- •2. Этапы развития методов и аппаратуры контроля рэс.
- •4. Обобщенная структурная схема аск параметров.
- •12. Сравнительный анализ схем преобразователей параметров линейных двухполюсников.
- •16. Контроль обратного тока и напряжения насыщения биполярного транзистора.
- •18. Контроль дифференциального коэффициента усиления сигнала оу.
- •24. Контроль статических параметров цап методом сравнения с эталоном.
- •25. Контроль погрешности нелинейности цап методом двухтактного интегрирования.
- •26. Контроль статических параметров ацп с использованием образцового цап.
- •27. Контроль переходных уровней ацп.
- •28. Классификация методов функционального контроля цимс.
- •31. Понятие о методах контроля бис зу (контроль блочного типа и афт типа n), контролируемые отказы бис зу.
12. Сравнительный анализ схем преобразователей параметров линейных двухполюсников.
«схема U» «схема I»
линейность преобразования параметров |
справедлива для параметров группы проводимостей и электрической емкости. |
группы сопротивлений и индуктивности |
стабильность преобразования |
контролируемый 2-хполюсник не находиться в цепи ОС, что обеспечивает устойчивость схемы в процессе измерения |
наличие цепи ОС комплексный параметр Zх может привести к самовозбуждению схемы и полной потере мощности |
влияние дестабилизирующих факторов(погрешность термо ЭДС) |
термо ЭДС контактов адаптера включается последовательно с ист Е программируемым, т.о. термо ЭДС участвует как мультипликативная составляющая погрешности, которая устраняется тестовым методом |
контактная разность потенциалов включена в цепь ОС и в функции преобразования участвует как нелинейная составляющая(трудно устранима) |
неразрушающий характер преобразования |
В случае отсутсвия контроля параметра Zx и выбора программируемого источника Е=0,2-0,4В р-п переходы, входящие в Zш1 не разрушаются. Схема обладает свойством неразрушающего контроля |
В случае отсутствия контролир параметра Zx ОУ может перейти в состояние насыщения- к Zш2 м.б. приложены большие напряжения. Не обладает свойством не разрушающего контроля |
16. Контроль обратного тока и напряжения насыщения биполярного транзистора.
В
лияние
шунтирующих сопротивлений на
отсутствует.
18. Контроль дифференциального коэффициента усиления сигнала оу.
Для контроля Kд используется метод электрического деления напряжения.
;
;
24. Контроль статических параметров цап методом сравнения с эталоном.
В
схеме имеются 2 интегратора, выполняющие
функцию аналоговой памяти. 1. Контроль
аддитивной составляющей ЦАП. Nx
= 0…0. УУ формирует нулевое кодовое слово
на входе обоих преобразователей. Т.о.
подав на оба входа нулевое значение мы
получим разностный сигнал, пропорциональный
аддитивной составляющей. 2. Контроль
мультипликативной составляющей ЦАП.
Nx
= F…F.
После этого осуществляется корректировка
мультипликативной составляющей.
Недостатком данного способа является
использование дорогостоящего эталонного
ЦАП.
25. Контроль погрешности нелинейности цап методом двухтактного интегрирования.
26. Контроль статических параметров ацп с использованием образцового цап.
С
труктурная
схема контроля параметров АЦП с
использованием ЦАП. Работа схемы:
формирователь кодов в диапазоне n(0)
до Nmax
выдает любое произвольное значение
.
Это значение подается на два устройства:
1. Эталонное ЦАП; 2. Цифровое вычитающее
устройство. После завершения цикла
преобразования, выдается импульс на
начало преобразования АЦП. Чтобы текущие
коды не нарушили работу схемы, на выход
АЦП ставится регистр памяти. Эталонный
ЦАП – это ЦАП, который минимум на 4
разряда должен превышать разрядность
контролируемого ЦАП.
