16а. Благодаря коллективному характеру, магнитный момент M (намагниченность) некоторого объема (макроскопического,микроскопического, наноразмерного) магнитного вещества имеет несопоставимо большее значение, чем магнитный момент изолированного иона и, следовательно, расщепление прецессия может рассматриваться как классическое движение, а не как квантовый перескок между соседними достаточно разнесенными уровнями. Ландау и Лифшиц впервые предложили описание прецессии магнитного момента с учетом затухания [8], в виде уравнения, называемого уравнением Ландау-Лифшица (Л-Л):
dM/dt = - (MНeff) + R. (10.48)
Эффективное магнитное поле Нeff включает постоянное H0 и СВЧ Hrf поля Нeff=H0+Hrf. R – диссипативный член в форме Л-Л
R = -(λ/M2)(M(MHeff)), (10.49)
в форме, познее предложенной Гильбертом [13]:
R = (α/M) (M(dM/dt), (10.50)
в форме Блоха-Бломбергена [14]
R =-ωr(M – (M0/H0)Heff), (10.51)
где M0 – постоянная составляющая магнитного момента, ωr –резонансная частота. В используемом линейном приближении и при малых потерях эти три формы эквивалентны и входящие в них параметры связаны соотношением
λ = α M0 = ωrM0/H0. (10.52)
Уравнение Ландау-Лифшица с диссипативным членом в форме Гильберта
dM/dt = (MНeff) - (/M)(M(MНeff)), (10.53)
часто используется для исследования динамики микромагнитных процессов. Если затухания нет, т.е. α = 0, то магнитный момент будет двигаться по боковой поверхности конуса неограниченно долго, рис. 10.16а. При сильном же затухании магнитный момент развернется вдоль поля, не сделав ни одного оборота, рис. 10.16в.
Размерный резонанс.
В
Рис.
10.17. Спад проницаемости, обусловленный
размерным эффектом [15].
λ = с/[f(<ε><μ>)-1/2]. (10.54)
Здесь f – частота, <ε> и <μ> относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости. При <ε> ~ 5 104 и <μ> ~ 103, характерных для Mn-Zn- ферритов, где этот эффект был обнаружен [15], для f=1.5 МГц длина волны λ должна быть равной 2.6 см, что близко по значению с размерами сердечника. Если размеры кратны длине волны, то электромагнитные волны будут резонировать в сердечнике, создавая стоячую волну. Спад в зависимости μ’(f) обусловлен резонансным поведением, получившим название размерного резонанса.
Собственный магнитный резонанс.
В области высоких частот проницаемость падает, а магнитные потери растут благодаря магнитному резонансу. На рис. 10.18 представлены зависимости действительной и мнимой частей проницаемости для ферритов Ni-Zn с разным химическим составом [16]. Можно заметить, что материалы с более высокой проницаемостью имеют более узкий частотный диапазон. Сноек [17] объяснил этот эффект как следствие резонанса вращения намагниченности под действием поля анизотропии. В соответствии с уравнением (10.46), резонансная частота может быть получена при Н =0 и М=0, что дает
ω = γНk. (10.55)
Если включается высокочастотное поле с частотой (10.55), то вращение намагниченности вокруг ОЛН будет резонировать с полем, что приведет к резкому изменению μ’ и μ’’. Если взять К1 = -5 102 Дж/м3, Мs = 0.3 Тл, для ферритов Ni-Zr, мы можем оценить поле анизотропии по (10.23б)
НК = (4х5х102)/(3х3х10-1) ≈ 2.2х103(А/м) (≈27 Э).
Полагая g =2, из (10.54) имеем
Рис.
10.18. Собственный магнитный резонанс и
предел Сноека [16].
Предел Сноека.
Для материала с положительной анизотропией К1>0, согласно (10.23а),
НК = 2К1/Is.
Резонансная частота ω = 2К1/ Is. (10.56)
С другой стороны, увеличение К1 ведет к уменьшению проницаемости:
<μ>=Is2/(3K1μ0). (10.57)
Перемножая это, получаем
ω<μ> = 2Is/(3μ0). (10.58)
Аналогичное соотношение справедливо и для К1<0. Полагая Is = 0.3 Тл и μ= 4π х 10-7<μ>, имеем
f<μ> ≈ 5.6 х 109 = 5.6 ГГц. (10.59)
Линия на рис. 10.18 проведена через точки, где μ’ составляет 0.5 от своего максимального значения. Условие (10.59) примерно совпадает с этой линией. Линия называется пределом Сноека. Он ограничивает величину проницаемости условием (10.59) для материалов с кубической анизотропией. В материалах с особым типом анизотропии, предел Сноека может нарушаться.
Устойчивая доменная структура в переменных полях.
Стационарная картина доменов деформируется или полностью меняется, если образец подвергается воздействию переменного магнитного поля. При этом возможны устойчивые конфигурации доменов, форма которых весьма чувствительна как к небольшим изменениям параметров внешнего поля, так и к микроструктуре и электрофизическим параметрам материала. На рис. 10.19 представлены динамические доменные картины наблюдаемой на одном и том же месте пленки феррита-граната толщиной 9 мкм в переменном магнитном поле с частотой, увеличивающейся последовательно - от (а) к (г) - от 10 кГц до 100 кГц и варьируемой амплитудой H0.
|
|
|
|
|||||
а |
б |
в |
г |
|
||||
Рис. 10.19. Эволюция динамических доменных структур. Частота поля увеличивается от (а) к (г) [18]. |
|
При некоторых комбинациях f и Hо весь образец может оставаться намагниченным в одном направлении. Кристалл как бы перестает "замечать" переменное поле, никак не реагирует на него. Реализуется так называемая динамическая однодоменность.