62) Напишите формулы расчета сопротивлений: по постоянному току и дифференциальное.

Wб – ширина базы; Lp – диффузионная длинна дырок;

Dб – коэффициент диффузии; P – концентрация;

Дифференциальное сопротивление как всегда считается по формуле: .

Именно различие данных сопротивлений и есть в сущности отражение нелинейности диода.

63) Какие типы пробоя Вам известны. Кратко поясните их.

Экспериментально установлено, что при повышении обратного напряжения до некоторой величины обратный ток диода возрастает. Это явление носит название пробоя перехода, а соответствующие напряжение называется напряжением пробоя.

Известны следующие виды пробоя:

-тепловой

-лавинный

-туннельный

-поверхностный

Тепловой пробой: при протекании обратного тока через p-n переход выделяется тепло, в результате чего повышается температура перехода. Увеличение температуры приводит в возрастанию обратного тока и т.д.

Лавинный пробой: носители заряда, ускоряющиеся в электрическом поле могут набрать энергию, достаточную для ионизации электронно-дырочной пары. Новые носители также ускоряются в поле перехода и т.д.

Туннельный пробой: увеличение обратного тока происходит благодаря увеличению вероятности просачивания носителей заряда через потенциальный барьер, создаваемый запрещенной зоной полупроводника.

Поверхностный пробой: связан с имением свойств полупроводника вблизи поверхности. Протекание сильно зависит от вида полупроводника.

64) Дайте определение и напишите формулу для уровня инжекции.

Это отношение концентрации избыточных носителей к равновесной концентрации основных

65) Дайте определение и напишите формулу расчета коэффициента инжекции.

В плоскости перехода диод имеет электронную и дырочную составляющие.

- коэффициент инжекции дырок, показывает какая часть тока в плоскости перехода переносится дырками.

- коэффициент инжекции дырок, показывает какая часть тока в плоскости перехода переносится дырками.

; - вариант формулы для расчета.

66) Поясните с чем связаны барьерная и диффузионная емкости диода. Какие альтернативы существуют классическому диоду с р-n переходом?

Как и всякий электронный прибор - диод – элемент инерционный. При работе в режиме переключения из проводящего в непроводящее состояние инерционность диода проявляется в следующем:

1). После подачи на закрытый диод запирающего напряжения его высокое обратно сопротивление устанавливается с некоторой задержкой.

2). После подачи на открытый диод отпирающего напряжения инжекция носителей заряда через переход начинается с задержкой.

Инерционность диода связана с двумя физическими явлениями накопления заряда.

1). При изменении напряжения p-n перехода изменяется его ширина и, следовательно, полное количество положительного и отрицательного заряда в области перехода. Изменение заряда конечным током осуществляется только за конечное время, значит, задержка неизбежна.

2). При изменении напряжения на диоде изменяется полный заряд не основных носителей, инжектированных их эмиттера в базу, значит, требуется время.

Таким образом приходим к следующей схеме замещения для диода:

Учитываем накопление заряда в области перехода путем введения барьерной емкости, а медленное изменение заряда не основных носителей инжектированных из эмиттера в базу путем введения диффузионной емкости.