Напишите формулу для вычисления удельной крутизны транзистора.
Ic – ток по каналу; Ucи – напряжение сток –исток; Uzu – напряжение затвор исток;
Нарисуйте эквивалентную схему мдп для переменных составляющих. Кратко поясните.
Емкости Спи,пс представляют барьерные емкости P-n переходов исток подложка, сток – подложка. Емкости Сзи(зс) характеризуют электростатическую связь между электродами затвора и истока. Сопротивления Rc,и есть сопротивления n+- областей стока и истока. А сопротивления Rп,пси – сопротивления объема подложки.
Нарисуйте схемы включения мдп.
МДП- транзистор представляет собой 4-хп прибор (сток, исток, затвор, подложка). Основной схемой включения является ОИ. При этом входным напряжением является напряжение затор-исток, выходным – сток-исток, а выходным током – ток стока Ic. Возможно включение транзистора по схеме ОЗ, когда входным напряжением является напряжение затвор-сток. Поскольку входной ток затвора практически равен 0, статические ВАХ представляют собой функции Ic(Uзи,Uси ,Uпи) – ОИ; Ic(Uзи,Uзс ,Uпз) – ОЗ. ВАХ для схемы ОЗ получаются из схемы ОИ с учетом равенств: (Ucи=Uзи-Uзс) ^ (Uзп=Uзи - Uпи).
Поясните смысл внутреннего фотоэффекта.
Как и всегда смысл фотоэффекта в том что под действием света возникаю свободные электроны и дырки, которые диффундируя в структуре кристалла, могут создавать направленные токи.
Поясните смысл внешнего фотоэффекта.
Поверхностный фотоэффект отличается от обычного существованием поверхностного потенциала, обусловленного граничными явлениями. Именно этот потенциал способствует перемещению образованных под действием энергии излучения носителей заряда.