Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
194.docx
Скачиваний:
12
Добавлен:
21.09.2019
Размер:
60.15 Кб
Скачать

212. Что такое р-n переход? Почему он обладает односторонней проводимостью?

p-n-Перехо́д или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой. Чтобы объяснить, почему в первом случае ток возникает, а во втором — тока нет, надо знать, что происходит внутри кристалла. Если диод включить в цепь так, чтобы полупроводник n-типа был соединен с отрицательным полюсом источника тока, полупроводник p-типа — с положительным полюсом того же источника, то электрическое поле этого источника тока ослабляет запирающее поле p—n-перехода. В результате дырки и электроны свободно переходят из одной области в другую, и по цепи проходит электрический ток. Если же изменить полярность, то электрическое поле источника тока усилит запирающее поле электронно-дырочного перехода, что препятствует диффузии электронов и дырок через р—n-переход. Ток в цепи прекращается. Таким образом, полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным переходом обладает односторонней проводимостью.

213. Что такое термоЭдс? Чем она объясняется?

Между двумя различными металлическими проводниками в месте их соединения возникает контактная разность потенциалов, обусловленная различием работы выхода электронов из разных металлов, неодинаковой концентрацией электронов и давлением электронного газа. Разность потенциалов U, появляющаяся на концах разомкнутой электрической цепи, состоящей из двух различных проводников, контакты которых находятся при различных температурах (Т1 и Т2) называется термоэлектродвижущей силой (эффект Зеебека) U = lт ( Т2 - Т1 ),

где lт- относительная дифференциальная (удельная) термо - э.д.с.

Причины термо - э.д.с.: 1. температурная зависимость контактной разности потенциалов; 2. диффузия носителей заряда от горячих спаев к холодным; 3. увлечение электронов фононами (квантами тепловой энергии).

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]