
- •Оглавление
- •Предисловие
- •I. Магнитные свойства. Общая характеристика
- •Основные магнитные характеристики
- •Магнитный момент изолированного атома
- •II. Диамагнетизм Ларморовский диамагнетизм атомов с полностью заполненными внутренними оболочками
- •III. Парамагнетизм
- •Ланжевеновский парамагнетизм
- •Природа эффекта замораживания орбитального углового момента
- •Парамагнетизм Ван Флека
- •Парамагнитная и диамагнитная восприимчивость электронов проводимости
- •IV. Ферромагнетизм
- •Внутреннее молекулярное поле Вейсса (p.Weiss)
- •Модель Гейзенберга.
- •V. Антиферро- и ферримагнетизм
- •Ферримагнетики.
- •VI. Доменная структура Ферромагнитные домены
- •Границы доменов
- •VII. Методы наблюдения микромагнитных структур
- •М етод магнитной суспензии (метод порошковых фигур)
- •Магнитооптические методы
- •VIII. Сложные микромагнитные структуры
- •Страйп-структуры
- •Цилиндрические магнитные домены (цмд)
- •Микромагнетизм одноосных кристаллов
- •Микромагнитная структура мелких частиц
- •IX. Микромагнетизм нанокристаллических ферромагнетиков
- •Теория Герцера
- •Наведенная магнитная анизотропия
- •X. Динамика намагничения
- •Н Рис.10.2. Перераспределение магнитных моментов в кубическом кристалле для внешнего поля: (a) н || [100]; б) h || [110]. Амагничение смещением доменных стенок
- •Вращение магнитных моментов
- •Динамические свойства ферромагнетиков
- •XI. Магнетизм низкоразмерных структур. Магнитные многослойные системы
- •Гигантское магнитное сопротивление (gmr)
- •Магнитные нанонити (1d системы)
- •Магнитные наноточки (0d системы).
- •Методы получения магнитных наноточек
- •Самоорганизованные суперрешетки магнитных частиц
- •XIII. Материалы и устройства спинтроники Устройства спинтроники
- •Магнитные полупроводники в спинтронике
- •Зонная структура сплавов Гейслера
- •Современные магнитные носители информации Современные тенденции в развитии накопителях на жестких дисках
- •Магнитооптические носители информации
- •Магнитная память произвольной адресации (mram - magnetic/magnetoresistive random access memory)
- •Высокочастотные магнитные устройства
- •Интегрированные индукторы в рч –области
- •Литература
- •Глава VI:
- •Глава VII:
- •Глава VIII.
- •Глава IX.
- •Глава X.
- •Глава XI.
- •Глава XII.
- •Глава XIII.
- •Глава XIV.
- •Глава XV.
Ферримагнетики.
Ферримагнетики (оксидные ферримагнетики называют ферритами) также имеют две магнитных подрешетки с противоположно направленными спинами, которые, однако, в отличие от антиферромагнетиков, скоменсированы неполностью. Наиболее исследованы и нашли широкое применение ферриты, например, MeO*Fe2O3, где Me=(Mg2+, Zn2+, Cu2+, Ni2+, Fe2+, Mn2+) или Ме2+[Fe2+Fe3+]O4, имеющие кубическую структуру типа шпинель или гранат. В элементарной ячейке магнетита, Fе2+[Fe2+Fe3+]O4, (рис.5.2), 8 ионов Fe3+, занимающие тетраэдрические положения, и 8 ионов Fe3+, занимающие октаэдрические положения имеют противоположную ориентацию спинов и поэтому их моменты компенсируются. Магнетизм обусловлен 8-ью электронами Fe2+, занимающими тетраэдрические положения, как схематично показано ниже:
Рис.
5.2 . Ферримагнитное упорядочение в
магнетите Fе2+[Fe2+Fe3+]O4.
8Fe3+ 8Fe2+
... тетраэдрические положения
8Fe3+
Магнитные свойства некоторых ферримагнетиков приведены в таблице 5.2.
Таблица 5.2. Ферримагнетики.
Вещество |
Намагниченность Ms (Гс) |
n(0K)=μ/μB
|
TC, K |
|
Т = 300 К |
Т= 0К |
|||
MnAs |
670 |
870 |
3.4 |
318 |
MnBi |
620 |
680 |
3.52 |
630 |
MnSb |
710 |
- |
3.5 |
587 |
CrO2 |
515 |
- |
2.03 |
386 |
MnOFe2O3 |
410 |
- |
5.0 |
573 |
FeOFe2O3 |
480 |
- |
4.1 |
585 |
NiOFe2O3 |
270 |
- |
2.4 |
858 |
CuOFe2O3 |
135 |
- |
1.3 |
728 |
MgOFe2O3 |
110 |
- |
1.1 |
713 |
EuO |
- |
1920 |
6.8 |
69 |
Y3Fe5O12 |
130 |
200 |
5.0 |
560 |
Значительную часть ферримагнетиков составляют диэлектрические и полупроводниковые ионные кристаллы, содержащие магнитные ионы различных элементов и одного элемента, но находящихся в разных кристаллографических позициях (в неэквивалентных узлах кристаллографической решетки).
Условие ферримагнетизма.
Представим себе кристалл, имеющий две магнитных подрешетки А и В с антипараллельными () магнитными моментами. В этом случае:
BA=-MA-MB; BВ=- MA-MB, ,,>0. (5.1)
U= -1/2(BAMA+BBMB)=1/2MA2+ MA MB+1/2MB2 . (5.2)
Энергия ниже, когда MAMB. Энергия 0, когда MA=MB=0. -ное состояние устойчиво, когда
MAMB>1/2(MA2+MB2). (5.3)
Температура Нееля, Кюри-Вейса и восприимчивость ферримагнетиков.
Определим константы Кюри CA и CB для подрешеток А и В. Для простоты пренебрежем всеми взаимодействиями, кроме -ного между А- и В- подрешетками: BA=-MB; BB=-MA;
В приближении среднего поля
MAT=CA(Ba-MB); MBT=CB(Ba-MA). (5.4)
При Ba =0 эта система уравнений становится однородной относительно MA и MB и имеет решение, если
=0.
(5.5)
Отсюда ферромагнитная температура Кюри дается выражением
Tc=(CACB)1/2. (5.6)
Решая (5.4), мы получим восприимчивость при T>Tс
=(MA+MB)/BA=((CA+CB)T-2CACB)/(T2-Tc2) . (5.7)
При CA=CB =C – антиферромагнетизм.
Антиферромагнетик – это скомпенсированный ферримагнетик. Пример: MnO (рис.5.1), где спины Mn2+ скомпенсированы. Переход из антиферромагнитной фазы в парамагнитную происходит при температуре Нееля, ТN:
TN=C, =(2CT-2C2)/(T2-(C)2), т.е. =2C/(T+TN) при T>TN. (5.8а)
В действительности экспериментальные значения укладываются в зависимость
=C/(T+) при T>TN. (5.8б)
Температуру называют температурой Кюри-Вейса. Отношение /TN ~ 1 5 и часто отличается от 1 (см. также таблицу 5.2). Качественное сопоставление хода температурных зависимостей магнитных восприимчивостей для парамагнетиков, ферромагнетиков и антиферромагнетиков приведено на рис.5.3.
Восприимчивость антиферромагнетиков ниже температуры Нееля.
Рассмотрим два случая, когда внешнее поле перпендикулярно и параллельно полному спину: 1) BaS и 2) BaS.
Рис.
5.3. Температурная зависимость магнитной
восприимчивости парамагнетиков,
ферромагнетиков, антиферромагнетиков.
ориентации поля и спинов - парамагнитное поведение).
П
Рис.
5.4. Температурная зависимость магнитной
восприимчивости для антиферромагнетиков
при перпедикулярной ()
и параллельной ()
ориентации Ba.
-2U=MABA+MBBB,
BA= Ba-MB BB= Ba-MA. Тогда -2U=MA Ba- MA MB+ MBBa- MB MA. Т.е. -2U=Ba(MA+ MB)-2 MA MB, или
U = MAMB -1/2Ba(MA+MB) M2[1-1/2(2)2]-2BaM/2, (5.9)
где 2 -угол между SA и SB. Минимум энергии будет при dU/d=0=4M2 - BaM
или в устойчивом состоянии =Ba/4M. (5.10)
Т.о. =2M/Ba=1/2. (5.11)
В ||-ной ориентации M = MA + MB = 0 при Т = 0, поэтому восприимчивость при T=0K равна нулю (0)=0. Эксперимен-тальная зависимость и для MnF2 показана на рис. 5.4.