
- •Оглавление
- •Предисловие
- •I. Магнитные свойства. Общая характеристика
- •Основные магнитные характеристики
- •Магнитный момент изолированного атома
- •II. Диамагнетизм Ларморовский диамагнетизм атомов с полностью заполненными внутренними оболочками
- •III. Парамагнетизм
- •Ланжевеновский парамагнетизм
- •Природа эффекта замораживания орбитального углового момента
- •Парамагнетизм Ван Флека
- •Парамагнитная и диамагнитная восприимчивость электронов проводимости
- •IV. Ферромагнетизм
- •Внутреннее молекулярное поле Вейсса (p.Weiss)
- •Модель Гейзенберга.
- •V. Антиферро- и ферримагнетизм
- •Ферримагнетики.
- •VI. Доменная структура Ферромагнитные домены
- •Границы доменов
- •VII. Методы наблюдения микромагнитных структур
- •М етод магнитной суспензии (метод порошковых фигур)
- •Магнитооптические методы
- •VIII. Сложные микромагнитные структуры
- •Страйп-структуры
- •Цилиндрические магнитные домены (цмд)
- •Микромагнетизм одноосных кристаллов
- •Микромагнитная структура мелких частиц
- •IX. Микромагнетизм нанокристаллических ферромагнетиков
- •Теория Герцера
- •Наведенная магнитная анизотропия
- •X. Динамика намагничения
- •Н Рис.10.2. Перераспределение магнитных моментов в кубическом кристалле для внешнего поля: (a) н || [100]; б) h || [110]. Амагничение смещением доменных стенок
- •Вращение магнитных моментов
- •Динамические свойства ферромагнетиков
- •XI. Магнетизм низкоразмерных структур. Магнитные многослойные системы
- •Гигантское магнитное сопротивление (gmr)
- •Магнитные нанонити (1d системы)
- •Магнитные наноточки (0d системы).
- •Методы получения магнитных наноточек
- •Самоорганизованные суперрешетки магнитных частиц
- •XIII. Материалы и устройства спинтроники Устройства спинтроники
- •Магнитные полупроводники в спинтронике
- •Зонная структура сплавов Гейслера
- •Современные магнитные носители информации Современные тенденции в развитии накопителях на жестких дисках
- •Магнитооптические носители информации
- •Магнитная память произвольной адресации (mram - magnetic/magnetoresistive random access memory)
- •Высокочастотные магнитные устройства
- •Интегрированные индукторы в рч –области
- •Литература
- •Глава VI:
- •Глава VII:
- •Глава VIII.
- •Глава IX.
- •Глава X.
- •Глава XI.
- •Глава XII.
- •Глава XIII.
- •Глава XIV.
- •Глава XV.
Границы доменов
Стенки Блоха.
Рис.
6.8. Стенки Блоха.
E=-JS(-S) - [-JS2] = 2JS2 (6.16)
Во втором случае (рис. 6.8б) поворот происходит в стенке, состоящей из n-плоскостей, в каждой из которых спин поворачивается на угол /n. Тогда обменная энергия между соседними спинами равна E = -Js2cos(/n), а полная энергия равна
Eобм = n[-JS2cos(/n)-(-JS2)] = nJS2[1-cos(/n)]. (6.17)
При n>>1 получаем
E JS22/n. (6.18)
Согласно (6.18) толщина стенки могла бы расти бесконечно, но этому препятствует энергия анизотропии: спин в стенке Блоха не ориентирован в направлении легкого намагничивания. Поэтому, доля энергии анизотропии EK n. Баланс между обменной энергией и энергией анизотропии достигается в Fe на толщине 150a (а-период решетки):
Wwall 2 JS2 /na2 + Kna, (6.19)
где K – константа анизотропии.
Оценки показывают, что полная энергия стенки составляет Wwall 1 erg/cm2.
Толщина стенки Блоха может быть определена из условия W/n = -2JS2/2n2a2+Ka = 0. Отсюда,
n = (2JS2/2Ka3)1/2, (6.20)
и, соответственно, толщина
= na = (2JS2/Ka)1/2 = (A/K)1/2 = 0, (6.21)
где A = JS2/a - (6.21а)
плотность обменной энергии, а плотность энергии границы -
=2(JKS2/a)1/2=2(AK)1/2=20. (6.21б)
Итак, в массивных ферромагнетиках магнитостатическая энергия (энергия свободных полюсов) отсутствовала в объеме, а на поверхности пренебрегалась из-за малости отношения (площадь поверхности)/(объем) 0. В тонких пленках поверхностью пренебрегать можно не всегда. Впервые на значение магнитостатической энергии в тонких пленках указал Неель.
Неелевские границы.
Рис.
6.9 Блоховские (а) и неелевские (б) границы.
U0=NPMэфф2/2 (6.22)
где Mэфф - эффективная (средняя) намагниченность, изображенная вектором в стенке на рис. 6.9. Размагничивающий фактор в таком приближении будет равен
для стенки Блоха
NPBl =4/(+h), (6.23а)
для стенки Нееля
NPNeel=4h/(h+), (6.23б)
где h толщина пленки. В обоих случаях Mэфф2 примерно совпадают и равны MэффMs/2, поэтому вклад магнитостатической энергии стенок в поверхностную плотность энергии 0 = U0 равен
0Bl=2/(h+) Ms2 , (6.24а)
0Neel=h/(h+) Ms2. (6.24б)
Из сопоставления этих выражений мы видим, что при h< плотность энергии неелевской границы меньше блоховской. Эксперимент показывает, что в пленках Fe, Ni, пермаллоя неелевские границы появляются при h<100 нм .
Справка: Пермаллой = perm(eabiliti)+alloy - общее название группы сплавов Ni-Fe+Cu/Cr/Mo/Mn. Обладает большой . Сендаст (sendust -Fe+9.5%Si+5.5%Al) также обладает высокой магнитной восприимчивостью.
На рис.6.10 представлены зависимости плотности энергии доменных стенок от толщины пленки пермаллоя, рассчитанные в работах [2, 3, 4]. Согласно этим расчетам, неелевская граница становится выгодной только при толщинах менее 80 нм. Причиной перехода от стенок Блоха к стенке Нееля является уменьшение вкладов обменной энергии и энергии намагничения, по сравнению с энергией размагничения, как это видно из рис. 6.11. Вклад энергии анизотропии в данном диапазоне толщин, как видно из рисунка, мал.
Рис.6.10.
Плотность энергии доменной границы в
зависимости от толщины пленки пермаллоя:
сплошная линия [2], штриховая линия [3]
и пунктир [4].
Рис.6.11.
Компоненты энергии стенки: обменной,
анизотропии, и размагничения в зависимости
от толщины.