22. Варикапы. Принцип действия. Основные параметры варикапов. Схема замещения варикапа на нч, на вч.

Варикап—полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкостиp-n переходаот обратногонапряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частотыколебательного контура, деления и умножения частоты,частотной модуляции, управляемыхфазовращателей и др.

Принцип работы варикапа упрощенно можно представить следующим образом. При приложении к варикапу электрического напряжения его емкость изменяется в зависимости от величины напряжения, т.е. величине напряжения соответствует определенная величина емкости. Это позволяет электрически плавно изменять частоту контура LС. При конструировании радиосхем и иных частотных приборов с применением варикапов открываются широчайшие возможности уменьшения габаритно-весовых характеристик этих приборов. Одновременно возрастают возможности их функционального усложнения и совершенствования потребительских качеств. Разработка ПГ на полупроводниковых приборах позволяет выполнить блок питания и управления также на полупроводниковых приборах. Для перекрытия трех диапазонов частот требуются три перестраиваемых генератора на митронах с источниками питания и три перестраиваемых генератора на полупроводниковых приборах с одним блоком питания и управления (т. е. варикапа). Перспективы развития электронной техники данного типа очень широки.

Параметры:номинальная емкость, максимальная емкость, минимальная емкость, номинальная добротность варикапа, максимально допустимое напряжение, температурный коэффициент емкости, температурный коэффициент добротности, коэффициент перекрытия, максимально допустимая мощность, общее тепловое сопротивление.

23. Импульсные диоды. Основные параметры, характеризующие работу в импульсном режиме.

Импульсный диод—диод, предназначенный для работы в импульсных схемах. Положительный импульс диод пропускает без искажений и при прямом напряжении через диод проходит большой ток. При смене полярности входного напряжении на отрицательный диод запирается, но не сразу, в начале происходит резкое увеличение обратного тока, затем, после рассасывания, неравновесных носителей восстанавливается высокое сопротивлениеp-n перехода, и диод запирается. Данный тип диодов применяют в импульсных ключевых схемах с малым временным переключением.

К основным параметрам импульсных диодов относятся в первую очередь их частотно-временные характеристики (время прямого и обратного восстановления, граничная рабочая частота, эффективное время жизни носителей зарядов и т.п.), а также характеристики допустимой амплитуды и мощности сигналов (максимальный прямой ток, максимальное обратное напряжение и т.п.

24. Принцип действия, характеристики и параметры тд. Расчет основных параметров тд.

Обычные диодыпри увеличении прямого напряжениямонотонноувеличивают пропускаемый ток. В туннельном диодеквантово-механическое туннелированиеэлектронов добавляет горб ввольтамперную характеристику, при этом, из-за высокой степени легированияp и n областей, напряжение пробоя уменьшается практически до нуля. Туннельный эффект позволяет электронам преодолеть энергетический барьер в зоне перехода с шириной 50..150 Å при таких напряжениях, когда зона проводимости в n-области имеет равные энергетические уровни с валентной зоной р-области.

К основным параметрам туннельных диодов относятся:напряжение пика(Uп),ток пика(Iп),напряжение впадины(Uв), ток впадины (Iв),отношение токов (Iп/Iв),напряжение раствора(Uрр), а также некоторые другие, характеризующие ВАХ диода и его импульсные свойства.