
- •Электронная Оже - спектроскопия (эос).
- •1. Возможности, применение, особенности метода эос.
- •2. Физические основы методы эос. Механизм Оже-процесса.
- •3. Оэс. Глубина выхода Оже-электронов.
- •4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.
- •5. От чего зависит интенсивность линий Оже - спектра.
- •8. Методика обработки и расшифровки Оже - спектров.
- •10. Количественный анализ с помощью метода эос.
- •11. Устройство оборудования для измерения методом эос.
- •13. Аппаратура для эос. Источники электронов (устройство принцип, работы и требования).
- •14.Аппаратура для эос. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало ацз.
- •15. Область применения и ограничения метода эос.
- •Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфс).
- •Количественный анализ
- •3. Рфс спектры, их получение. Структура пиков. Валентные уровни.
- •4. Рфс Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом рфс. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом рфс.
- •5. Аппаратура для рфс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом рфс.
- •6. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
- •7. Аппаратура для рфс. Полусферический анализатор электронов (пса). (Устройство, принцип работы и энергетическое разрешение.)
- •8. Рфс.Энергетическое разрешение(разрешающая способность) в методе рфс.
- •9. Количественный анализ с помощью метода рфс.
- •10. Химический анализ методом рфс. Химический сдвиг.
- •11.Определение состава по глубине образца методом рфс. Определение толщины тонких пленок. Определение состава по глубине образца
- •12. Область применения и ограничения метода рфс.
- •Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс).
- •2. Вимс Взаимодействие первичных ионов с твёрдым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коеффициент вторичной ионной эмиссии.
- •3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе вимс.
- •4. Аппаратура для вимс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом вимс.
- •5. Аппаратура для вимс. Источник первичных ионов (жидкие металлы, газы).
- •6.Аппаратура для вимс. Масс-анализатор вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный)
- •7. Методика получения масс-спектра в методе вимс. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.
- •8. Вимс. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).
- •9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода вимс (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).
- •10. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода вимс на структуру кратера распыления.
- •11. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Получение концентрационных профилей распределения.
- •12. Количественная обработка данных методом вимс. Приготовление Эталонов для количественного анализа.
- •13. Область применения и ограничения метода вимс.
- •14. Сравнение метода вимс динамического и времяпролетного.
- •1.Возможности, применение, особенности методов сзм
- •2. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии (стм). Туннельный эффект.
- •3.Физические основы метода атомно-силовой микроскопии (асм)
- •4. Аппаратура для стм. Требования и устройство сканирующего элемента для метода стм.
- •6. Конструкция установок сзм (основные положения).
- •7. Возможности метода стм (рельеф поверхности, локальная работа выхода электронов).
- •8. Возможности метода асм(рельеф поверхности, атомное разрешение).
- •9. Область применения и ограничения методов сзм.
8. Рфс.Энергетическое разрешение(разрешающая способность) в методе рфс.
Для улучшения разрешающей способности прибора (разрешение прибора характеризуют полушириной пика) повышают монохроматичность источника возбуждения. Наиболее эффективный способ монохроматизации - применение дифракции рентгеновских лучей в кристалле.
Разрешающая способность: спектрометра зависит от ширины линии РФС спектра (Eл). Величина Eл, измеряемая на половине интенсивности линии складывается из след.составляющих:
Eл
= Eан+
Eh
+
Eн.з.+
Eур.
,
где Eан
–
акппаратурное расширение(зависит от
способа записи спектра- в режиме
=
const
это 0.1%, а в режиме
+ const-1%
от анализируемых энергий. Eh
-
ширина используемой рентгеновской
линии(= 0.6-0.85эВ для Mg
K
и Al
K
-линий. Eн.з
-
уширение, связанное с неравномерной
зарядкой образца(может достичь нескольких
десятых эВ). Eур
-
ширина атомного уровня (от десятых долей
до единиц эВ). Т.о., значение Eл
в
среднем составляет 1-2 эВ при анализируемых
энергиях электронов порядка 500эВ.
9. Количественный анализ с помощью метода рфс.
Интенсивность линий химических элементов в рентгеновском фотоэлектронном спектре зависит от их количества в изучаемом объекте. Поэтому, измеряя интенсивность фотоэлектронных пиков, можно проводить количественный анализ исследуемой поверхности. Но амплитуда сигнала зависит еще и от средней длины свободного пробега электронов и от эффективности поглощения веществом рентгеновского излучения – сечения фотоионизации.
Интенсивность
линии рентгеноэлектронного спектра
определяется след.выражением:
, C-атомная
концентрация,
-
сечение ионизации изучаемого электронного
уровня,
– длина свободного пробега фотоэлектронов
в изучаемом образце.
Длина
определения
можно приближенно принять
.
Т.о., можно записать соотношение
интенсивностей для 2 линий:
. это
соотношение
позволяет
определить отношение концентраций и
тем самым контролировать состав
поверхности изучаемого образца. Обычно
относительная погрешность
не
более 20%. Метод РФС позволяет идентифицировать
почти все химические элементы (кроме
водорода) при их относительной концентрации
в образце (сечения фотоионизации)
чувствительность элементного анализа
на два порядка выше.
10. Химический анализ методом рфс. Химический сдвиг.
Физические принципы метода основаны на явлении фотоэффекта. В спектрометре монохроматический пучок рентгеновских лучей с энергией фотонов hν падает на исследуемое вещество, атомы которого поглощают фотоны. Связанный электрон переходит в свободное состояние и вылетает за пределы образца с энергией, которая в идеальном случае должна удовлетворять уравнению (6.7). Однако на практике при работе с твердыми образцами необходимо еще учитывать работу выхода спектрометра φS , поэтому уравнение (6.7) примет вид : ε св. = hν - Eкин. +φS . (6.9)
Электроны возбуждаются со всех уровней атома, на которых ε св. < hν . Зная величину hν и Eкин. , которую измеряют с помощью электронного спектрометра, можно определить энергию связи электрона на том или ином уровне атома. Для каждого элемента периодической системы Менделеева
характерно свое строение атома, поэтому по спектрам фотоэлектронов можно провести соответствующую классификацию.
Рис. 1. Спектр фотоэлектронов золотой фольги.
Соответственно, анализируя полученные пики, можно их идентифицировать и определить химический состав образца.
Р
ис.
2. Химический сдвиг энергии связи 1s-
электронов бериллия в соединениях
Положение пика, характерного для определяемого элемента зависит от взаимодействия атомов этого элемента с атомами других элементов. В результате изменения валентности, координации, типа или энергии связи незначительно изменяется энергия электронов внутренних оболочек, что проявляется в фотоэлектронных спектрах в виде химического сдвига (рис. 6.16). Сравнивая величины химических сдвигов в различных химических соединениях, можно определить характер функциональных групп в соединениях.