
- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов по характеру рабочей среды, мощности, частотному диапазону.
- •2. Свойства полупроводников. Основные материалы полупроводниковой электроники, и их основные электрофизические параметры.
- •3. Элементы зонной теории полупроводников. Генерация и рекомбинация носителей.
- •4. Собственные и примесные полупроводники. Концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •5. Дрейфовое движение, подвижность носителей и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •6.Дрейфовый и диффузионный токи.
- •7. Зависимость плотности дрейфового тока и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •8. Тип электронно-дырочных переходов и контактов.
- •9. Образование p-n-перехода. Диффузионная длина электронов и дырок.
- •10. Процессы в p-n-переходе при отсутствии внешнего электрического поля. Контактная разность потенциалов.
- •11. Симметричный и несимметричный p-n-переходы.
- •12. Распределение электронов и дырок в p-n-переходе. Определение напряженности и толщины p-n-перехода при отсутствии внешнего напряжения.
- •13. Работа p-n-перехода при подаче внешнего прямого напряжения. Явление инжекции.
- •15. Уравнение вольт-амперной характеристики. Отличие реальной характеристики от теоретической.
- •16.Пробой p-n-перехода. Виды пробоя.
- •17. Емкости в p-n-переходе.
- •1 8. Устройство полупроводниковых диодов. Классификация диодов по частоте, мощности, по назначению.
- •19. Основные параметры диодов и определение их по статическим характеристикам. Схема замещения диода.
- •21.Принцип работы и схема включения стабилитрона. Основные параметры стабилитрона.
- •22. Варикапы. Принцип действия. Основные параметры варикапов. Схема замещения варикапа на нч, на вч.
- •23. Импульсные диоды. Основные параметры, характеризующие работу в импульсном режиме.
- •24. Принцип действия, характеристики и параметры тд. Расчет основных параметров тд.
- •25. Устройство биполярных транзисторов. Определение режимов работы транзистора.
- •26. Схемы включения транзисторов: сОб, оэ, ок. Связь между коэффициентами передачи тока в различных схемах включения.
- •27. Токи в транзисторе в активном режиме.
- •28. Статические характеристики бт в схеме с об.
- •29. Особенности работы схемы с оэ.
- •30. Системы параметров транзисторов. Y-параметры, формальная схема замещения.
- •38. Построение нагрузочных характеристик и кривой допустимой мощности. Выбор области безопасного режима.
- •39. Особенности работы транзисторов на вч.
- •40. Устройство и принцип действия полевых транзисторов. Классификация полевых транзисторов.
- •41. Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения в пт.
- •42. Схемы включения пт: ои, ос, оз.
- •43. Статические характеристики пт с управляющем p-n-переходом.
- •44. Статические параметры пт и расчет их по характеристикам.
- •45. Расчет коэффициента усиления и выходной мощности пт в рабочем режиме.
- •4 6. Эквивалентная схема пт.
- •48. Электронно-лучевые приборы. Устройство электронно-лучевых трубок. Системы фокусировки и отклонения.
- •49.Устройство и принцип действия электростатической системы и магнитной фокусировки.
- •50.Отклоняющие системы элт. Чувствительность трубок с электростатической и магнитной отклоняющими системами.
- •51. Экраны элт. Основные параметры экранов, типы экранов. Обозначения элт.
- •52. Типы элт: осциллографические, индикаторные, кинескопы и их особенности.
- •53. Газоразрядные индикаторы. Принцип работы газоразрядных индикаторных панелей (гип).
- •54. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство жки.
- •55. Полупроводниковые индикаторы. Устройство и принцип действия.
- •56. Фотоэлектрические приборы. Типы фотоэлектрических приборов: основные характеристики и параметры. Области применения.
- •57. Оптоэлектронные приборы. Классификация и типы.
- •58. Оптроны, устройство и принцип действия. Типы оптронов.
- •59.Шумы полупроводниковых приборов. Сравнительная оценка шумовых свойств бт пт.
- •60. Устройство и принцип действия электровакуумных приборов. Типы электронных ламп и области их применения.
25. Устройство биполярных транзисторов. Определение режимов работы транзистора.
Биполярным транзистором называется электронный прибор с двумя взаимодействующимиp-n-переходами и тремя или более выводами.P-n-переходы образуются тремя близко расположенными областями с чередующимися типами электропроводности:p-n-pилиn-p-n. Такие транзисторы называют биполярными, так как их работа основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок.
Всего существует четыре режима работы транзистора:(Сокращения: ЭП - эмиттерный переход, КП - коллекторный переход)
1) Активный режим - ЭП - в прямом, КП - в обратном
2) Режим насыщения - ЭП - в прямом, КП - в прямом
3) Инверсный режим - ЭП - в обратном, КП - в прямом
4) Режим отсечки - ЭП - в обратном, КП - в обратном.
26. Схемы включения транзисторов: сОб, оэ, ок. Связь между коэффициентами передачи тока в различных схемах включения.
Для усиления электрического сигнала в цепь транзистора необходимо включить два источника – входного сигнала и питания. Поскольку транзистор имеет три вывода? (эмиттер, база, коллектор), а два источника питания имеют четыре вывода, то обязательно один из выводов транзистора будет общим для обоих источников, т. е. одновременно будет принадлежать и входной цепи и выходной. По этому признаку различают три возможных схемы включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
С
общей базой: схема включения транзистора
с общей базой используется преимущественно
в каскадах усилителей высоких частот.
Усиление каскада с ОБ обеспечивает
усиление только по напряжению. Данное
включение транзистора позволяет более
полно использовать частотные
характеристики транзистора при
минимальном уровне шумов. Более
высокочастотный транзистор способен
усиливать и более высокие частоты. С
повышением рабочей частоты, коэффициент
усиления транзистора понижается.
Каскад, собранный по схеме с общей
базой, обладает низким входным и
невысоким выходным сопротивлениями.
Каскад сОБ не изменяет фазы входного
сигнала. Коэффициент передачи по току:
С общим коллектором: обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше еденицы. Входное сопротивление каскада с ОК зависит от сопротивления нагрузки (Rн). Данная схема используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника можно привести, например, пьезоэлектрический или конденсаторный микрофон. Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала.
Коэффициент
усиления по току:
С
общим эмиттером: обладает высоким
усилением по напряжению и току. К
недостаткам данной схемы включения
можно отнести невысокое входное
сопротивление каскада (порядка сотен
ом), высокое (порядка десятков КилоОм)
выходное сопротивление. Отличительная
особенность - изменение фазы входного
сигнала на 180 градусов (то есть -
инвертирование). Благодаря высокому
коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет
преимущественное применение по сравнению
с ОБ и ОК. Коэффициент усиления по току: