
- •Электронная Оже - спектроскопия (эос).
- •1. Возможности, применение, особенности метода эос.
- •2. Физические основы методы эос. Механизм Оже-процесса.
- •3. Оэс. Глубина выхода Оже-электронов.
- •4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.
- •5. От чего зависит интенсивность линий Оже - спектра.
- •8. Методика обработки и расшифровки Оже - спектров.
- •10. Количественный анализ с помощью метода эос.
- •11. Устройство оборудования для измерения методом эос.
- •13. Аппаратура для эос. Источники электронов (устройство принцип, работы и требования).
- •14.Аппаратура для эос. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало ацз.
- •15. Область применения и ограничения метода эос.
- •Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфс).
- •Количественный анализ
- •3. Рфс спектры, их получение. Структура пиков. Валентные уровни.
- •4. Рфс Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом рфс. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом рфс.
- •5. Аппаратура для рфс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом рфс.
- •6. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
- •7. Аппаратура для рфс. Полусферический анализатор электронов (пса). (Устройство, принцип работы и энергетическое разрешение.)
- •8. Рфс.Энергетическое разрешение(разрешающая способность) в методе рфс.
- •9. Количественный анализ с помощью метода рфс.
- •10. Химический анализ методом рфс. Химический сдвиг.
- •11.Определение состава по глубине образца методом рфс. Определение толщины тонких пленок. Определение состава по глубине образца
- •12. Область применения и ограничения метода рфс.
- •Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс).
- •2. Вимс Взаимодействие первичных ионов с твёрдым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коеффициент вторичной ионной эмиссии.
- •3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе вимс.
- •4. Аппаратура для вимс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом вимс.
- •5. Аппаратура для вимс. Источник первичных ионов (жидкие металлы, газы).
- •6.Аппаратура для вимс. Масс-анализатор вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный)
- •7. Методика получения масс-спектра в методе вимс. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.
- •8. Вимс. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).
- •9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода вимс (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).
- •10. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода вимс на структуру кратера распыления.
- •11. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Получение концентрационных профилей распределения.
- •12. Количественная обработка данных методом вимс. Приготовление Эталонов для количественного анализа.
- •13. Область применения и ограничения метода вимс.
- •14. Сравнение метода вимс динамического и времяпролетного.
- •1.Возможности, применение, особенности методов сзм
- •2. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии (стм). Туннельный эффект.
- •3.Физические основы метода атомно-силовой микроскопии (асм)
- •4. Аппаратура для стм. Требования и устройство сканирующего элемента для метода стм.
- •6. Конструкция установок сзм (основные положения).
- •7. Возможности метода стм (рельеф поверхности, локальная работа выхода электронов).
- •8. Возможности метода асм(рельеф поверхности, атомное разрешение).
- •9. Область применения и ограничения методов сзм.
4. Рфс Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом рфс. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом рфс.
Рентгеновская электронная спектроскопия основана на явлении фотоэффекта с использованием монохроматического рентгеновского излучения и позволяет определять энергии электронных уровней на основании измеренных кинетических энергий фотоэлектронов.
Теория метода на уравнении фотоэффекта: hν=Eсв+Екин, где hν – энергия падающих квантов
Eсв – энергия связи валентного или внутреннего электрона в веществе; Екин - кинетическая энергия электрона после фотоионизации.
Зная энергию излучения и измерив кинетическую энергию фотоэлектронов, легко рассчитать энергию связи электрона на том или ином уровне. Каждый элемент имеет свой специфический набор значений энергий связи для внутренних электронов, и по ним можно судить об элементном составе образца. Рассмотрим процессы в твердом теле, связанные с испусканием фотоэлектронов. При облучении образца рентгеновским излучением свободный электрон( в нашем случае электрон К-оболочки) переходит в свободное состояние и вылетает за пределы образца.
Этот электрон имеет определенную кинетическую энергию, точность измерения которой ограничена естественной шириной уровня, с которого выбрасывается электрон, а также точностью измерения энергии падающего характеристического рентгеновского излучения. Спектры исследуемых электронов обозначают следующим образом: сначала приводят химический символ элемента, затем обозначение уровня, с которого удален электрон, со спиновым квантовым числом j в нижнем индексе. Например, Si2P1/2, Au4f7/2.
Для определения энергии связи измеряют кинетическую энергию (Екин) фотоэлектронов в анализаторе спектрометра. Измеряемое значение Екин отличается от величины Екин для электронов, вылетевших из образца, но еще не попавших в анализатор. Это различие вызвано существованием между образцом и анализатором контактной разности потенциалов, равной разнице работ выхода электронов из образца об. и анализатора ан. (рис.2).
В экспериментах РФС между исследуемым образцом и материалом анализатора устанавливается электростатическое равновесие - уровни Ферми выравниваются. Тогда за нуль отсчета кинетической энергии выбитого электрона естественно принять уровень Ферми материала анализатора, т.е. определять величину энергии связи (Есв.) из выражения:
Есв = h - Екин - ан. (2)
В процессе рентгеновской фотоэмиссии вследствие вылета электронов из образца (для случая диэлектриков и полупроводников) на образце скапливается положительный электрический заряд, и фотоэлектронный спектр в целом сдвигается в сторону более низких кинетических энергий. Для оценки энергетического смещения спектров за счет зарядки используют методы внутреннего и внешнего стандартов. При изучении адсорбированных слоев или соединений на поверхности в качестве внутреннего стандарта используют энергию связи атомов подложки, если материал подложки существенно не меняется. Распространенным внешним стандартом является энергия линии углерода С1s - 285 эВ, появляющийся от слоя углеводородов, часто присутствующих на изучаемой поверхности. Часто в качестве внешнего стандарта применяют линии от напыленной на образце пленки золота.