
- •3. Технологические операции формирования поликристаллического слитка
- •4. Кремний Si
- •5. Метод Чохральского
- •6. Метод зонной плавки
- •7. Подготовка слитков и резка на пластины
- •8. Механическое шлифование пластин
- •9. Механическая полировка пластин
- •13, 14. Жидкостное химическое травление
- •33. Эпитаксия
- •34. Газофазная эпитаксия (гфэ)
- •35. Жидкофазная эпитаксия (жфэ)
- •36. Молекулярно-лучевая (-пучковая) эпитаксия
- •48. Бид технология.
9. Механическая полировка пластин
Полировка полупроводниковых пластин - процесс, основная цель которого обеспечить высокую чистоту обрабатываемой поверхности и оставить минимальный нарушенный слой. Так же как шлифовка, полировка может быть предварительной и окончательной (тонкой). Предварительную полировку производят алмазными суспензиями и пастами зернистостью от 3 до 1 мкм (АСМ-3, АСМ-1). Алмазную суспензию приготавливают из синтетических алмазных порошков, часового или приборного масла. Окончательную полировку выполняют субмикронными алмазными порошками и пастами или мягкими полирующими составами на основе оксидов алюминия, хрома, циркония, кремния с величиной зерна менее 0,4 мкм. Полированные поверхности пластин имеют 13 - 14-е классы шероховатости.
Полировку производят на мягких доводочных дисках - полировальниках. По характеру воздействия на обрабатываемую поверхность различают механическую, химическую и химико-механическую полировки.
К полировальникам предъявляют высокие требования: они не должны иметь порезов, складок, утолщенных ниток, что может привести к появлению рисок на обрабатываемой поверхности или разрыву полировального материала и порче всей партии пластин. Радиальное биение установленного на станке полировальника, контролируемое специальным индикатором, не должно превышать 0,8 мкм.
Алмазные полирующие составы, применяемые в виде паст и суспензий, наносят на подготовленный полировальник в дозированных количествах.
Для предварительной полировки кремния алмазными суспензиями оптимальным режимом является режим, при котором удельное давление составляет (5 ... 6) 103 Н/м2, а частота вращения полировальника 30 ... 40 мин-1. При этом скорость съема кремния для порошков АСМ-1 и АСМ-2 достигает 4 ... 7 мкм/ч, а для субмикропорошков от 0,1 до 0,35 мкм/ч. При использовании паст частоту вращения полировальника можно увеличить до 70...100 мин-1, если улучшить условия теплоотвода путем непрерывной подачи на полировальник охлаждающей жидкости из капельницы. Время полировки зависит от величины припуска и скорости съема материала и обычно составляет от 15 до 30 мин.
Арсенид галлия полируют при удельном давлении (3...3,5)Ч103 Н/м2 и частоте вращения полировальника 30...35 мин-1. При этом для порошков с размером зерна 1 мкм скорость съема составляет около 10 мкм/ч.
Химическая полировка осуществляется специальными растворами (травителями), которые достаточно хорошо растворяют материал пластин и загрязнения как физической, так и химической природы. Например, для кремния широко используется жидкий травитель состава HF : HNO3: CH3COOH в соотношении 1:3: 2,5. Возможны и другие соотношения компонентов травителя. Химическое травление жидкими растворителями с последующей отмывкой и сушкой рассматривается в технологии ИМС как заключительная стадия обработки, в результате которой стравливается 10...20 мкм материала с каждой стороны пластины.
Химико-механическая полировка производится с помощью химических реакций и абразивов. Методы ее можно разделить на две группы: полировка диоксидом циркония (ZrO2) или кремния (SiO2) и ионообменная. При полировке диоксидом циркония или кремния в результате химического взаимодействия с кремнием растворов КОН, NaOH или этилендиамина, входящих в состав суспензии, происходит окисление кремния и растворение оксидов в щелочной среде. При этом абразивные зерна ZrO2 или SiO2 удаляют разрыхленный поверхностный слой, имеющий значительно меньшую твердость, чем исходный материал. Этим объясниется более высокая производительность химико-механической полировки по сравнению с механической. Химико-механическая полировка позволяет получать пластины, свободные от «алмазного фона», с шероховатостью по 14-му классу и нарушенным слоем, не превышающим 2 ... 3 мкм.
Полировку диоксидом циркония выполняют на замшевом полировальнике с частотой вращения от 80 до 120 мин-1 при удельном давлении (6... 8) 103 Н/м2 и расходе суспензии 10...20 мл/мин. Скорость съема кремния составляет 1 ... 3 мкм/ч.
При полировке диоксидом кремния частота вращения замшевого полировальника составляет 100 мин-1, удельное давление 15103 Н/м2, расход суспензии 10 ... 25 мл/мин, а скорость съема кремния от 3 до 10 мкм/ч.
При ионообменной полировке используются суспензии, содержащие азотно- или сернокислую медь, азотную кислоту и фтористый аммоний. Сущность ионообменной полировки заключается в реакции замещения, при которой ионы меди восстанавливаются в металлическую медь, а кремний окисляется до Si4+. Медь осаждается на поверхности пластин, а затем стирается полировальным полотном. Одновременно окисленный кремний, взаимодействуя с ионами фтора, растворяется, образуя фторосиликат.
Процесс идет непрерывно. В кислой среде (рН<5) протекают следующие реакции:
2Cu2++Si0Si4++2Cu0
Si4++6F-SiF62-
SiF62-+2(NH4)+ (NH4)2SiF6.
Ионообменную полировку производят на станках, детали рабочей зоны которых изготовлены из коррозионно-стойких материалов. Частота вращения полировальника, выполненного из искусственной кожи или замши, составляет 200 мин-1 при удельном давлении на пластины (8... 10)103 Н/м2. Скорость полировки суспензией с азотно-кислой медью 100 ... 120 мкм/ч, а серно-кислой 60 ... 70 мкм/ч.
После полировки пластины промывают и сушат.
Несмотря на высокую производительность ионообменной полировки и возможность получения бездефектной поверхности за счет отсутствия абразива, этот метод обработки не получил широкого распространения из-за сложности управления процессом и необходимости тщательного удаления остатков меди с обработанной поверхности.