Заключение

В выполненной работе спроектирована микросхема «параметрический стабилизатор», произведены расчеты элементов схемы, разработаны технические требования и технологический маршрут изготовления микросхемы. Также сформирована топология и выбраны навесные элементы.

Разработаны биполярный p-n-p транзистор и полевой транзистор размерами 2,7 мкм.

Данная микросхема используется для стабилизации напряжения в слаботочных схемах. Часто, такая схема стабилизатора применяется как источник опорного напряжения в более сложных схемах стабилизаторов.

Список литературы

1. http://ru.wikipedia.org/wiki/Интегральная_схема.

2. http://ru.wikipedia.org/wiki/Стабилизатор.

3. http://electro-voto.ru/publics/arts/post-26/

4. Коледов Л. А., Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок, «Лань»: М. – 400 с.

5. Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А.. Седов, Справочник радиолюбителя, -  Государственное издательство технической литературы УССР, 1957.- с.356.

18