- •Электронная Оже - спектроскопия (эос).
- •1. Возможности, применение, особенности метода эос.
- •2. Физические основы методы эос. Механизм Оже-процесса.
- •3. Оэс. Глубина выхода Оже-электронов.
- •4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.
- •5. От чего зависит интенсивность линий Оже - спектра.
- •8. Методика обработки и расшифровки Оже - спектров.
- •10. Количественный анализ с помощью метода эос.
- •11. Устройство оборудования для измерения методом эос.
- •13. Аппаратура для эос. Источники электронов (устройство принцип, работы и требования).
- •14.Аппаратура для эос. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало ацз.
- •15. Область применения и ограничения метода эос.
- •Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфс).
- •Количественный анализ
- •3. Рфс спектры, их получение. Структура пиков. Валентные уровни.
- •4. Рфс Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом рфс. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом рфс.
- •5. Аппаратура для рфс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом рфс.
- •6. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
- •7. Аппаратура для рфс. Полусферический анализатор электронов (пса). (Устройство, принцип работы и энергетическое разрешение.)
- •8. Рфс.Энергетическое разрешение(разрешающая способность) в методе рфс.
- •9. Количественный анализ с помощью метода рфс.
- •10. Химический анализ методом рфс. Химический сдвиг.
- •11.Определение состава по глубине образца методом рфс. Определение толщины тонких пленок. Определение состава по глубине образца
- •12. Область применения и ограничения метода рфс.
- •Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс).
- •2. Вимс Взаимодействие первичных ионов с твёрдым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коеффициент вторичной ионной эмиссии.
- •3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе вимс.
- •4. Аппаратура для вимс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом вимс.
- •5. Аппаратура для вимс. Источник первичных ионов (жидкие металлы, газы).
- •6.Аппаратура для вимс. Масс-анализатор вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный)
- •7. Методика получения масс-спектра в методе вимс. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.
- •8. Вимс. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).
- •9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода вимс (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).
- •10. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода вимс на структуру кратера распыления.
- •11. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Получение концентрационных профилей распределения.
- •12. Количественная обработка данных методом вимс. Приготовление Эталонов для количественного анализа.
- •13. Область применения и ограничения метода вимс.
- •14. Сравнение метода вимс динамического и времяпролетного.
- •1.Возможности, применение, особенности методов сзм
- •2. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии (стм). Туннельный эффект.
- •3.Физические основы метода атомно-силовой микроскопии (асм)
- •4. Аппаратура для стм. Требования и устройство сканирующего элемента для метода стм.
- •6. Конструкция установок сзм (основные положения).
- •7. Возможности метода стм (рельеф поверхности, локальная работа выхода электронов).
- •8. Возможности метода асм(рельеф поверхности, атомное разрешение).
- •9. Область применения и ограничения методов сзм.
4. Аппаратура для вимс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом вимс.
т
ребования
к вакууму:
чтоб частицы долетали до анализатора.
5. Аппаратура для вимс. Источник первичных ионов (жидкие металлы, газы).
Установка позволяет исследовать следующие виды первичных пучков: О2+, Ar+, Хе+(источник первичных ионов – дуоплазмотрон модели 06-660). Источники первичных ионов установлены под углом 60 от нормали к поверхности образца. Наклон обраца при необходимости также можно изменять. Дуоплазмотрон представляет собой источник первичных ионов большой яркости, т.е. обладает высокой плотностью тока при малой угловой расходимости и малом разбросе значений энергий. В дуоплазмотроне имеет место двойное сжатие заряяда: во-первых, благодаря соответствующей геометрии электродов и, во-вторых, благодаря использованию неоднородного магнитного поля на оси источника, при помощи которого разряд сжимается в очень малой области вблизи оси пучка. Внутри источника, вблизи отверстия, через которое вытягиваются ионы, достигается высокая концентрация ионов(и электронов) и поэтому образуется локальный герб потенциала(высотой примерно 20 эв) по отношению к потенциалу окружающего пространства. Ионы как бы «скатываются» с этого горба, и их не нужно вытягивать(вносящим возмущение) тянущим полем.
Схема цезиевого источника представлена на рис.4
Металлический
цезий нагревается в резервуаре, и
полученные пары подаются через
направляющую трубку к пористой
вольфрамовой пробке. Атомы цезия
диффундируют через поры в пробке к ее
передней поверхности, которая нагревается
до температуры более 1100 С
нагревателем ионизатора. Приэтом
происходит ионизация атомов цезия, т.к.
работа выхода вольфрама(4,52 эВ) существенно
выше потенциала ионизации цезия(3,88 эВ).
Далее ионы вытягиваются и ускоряются
с энергией до 10 кэВ.
6.Аппаратура для вимс. Масс-анализатор вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный)
Принципиальная схема установки фирмы Perkin Elmer PHI 6600 SIMS Sustem представлена на рис.2, вакуумная схема установки – на рис.3
рис2 Принципиальная схема установки.
Анализатор, квадруполь модели 04-640(16мм) и детектор собирают и анализируют ионы, вылетающие с поверхности твердого тела,бомбардируемой сфокусированным ионным пучком. Анализатор состоит из высокоэффективной вытягивающей линзы 90- ного сферического секторного электростатического энергетического анализатора ионов и рефокусирующей линзы, и все это совмещено с квадрупольным массспектрометром и электронным умножителем.
Первичный пучок из ионной пушки бомбардирует образец и вытягивает из поверхности вторичные ионы (положительные и отрицательные) и нейтральные частицы. Каждый втоичный ион покидает образец с орпеделенной кинетической энергией. Затем ионы входят в энергоанализатор или в энергетический фильтр. Энергетический фильтр представляет собой сферический конденсатор с напряжением на его внешней и внутренней обкладках, который пропускает ионы с определенной энергией через фильтр. Как только ионы выходят из энергетического фильтра, они фокусируются таким образом, что проходят через апертуру. Кинетическая энергия каждого иона уменьшается благодаря фокусному напряжению. Далее ионы попадают в квадруполь.
Квадруполь состоит из двух пар прецезионно расположенных металлических стержней, которые сортируют ионы с определенным соотношением масса/заряд (m/z) из всех других вторичных ионов. Противоположные пары электрически соединяются. На одну пару подается положительное смещение относительно земли, на другую – отрицательное. RF-напряжение прикладывается между положительной и отрицательной парами стержней. В данной установке предусмотрено использование RF-генератора от 0 до 255 и от0 до 127.
Ионы выбранной массы выходят из квадруполя и попадают в электронный умножитель, где полученные вторичные электроны умножаются в каскадном процессе до соударения с коллектором.
Магнитный – создает магнитное поле, т.е. сепарация происходит в магнитном поле.
Время пролетный – частицы(ионы) проходят через апертуру и попадают в ускоряющее поле. Вылетают с определенной массой. Расположен счетчик(расп.ионы по времени). Легкие летят быстро, тяжелые медленее.
